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公开(公告)号：CN115996994B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202180002236.7
申请日：2021-08-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
发明人： 王铁石
IPC分类号： C09D11/30
摘要： 本申请提供了一种量子点墨水、量子点薄膜及其制备方法、显示基板，涉及显示技术领域，量子点墨水，包括：第一墨水，所述第一墨水至少包括量子点本体以及配位在所述量子点本体表面的配体，所述配体包括R1基团；第二墨水，所述第二墨水至少包括反应性化合物，且所述反应性化合物被配置为能够与R1基团相互作用，并使得量子点本体沉降成膜。该量子点墨水制备的量子点薄膜具有较好的成膜均匀性，从而提高由量子点薄膜制备的显示产品的显示效果。
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公开(公告)号：CN116686408A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202180004228.6
申请日：2021-12-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号： H10K50/80
摘要： 发光器件及其制备方法、发光装置，涉及半导体技术领域。发光器件包括：衬底，以及设置在衬底一侧的发光层和附加结构，附加结构可与水氧发生化学反应，附加结构与水氧的反应速率常数大于发光层与水氧的反应速率常数；其中，附加结构的设置位置包括以下至少之一：与发光层同层设置，与发光层异层设置。
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公开(公告)号：CN113140683B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202010065999.3
申请日：2020-01-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
摘要： 本申请公开了一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板，用以增强量子点层和电子传输层之间界面相互作用力，减少量子点层和电子传输层之间的界面缺陷，提高量子点器件的电致发光性能和稳定性。本申请实施例提供的一种量子点发光器件，所述量子点发光器件包括：量子点层以及与所述量子点层相邻的电子传输层；所述电子传输层包括第一基团，所述量子点层包括第二基团；所述第一基团和所述第二基团均包括亲水性基团；在所述量子点层与所述电子传输层之间的接触面，所述第一基团和所述第二基团通过氢键结合。
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公开(公告)号：CN114574187B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202011376226.3
申请日：2020-11-30
申请人： 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： C09K11/02 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , G03F7/004 , G09F9/33 , H10K50/115 , H10K59/12 , H10K71/20 , H10K71/60
摘要： 本发明公开了一种纳米粒子、纳米粒子层图案化的方法及相关应用，采用本发明的纳米粒子在基底上形成图案化的纳米粒子层时，在纳米粒子中添加光敏材料，然后在预设波长的光照射下，第一配体中的保护基团解离形成氨基，在纳米颗粒表面形成包括氨基的第二配体，第二配体的极性与第一配体的极性不同，则第二配体与第一配体在同一显影液中的溶解性不同；且第二配体的氨基与相邻纳米粒子发生配合作用，纳米粒子形成紧密连接的交联网络结构。在显影处理时，发生交联的纳米粒子不溶于显影液而被保留下来，未发生交联的纳米粒子溶解于显影液中，从而脱离基底被去除，完成纳米粒子层的图案化，能够形成高分辨率的、性能良好的纳米粒子图案。
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公开(公告)号：CN115951506A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211601713.4
申请日：2022-12-13
申请人： 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本公开提供了一种显示装置，用以消除摩尔纹。显示装置包括：显示面板，包括：像素重复单元；每个像素重复单元包括多个像素岛；每个像素岛包括多个子像素；多个像素重复单元包括多个像素重复单元行；分光组件，包括沿列方向延伸并沿行方向连续排列的多个分光重复单元；分光重复单元包括沿列方向延伸并沿行方向连续排列的M个分光结构；每一分光重复单元对应像素重复单元行中的N列子像素；M、N均为大于1的整数；分光结构具有沿列方向延伸的汇聚中心线，相邻两个分光结构的汇聚中心线之间的距离为第一距离；至少部分相邻两个像素重复单元行中的子像素之间在行方向上错位排布；和/或，M个分光结构对应的多个第一距离中至少部分第一距离不相等。
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公开(公告)号：CN115697984A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180001247.3
申请日：2021-05-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
发明人： 王铁石
IPC分类号： C07D333/36 , C07D409/04 , C07D409/14 , H10K50/15 , H10K50/17 , H10K85/60
摘要： 本公开提供了一种有机化合物及发光器件，涉及显示技术领域。该有机化合物的结构如式1、式2或式3所示，本公开能够提高发光器件的空穴传输速率。
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公开(公告)号：CN113707702A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111016565.5
申请日：2021-08-31
申请人： 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
发明人： 王铁石
摘要： 本公开提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域，其能够避免在制备上述显示基板过程中使用独立发光材料液滴形成发光层，使制备过程中不再出现独立发光材料液滴产生爬坡和咖啡环的问题，从而有效提高了膜层的厚度均匀性。本公开包括衬底基板，设置在衬底基板上的阳极、阴极，以及夹设在阳极和阴极之间的第一像素限定层、发光层和第二像素限定层。
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公开(公告)号：CN117136639A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202280000531.3
申请日：2022-03-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
发明人： 王铁石
IPC分类号： H10K50/115 , H10K71/00
摘要： 本公开实施例公开了一种量子点发光器件及量子点层图案化的方法，该量子点发光器件包括：基底；量子点层，位于基底上；量子点层包括发射不同颜色光的第一量子点单元、第二量子点单元和第三量子点单元，第一量子点单元、第二量子点单元和第三量子点单元在基底上的正投影互不交叠，且第一量子点单元的底面、第二量子点单元的底面和第三量子点单元的底面与基底表面之间的距离依次增大；其中，基底与第一量子点单元之间、第一量子点单元与第二量子点单元之间以及第二量子点单元与第三量子点单元之间均设置有：在基底上的正投影完全覆盖基底的偶氮苯化合物层，偶氮苯化合物层的偶氮苯化合物为反式结构。
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公开(公告)号：CN116649008A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202180004050.5
申请日：2021-12-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
发明人： 王铁石
摘要： 发光器件的制备方法、发光器件及发光装置，涉及半导体技术领域。发光器件包括衬底，以及层叠设置在衬底一侧的第一电极和载流子辅助层，第一电极靠近衬底设置，制备方法包括：提供衬底；在衬底的一侧形成第一电极，第一电极具有图案化形状；采用电化学聚合法，将第一电极作为正极或工作电极置于电解液中，电解液中的可聚合单体在第一电极的表面发生聚合反应，形成载流子辅助层；其中，载流子辅助层的材料包括可聚合单体的聚合物。
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公开(公告)号：CN115996994A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202180002236.7
申请日：2021-08-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
发明人： 王铁石
IPC分类号： C09D11/30
摘要： 本申请提供了一种量子点墨水、量子点薄膜及其制备方法、显示基板，涉及显示技术领域，量子点墨水，包括：第一墨水，所述第一墨水至少包括量子点本体以及配位在所述量子点本体表面的配体，所述配体包括R1基团；第二墨水，所述第二墨水至少包括反应性化合物，且所述反应性化合物被配置为能够与R1基团相互作用，并使得量子点本体沉降成膜。该量子点墨水制备的量子点薄膜具有较好的成膜均匀性，从而提高由量子点薄膜制备的显示产品的显示效果。
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