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公开(公告)号：CN103094033A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110347060.7
申请日：2011-11-07
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/08
CPC分类号： H01J37/24 , H01J37/08 , H01J2237/065 , H01J2237/2485
摘要： 一种双灯丝离子源弧流平衡调节方法，它包括：灯丝电源1(1)、灯丝电源2(2)、偏置电源1(3)、偏置电源2(4)、弧压电源(5)、比较器1(6)、比较器2(7)、两个霍尔传感器(8)。灯丝电源1(1)和2(2)用来给离子源的灯丝加热，当灯丝加热温度达到一定程度时，灯丝就会发射电子，偏置电源1(3)和2(4)加在阴极与灯丝之间，使得电子以一定能量打到阴极上，形成偏流。同样阴极在持续的轰击下，阴极表面发射电子，弧压电源(5)连接在弧室与阴极之间，电子在弧压电场作用下，向弧室运动，最终吸附到弧室上形成弧流。首先，调节灯丝电源1(1)，直至偏流达到设定值，在调节偏置电源1(3)，电子在弧压电场作用下，使其形成的弧流值与设定值相等。然后以灯丝电源1(1)和偏置电源1(3)为基准，分别调节灯丝电源2(2)和偏置电源2(4)。通过检测的电流反馈值，不断调节电源的输入值，直到偏流和弧流均与设定值相等。这样的双闭环控制，能达到双灯丝离子源平衡弧流的方法。
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公开(公告)号：CN102956427A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110241154.6
申请日：2011-08-22
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种宽带束流离子源引出电极运动控制系统，包括：主控计算机(1)、光纤通信卡(2)、四轴电机运动控制卡(3)、Y1轴直流电机(4)、Y2轴直流电机(5)、Z1轴直流电机(6)、Z2轴直流电机(7)、Y1轴直线位移电位器(8)、Y2轴直线位移电位器(9)、Z1轴直线位移电位器(10)、Z1轴直线位移电位器(11)、条行引出电极(12)。其特征在于光纤通信卡(2)插在主控计算机(1)的PCI插槽上，光纤通信卡(2)和四轴电机运动控制卡(3)之间通过光纤连接传递信号，四轴电机运动控制卡(3)通过控制四个直流电机的运动，经过丝杠传动，调整引出电极在Y1轴、Y2轴、Z1轴、Z2轴四个方向的位移，从而使引出电极的引出缝和离子源腔体的引出缝在同一水平面上，并且保持平行，距离可调。
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公开(公告)号：CN102956421A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110241135.3
申请日：2011-08-22
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种用于离子注入机的离子源灯丝及其夹持装置。一种离子注入机用离子源，可以产生宽带束或扁状带束，为使其正常工作发明一种灯丝及灯丝夹持装置，以产生稳定的强电子。主要包括：灯丝(1)、灯丝联接杆(2)、石墨支撑板(3)、绝缘陶瓷座(4)、丝夹(5)和电源输入带(6)等。该装置特征在于，采用特别的灯丝(1)安装于灯丝联接杆(2)上，并采用特别的丝夹(5)联接灯丝联接杆(2)和电源输入带(6)；灯丝(1)的设计可以发射高强度电子，丝夹(5)可以牢固的固定灯丝联接杆(2)，并起到输送高压的作用。说明书对装置工作原理进行了详细的说明，并给出了具体的实施方案。
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公开(公告)号：CN102534536A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010621900.X
申请日：2010-12-27
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅片台多轴运动装置，主要包括：硅片台自转机构(1)、硅片台倾斜机构(2)、竖直和摆动运动机构(3)和机架(4)。所述的硅片台自转机构(1)置于硅片台倾斜机构(2)上；所述的硅片台倾斜机构(2)置于竖直和摆动运动机构(3)上；所述的竖直和摆动运动机构(3)置于机架(4)上。其特征在于，硅片台自转机构(1)可以绕硅片台中心旋转；硅片台自转机构(1)可以垂直于硅片台面转动；硅片台倾斜机构(2)可以摆动旋转和竖直运动，从而实现硅片台的多角度运动扫描。
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公开(公告)号：CN102446682A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010513564.7
申请日：2010-10-13
