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公开(公告)号：CN102250400A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010177645.4
申请日：2010-05-20
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本发明公开了一种高PTC强度和稳定性的聚合物基复合材料及其制备方法，复合材料中包括：UHMWPE和PVDF、钛酸酯偶联剂表面处理的CB和MWNT导电填料及抗氧剂1010；制备方法包括：CB和MWNT导电填料的钛酸酯偶联剂表面处理，然后按PVDF和UHMWPE体积比为1∶1，真空干燥后，首先将PVDF加入到转矩流变仪中，让其加热熔融2分钟，然后加入另一基体UHMWPE和抗氧剂1010，抗氧剂1010为基体总质量的1％；将两种基体的混合物混炼10分钟，然后加入填料，250℃混炼15分钟；熔融共混完成后，在250℃，18MPa恒温恒压热压10分钟，即得到样品。本发明具有较好的导电性和较低的室温电导率，渗流阈值附近电导率达到10-1，通过调节复合材料中填料的含量可以改变复合材料的导电性，较高的PTC强度和良好的重复稳定性，NTC效应降低。
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公开(公告)号：CN101955667A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910089268.6
申请日：2009-07-15
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 一种耐高温高介电常数无机/聚合物复合材料属于复合材料领域。本发明所提供的复合薄膜由基体聚酰亚胺和填料钛酸铜钙CCTO陶瓷粉末组成；其中，基体的体积百分比为60～90％，CCTO陶瓷粉末的体积百分比为10～40％。本发明所提供的复合薄膜具有优异的介电性能，既可以克服现有介电陶瓷填充的聚合物基复合材料的介电常数随填充量的增加，而增加缓慢的问题；又可以克服导电材料填充的聚合物基复合材料的介电常数在渗流域值附近变化剧烈，不易控制填充量和介电常数的问题。
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公开(公告)号：CN102199356A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201010130581.2
申请日：2010-03-22
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本发明公开了一种高介电常数高弹性三相体纳米复合材料及其制备方法。材料包括：无机材料：导电填料碳黑CB粉和钛酸钡BaTiO3(BT)，有机材料甲基乙烯基硅橡胶VMQ，其配方按体积比为：炭黑CB粉体0.5～4％，钛酸钡粉体(BT)40％及甲基乙烯基硅橡胶VMQ 56～59.5％；制备方法是将BT、CB粉体热处理、研磨，配制VMQ溶液，采用溶液法混合及低温热压硫化方法压制成型，并后处理。本发明的三相体(CB/BaTiO3/VMQ)介电常数高、介电损耗低、弹性高，热压法降低成型温度、缩短制备时间，成型方便，并在较短的时间内获得了性能稳定、韧性好的复合材料，从而节省了时间和能源。
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公开(公告)号：CN102190889A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010123335.4
申请日：2010-03-12
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本发明公开了一种线性压阻的碳纳米管/橡胶复合材料及其制备方法。复合材料包括硅烷偶联剂修饰的碳纳米管m-MWNT1～10质量份、甲基乙稀基硅橡胶VMQ100质量份其中硅烷偶联剂与碳纳米管的质量比为1∶100；所述碳纳米管外径为20～40nm，长度为5～15μm；其制备方法为：将m-MWNT超声分散于THF中2小时，将VMQ加热溶解于THF；然后，将两种溶液混合，继续超声10min，将混合溶液迅速倒入培养皿中，放置磁力搅拌器上，在55℃迅速挥发有机溶剂，待有机溶剂蒸干后将培养皿转移至干燥箱中，在80℃下，烘干4小时；真空烘箱中80℃，烘干200min，得到碳纳米管/硅橡胶混合物，然后加入硫化剂双2，5，挤压制备出线性压阻的碳纳米管/橡胶复合材料。材料具有线性可控、压敏强度高、性能稳定以及重复性强的优点。
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公开(公告)号：CN101882507B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200910083691.5
申请日：2009-05-08
Applicant: 北京化工大学
IPC: H01G4/06 , H01B3/00 , B32B27/20 , C08L27/16 , C08L23/12 , C08L27/06 , C08K3/24 , C08J5/18 , B29C70/30
