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公开(公告)号：CN101393924B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN200710122169.4
申请日：2007-09-21
申请人： 北京京东方光电科技有限公司
CPC分类号： H01L27/3213 , G09G3/3208 , G09G2300/0452 , H01L27/3216 , H01L27/3218
摘要： 本发明涉及一种电致发光显示面板，包括矩阵排列的像素，每个像素由红色亚像素、绿色亚像素和蓝色亚像素组成，所述蓝色亚像素至少包括每帧交替使用其中一个的第一蓝色子亚像素和第二蓝色子亚像素。本发明通过设置至少二个蓝色子亚像素交替使用，使蓝色亚像素整体使用寿命延长。进一步地，通过将像素结构设置成块状，使每个蓝色子亚像素与红色亚像素和绿色亚像素的距离相当，且具有面积对称，位置对称和显像对称等特点，因此大幅度提高了画面解析度，使本发明将高使用寿命和高画面解析度有机地结合在一起。
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公开(公告)号：CN102263060B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201010189885.6
申请日：2010-05-24
申请人： 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/77 , H01L21/768 , H01L27/02 , G02F1/1362
摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、液晶显示器。其中，方法包括在衬底基板上形成电极线图案和像素电极图案，沉积一导电层，并通过构图工艺形成电镀电极；通过电镀工艺在所述电镀电极上电镀形成由金属铜薄膜构成的所述电极线图案。本发明通过采用电镀工艺制作阵列基板上的金属铜薄膜材料的电极线图案，省去了现有技术中制作铜电极线图案最难的刻蚀工艺，解决了金属铜刻蚀效果差的问题，使得电镀形成的金属铜电极线图案非常致密、均匀，且导电性能好，黏附力强。
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公开(公告)号：CN101840922B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910080227.0
申请日：2009-03-16
申请人： 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/3213 , H01L21/027 , G02F1/136
CPC分类号： H01L27/127 , H01L27/1248 , H01L27/1288
摘要： 本发明涉及一种阵列基板及制造方法，其中该阵列基板的制造方法，包括：基板；设置在基板上面并且包含有栅线和栅电极的第一金属层；第一绝缘层；依次形成在第一绝缘层上面的半导体层、重掺杂n+型半导体层以及包含有数据线、源电极和漏电极的第二金属层；第二绝缘层；设置在第二绝缘层上面并且包含有与漏电极电连接的像素电极；第二金属层还包括：在像素电极周边，位于像素电极与第一金属层重叠的区域的阻刻图案。本发明通过在第二次掩模工艺中在像素电极和公共线重叠的区域形成阻刻图案的方式，克服了在第三次掩模工艺中蚀刻时间过长而导致的像素电极和公共线电连接的缺陷，从而改善了剥离工艺，同时也改善了三次掩膜工艺。
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公开(公告)号：CN101963727B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200910089829.2
申请日：2009-07-24
申请人： 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L21/82
摘要： 本发明公开了一种FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法。该方法包括：步骤1：在透明基板上依次沉积第一透明导电薄膜、源漏金属薄膜及掺杂半导体薄膜，通过第一构图工艺形成包括源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；步骤2：沉积半导体薄膜，通过第二构图工艺形成包括掺杂半导体层、TFT沟道和半导体层的图形；步骤3：沉积绝缘薄膜和栅金属薄膜、通过第三构图工艺形成包括连接孔、栅线、栅电极以及公共电极线的图形；步骤4、沉积第二透明导电薄膜，通过第四构图工艺形成包括公共电极的图形。本发明可以采用4次构图工艺既可制备完成，相比现有技术具有工艺步骤简化、工艺时间短、生产效率高和生产成本低等优点。
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公开(公告)号：CN101825802B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200910079291.7
申请日：2009-03-06
申请人： 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1335
CPC分类号： G02F1/133512 , G02F1/133514
摘要： 本发明涉及一种彩膜基板及其制造方法。彩膜基板包括形成在基板上的第一黑矩阵、彩色树脂、保护层和公共电极，保护层上形成有用于阻挡第一黑矩阵的反射光射入阵列基板TFT沟道区域内的第二黑矩阵。彩膜基板制造方法包括：在基板上形成包括第一黑矩阵和彩色树脂的图形；形成包括保护层和第二黑矩阵的图形；形成包括公共电极的图形。本发明通过设置二层黑矩阵图形，第二黑矩阵可以有效阻挡从第一黑矩阵表面反射的反射光，使从第一黑矩阵表面反射的反射光不能射入TFT沟道区域，有效避免了漏电流的产生，最大限度地提高了电压保持率和对比度，提高了液晶显示器的质量。