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/21 , H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种离子注入低能透镜，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该结构包括：入口电极(1)、出口电极(2)、中间聚焦电极(3)、安装法兰(4)、两个连接棒(5)、绝缘供电连接(6)。所述的入口电极(1)、出口电极(2)分别与连接棒(5)的一端连接，连接棒(5)的另一端连接到安装法兰(4)；所述的安装法兰(4)用于固定连接棒(5)和绝缘供电连接(6)，处在地电位；所述的中间聚焦电极(3)和绝缘供电连接(6)连接，与入口电极(1)、出口电极(2)之间绝缘；所述的绝缘供电连接(6)一端连接中间聚焦电极(3)，另一端连接外部电源，向聚焦电极(3)供电，连接电源端具有两个连接口，可用于检测实际供电状态。入口电极(1)、出口电极(2)和中间聚焦电极(3)共同组成膜片透镜结构，实现了在低能模式下对离子束实行先扩散后聚焦，总体实现的聚焦的作用。
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公开(公告)号：CN102446680A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010514098.4
申请日：2010-10-13
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种有效提高多电荷离子产额的新型发射电子阴极，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该结构包括：一个凹形发射面、一个圆柱屏蔽筒及圆心处一个中心固定杆；所述的凹形发射面为高纯钨材料，圆形片状块结构，离子源通过它发射电子；所述的圆柱屏蔽筒为高纯钨材料，圆筒结构，与凹形发射面连接在一起，对内置灯丝起屏蔽保护作用；所述的中心固定杆通过圆柱屏蔽筒中心并支撑固定凹形发射面及圆柱屏蔽圆筒。本发明中所述的发射电子阴极结构采用凹型弧面代替一般的平面结构，使阴极发射的电子在放电弧室中心区域相对更加集中，从而提高气体分子电离效率而有效提高离子源多电荷离子产额；同时连接简单、稳定可靠，热变形小及使用寿命长特点，保证离子源长期工作的稳定可靠性。
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公开(公告)号：CN102347193A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010243066.5
申请日：2010-08-02
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , G06F17/50
摘要： 本发明公开了一种大角度离子注入机快速调束的优化算法，束流优化算法使用部分：黄金搜索算法和扫描检测算法。本发明最大特点是大角度离子注入机在运行自动调束功能时，在极短的时间内能够调节出束流并能进行优化调束，工艺数据能实时处理，最终获取高品质束流。
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公开(公告)号：CN102005362A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910090665.5
申请日：2009-09-03
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/66 , C23C14/48 , H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种离子束注入机上对双法拉第杯测量比例值进行校正的系统和方法。该校正系统包括移动法拉第杯、剂量采样法拉第杯，闭环控制法拉第杯、剂量检测器、数控扫描发生器、电机运动控制器、控制计算机，各个组件之间的连接关系如摘要附图所示。校正步骤包括：1、启动离子束沿水平方向均匀地扫描，将移动法拉第杯移到硅晶片的中心位置，对扫描离子束进行剂量采样，求算出中心位置处的注入剂量值，公式为：2、再用闭环控制法拉第杯采样扫描离子束的注入剂量，计算出该处的注入剂量值，公式为：3、计算出两法拉第杯剂量探测的比例值，公式为：本发明将两个法拉第杯对注入剂量的探测统一到同一标准，保证离子注入剂量检测的准确性。
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公开(公告)号：CN101764030A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810238899.5
申请日：2008-12-04
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种离子注入剂量控制系统及控制方法，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该系统包括剂量积分器、扫描发生器、NI运动控制器和NI实时测量与控制器。本发明的优点是能够显著地提高离子注入剂量值和均匀性的精度以及自恢复功能。
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