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公开(公告)号：CN118095179A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410328201.8
申请日：2024-03-21
Applicant: 北京交通大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明提供一种碳化硅MOS管关断瞬态改进建模方法及系统，属于电力电子器件建模技术领域。本发明依据碳化硅MOS管沟道关断和对管SBD导通的先后顺序，将碳化硅MOS管的关断过程分为传统关断和特殊关断两种情况，同时考虑了沟道关断过程以及碳化硅MOS管输出电容充放电过程，对两种不同的关断模式进行详细分析；通过对关断瞬态进行时间分段、机理解耦以及参数解耦，获得对应的时域表达式，从而在进一步完善碳化硅MOS管关断瞬态模型，并提高模型在特殊关断模式下的精度的同时，取消了模型的迭代，提高了模型的求解速度。
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