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公开(公告)号：CN102023432A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910093381.1
申请日：2009-09-18
申请人： 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/02 , H01L21/82
摘要： 本发明公开了一种FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法。该阵列基板，包括多个像素单元，每个像素单元包括栅线、公共电极线、栅绝缘层、数据线段、薄膜晶体管、像素电极、钝化层以及公共电极；薄膜晶体管包括源电极、漏电极及栅电极，栅电极与栅线电连接，漏电极通过第一连接线与像素电极连接，源电极与数据线段电连接；阵列基板还包括第二连接线，第二连接线用于电连接相邻的两个像素单元的数据线段，构成数据线；第一连接线和第二连接线与公共电极同层设置。本发明FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法，仅通过三次构图工艺即可完成TFT-LCD阵列基板的制造，相比现有技术降低了成本，提高了市场竞争力。
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公开(公告)号：CN101963726A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200910089828.8
申请日：2009-07-24
申请人： 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L21/82
摘要： 本发明公开了一种FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法。该方法包括：步骤1：在透明基板上依次沉积第一透明导电薄膜、源漏金属薄膜及掺杂半导体薄膜，通过第一构图工艺形成包括源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；步骤2：沉积半导体薄膜，通过第二构图工艺形成包括掺杂半导体层、TFT沟道和半导体层的图形；步骤3：沉积绝缘薄膜、通过第三构图工艺在PAD区域的数据线区域形成连接孔的图形；步骤4：沉积第二透明导电薄膜和栅金属薄膜，通过第四构图工艺形成包括栅线、栅电极、公共电极以及公共电极线的图形。本发明可以采用4次构图工艺既可制备完成，相比现有技术具有工艺步骤简化、工艺时间短、生产效率高和生产成本低等优点。
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公开(公告)号：CN101398558B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200710175211.9
申请日：2007-09-27
申请人： 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1333 , G03F7/00 , B29C59/00
摘要： 本发明涉及一种反透过型阵列基板及其制造方法。反透过型阵列基板包括软基板和在软基板上设置的阵列主体，软基板设有透射区域和反射区域，在软基板的反射区域形成有压花，在压花上设有反射板，压花和反射板与阵列主体位于软基板的同一面。反透过型阵列基板的制造方法包括在软基板上形成压花和在软基板上形成阵列主体，其中在软基板上形成压花具体为：步骤101、设置软基板和针床，软基板设有透射区域和反射区域，加热针床至150摄氏度～200摄氏度；步骤102、将针床印压在软基板的反射区域形成压花；步骤103、在压花上形成反射板。本发明解决现有技术反透过型阵列基板的各项参数设定难度过大的问题，降低反透过型阵列基板的制造成本。
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公开(公告)号：CN101661908A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200810119139.2
申请日：2008-08-27
申请人： 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/84 , H01L21/28 , G03F1/00 , G02F1/1362
摘要： 本发明涉及一种水平电场型半透过式液晶显示装置的阵列基板制造方法。其中该方法采用一个单调掩模板和两个双调掩模板制造了液晶显示装置的阵列基板，具体为：通过采用单调掩模板形成栅线、栅电极和显示区域；通过采用第一双调掩模板形成TFT和位于板状电极上的透射区域和反射区域；通过采用第二双调掩模板形成过孔和缝隙电极。相比采用三个双调掩模板的现有技术，本发明采用了一个单调掩模板和两个双调掩模板，从而不仅通过降低掩模板的价格降低了制作成本，而且通过减少一次灰化工艺实现了工艺的简单化。
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公开(公告)号：CN101393924A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200710122169.4
申请日：2007-09-21
申请人： 北京京东方光电科技有限公司
CPC分类号： H01L27/3213 , G09G3/3208 , G09G2300/0452 , H01L27/3216 , H01L27/3218
摘要： 本发明涉及一种电致发光显示面板，包括矩阵排列的像素，每个像素由红色亚像素、绿色亚像素和蓝色亚像素组成，所述蓝色亚像素至少包括每帧交替使用其中一个的第一蓝色子亚像素和第二蓝色子亚像素。本发明通过设置至少二个蓝色子亚像素交替使用，使蓝色亚像素整体使用寿命延长。进一步地，通过将像素结构设置成块状，使每个蓝色子亚像素与红色亚像素和绿色亚像素的距离相当，且具有面积对称，位置对称和显像对称等特点，因此大幅度提高了画面解析度，使本发明将高使用寿命和高画面解析度有机地结合在一起。
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