Abstract: 一种多层结构的聚合物基电介质复合材料及其制备方法属于电介质材料领域。现有聚合物基电介质复合材料无法兼顾介电常数和粘结性，且制备工艺复杂。本发明所提供的复合材料由叠加在一起的三层薄膜组成；外层薄膜中聚合物的体积份数为90％，无机陶瓷粒子的体积份数为10％；中间层薄膜中聚合物的体积份数为50-80％，无机陶瓷粒子的体积份数为20-50％。本发明通过以聚合物为基体，以无机陶瓷粒子为分散相，采用旋转涂层技术分别制备外层和中间层薄膜后，采用热压工艺将外层薄膜与中间层薄膜结合在一起，得到多层结构的聚合物基电介质复合材料。本发明提供的复合材料具有介电常数高、粘结性能好、制备工艺简单等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101955620A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910089270.3
申请日：2009-07-15
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 填充有机金属改性碳管的高介电复合材料属于电活性纳米复合材料制备技术领域。本发明复合材料由外径为10～30nm、长度为1～5μm的MWNT-TFP和粒度为0.1～0.2μm的PVDF组成；其中，MWNT-TFP所占的体积比为6～16％，PVDF所占的体积比为84～94％。本发明通过将MWNT-TFP和PVDF分别容于DMF中，而后将二者混合超声分散，再经烘干，热压成型，得到本发明复合材料。本发明制备的复合材料具有介电常数高、复合温度低、制备工艺简单，成本低等优点。
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公开(公告)号：CN102190840B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201010123331.6
申请日：2010-03-12
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本发明公开了一种微纳共填充高介电常数柔性复合薄膜的制备。将粒度为微、纳米级尺寸的钛酸钡粉体一起加入溶剂N，N-二甲基乙酰胺中超声分散后加入粒度为0.1-0.2微米的聚偏氟乙烯粉体，再超声分散，然后在玻璃板或流延机上流延成膜，烘干后脱膜得到微纳共填充高介电常数柔性复合薄膜。本发明制备工艺简单，能耗低，成本低廉，污染少。
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公开(公告)号：CN102250400B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201010177645.4
申请日：2010-05-20
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本发明公开了一种高PTC强度和稳定性的聚合物基复合材料及其制备方法，复合材料中包括：UHMWPE和PVDF、钛酸酯偶联剂表面处理的CB和MWNT导电填料及抗氧剂1010；制备方法包括：CB和MWNT导电填料的钛酸酯偶联剂表面处理，然后按PVDF和UHMWPE体积比为1∶1，真空干燥后，首先将PVDF加入到转矩流变仪中，让其加热熔融2分钟，然后加入另一基体UHMWPE和抗氧剂1010，抗氧剂1010为基体总质量的1％；将两种基体的混合物混炼10分钟，然后加入填料，250℃混炼15分钟；熔融共混完成后，在250℃，18MPa恒温恒压热压10分钟，即得到样品。本发明具有较好的导电性和较低的室温电导率，渗流阈值附近电导率达到10-1，通过调节复合材料中填料的含量可以改变复合材料的导电性，较高的PTC强度和良好的重复稳定性，NTC效应降低。
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公开(公告)号：CN102190830A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010123531.1
申请日：2010-03-12
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本发明公开了一种高温低炭黑含量聚合物基PTC复合材料及其制备方法。本发明的PTC复合材料有以下物质组成：体积比为4∶1～1∶4的聚丙烯和聚偏氟乙烯的聚合物基体材料、钛酸酯偶联剂表面处理的CB导电填料、抗氧剂1010及阻燃剂Al(OH)3；CB导电材料占CB导电材料与聚合物基体材料总体积的1.0-16％，抗氧剂1010为总质量的0.4％，阻燃剂Al(OH)3为总体质量的2％。其制备方法包括：CB的表面处理，称取PVDF和PP以及上述钛酸酯偶联剂表面处理的CB导电填料，使CB导电填料的体积分数为1.0～16％，并加入占总质量分数为0.4％的抗氧剂和2％的阻燃剂，其中PVDF和PP体积比为1∶4～4∶1，在200℃下混炼10分钟，在热压机上热压即可。复合材料有着优异的导电性能及PTC性能，具有较高的工作温度。
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公开(公告)号：CN101955619A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910089267.1
申请日：2009-07-15
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本发明涉及一种高储能密度全有机复合薄膜及其制备方法。本发明所提供的复合薄膜由基体聚偏氟乙烯PVDF和填料导电聚苯胺PANI组成；复合薄膜中，PVDF所占的体积百分比为95～99％，PANI所占的体积百分比为1～5％。本发明通过将PANI粉末、PVDF和溶剂DMF混合后，球磨12±1h，将所得前躯体溶液在玻璃板上涂膜后，于60±1℃干燥2±0.1h，得到厚度为25～30μm的高储能密度全有机复合薄膜。本发明所提供的复合薄膜具有优异的介电性能、耐压强度和储能密度。
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