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公开(公告)号:CN118486697A
公开(公告)日:2024-08-13
申请号:CN202410538211.4
申请日:2024-04-30
申请人: 北京京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: H01L27/146 , H01L27/12
摘要: 本发明公开了一种纹路识别基板及其制作方法,纹路识别基板包括:衬底、线路层、SiNx叠层和光电二极管。线路层位于衬底的一侧。SiNx叠层位于线路层背离衬底的一侧。光电二极管位于SiNx叠层背离线路层的一侧。光电二极管通过贯穿SiNx叠层的第一过孔与线路层的线路连接。其中沿远离衬底的方向,SiNx叠层中Si的质量分数具有先减小后增加的趋势。SiNx叠层的表面层的硅含量较高,膜质较为致密,从而可以减小SiNx叠层的背离衬底的一侧的表面缺陷,从而避免由于SiNx叠层的表面缺陷引起的后续形成在SiNx叠层之上的其他膜层的不良,提高产品良率。
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公开(公告)号:CN117374094A
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN202311396421.6
申请日:2023-10-25
申请人: 北京京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
发明人: 吴申康 , 王震 , 赵镇乾 , 刘琨 , 侯学成 , 王凤涛 , 马健 , 张宇航 , 侯斌斌 , 连海龙 , 李良杰 , 胡晓洋 , 贾大敏 , 孙凯晨 , 纪全增 , 郭慧杰 , 孙凤英 , 肖立友 , 张永胜 , 王志敏 , 李文龙
IPC分类号: H01L27/146
摘要: 本发明提出了平板探测器及检测装置,平板探测器包括多个间隔设置的像素,每个像素包括:衬底;第一电极,第一电极设置在衬底的表面上且为透明电极;光电转换层,光电转换层设置在第一电极背离衬底的表面上,光电转换层与衬底之间仅具有第一电极;第二电极,第二电极设置在光电转换层背离第一电极的一侧;薄膜晶体管,薄膜晶体管包括源极和漏极,第二电极与至少部分源极接触连接。由此,本申请提出的平板探测器,光电转换层与衬底之间仅具有第一电极,提高了光电转换层与衬底之间膜层的平整性,提高了光电转换层的平整性,降低了光电转换层发生特性异常的概率,提高了平板探测器的良率。
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