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公开(公告)号：CN116493185A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210057851.4
申请日：2022-01-19
申请人： 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
摘要： 本发明公开一种薄膜制备装置及方法，包括：第一容器，用于盛放薄膜溶液；第二容器，与第一容器连通；以及基片，设置于第二容器内；第一容器上具有连通内部的气口，通过气口向第一容器内通气加压，将第一容器内的薄膜溶液压入第二容器内直至浸没基片，再通过气口将第一容器内气体排出，第二容器内的薄膜溶液回流至第一容器，漏出基片，完成一次薄膜制备。本发明的薄膜制备装置通过气压控制溶液液面的上升和下降来实现提拉效果，基片保持固定无需进行提拉运动，从而避免由夹持基片的夹具运动引入机械振动；此外，本发明的薄膜制备装置形成薄膜的过程可以隔绝外界尘粒或气流扰动等影响，提高薄膜质量。
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公开(公告)号：CN106653929A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610828119.7
申请日：2016-09-18
申请人： 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/09 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/09 , H01L31/0224 , H01L31/1876
摘要： 本发明提供一种半导体性碳纳米管红外探测成像器，其包含含有碳纳米管级联光电压探测器的像元模块，所述碳纳米管级联光电压探测器设有作为导电通道和吸光材料的半导体性碳纳米管薄膜，所述半导体性碳纳米管薄膜上设有非对称接触电极以及虚电极对，本发明还提供其制备方法；本发明的半导体性碳纳米管薄膜红外探测成像器提高了输出光电压，并且有效的提高信噪比探测率，加工工艺简单，可以极大的降低传统红外探测器连接中由复杂工艺带来的高成本，特别适用于是制备小尺寸高性能低成本的室温工作的红外光探测成像器。
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公开(公告)号：CN117936406A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211255089.7
申请日：2022-10-13
申请人： 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种刻蚀装置及刻蚀方法，属于半导体技术领域，该刻蚀装置包括反应池，与反应池相连的进料装置和排放装置，所述进料装置与反应池的侧面或顶部相连，包括第一反应气体管路、第二反应气体管路、清洗溶剂管路，所述第一反应气体管路经过洗气装置后与所述反应池相连，所述洗气装置外设有加热装置，所述排放装置包括排液管路、排气管路，所述排液管路位于反应池底部，所述排气管路位于反应池侧面或顶部，所述反应池为密闭容器，其内部设有用于放置基片的支撑装置。本发明解决了刻蚀反应生成物不挥发、无法通过气流带走刻蚀反应生成物的问题，具有刻蚀精度高、刻蚀损伤小、流程简单、适用范围广等特点。
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公开(公告)号：CN116493186A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210057889.1
申请日：2022-01-19
申请人： 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC分类号： B05C3/109 , B05C13/00 , B05D1/18 , C01B32/168 , C01B32/159 , B82Y30/00
摘要： 本发明公开一种薄膜制备装置及方法，包括：第一容器，用于盛放薄膜溶液；第二容器，与第一容器连通；以及基片，设置于第二容器内；第一容器上具有连通内部的气口，通过气口向第一容器内通气加压，将第一容器内的薄膜溶液压入第二容器内直至浸没基片，再通过气口将第一容器内气体排出，第二容器内的薄膜溶液回流至第一容器，露出基片，完成一次薄膜制备。本发明的薄膜制备装置通过气压控制溶液液面的上升和下降来实现提拉效果，基片保持固定无需进行提拉运动，从而避免由夹持基片的夹具运动引入机械振动；此外，本发明的薄膜制备装置形成薄膜的过程可以隔绝外界尘粒或气流扰动等影响，提高薄膜质量。
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公开(公告)号：CN113644113B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202010393423.X
申请日：2020-05-11
申请人： 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 本发明公开了晶体管及制作方法。晶体管包括：依次层叠设置在基底上的窄带隙材料层、栅介质层和栅极，窄带隙材料层具有沟道区，位于窄带隙材料层远离基底一侧的膜层在沟道区具有台阶；源极和漏极，源极和漏极位于窄带隙材料层远离基底的一侧，且均与窄带隙材料层相接触，在源极和漏极中，至少漏极覆盖台阶，源极和漏极由金属材料形成。晶体管在关断状态时，漏极侧的能带变化平缓，缓解了漏极侧能带过度弯曲导致的势垒减薄，抑制了漏极载流子的反向隧穿，减小了关态漏电流，降低了晶体管的功耗，提高了晶体管的开关比；在导通状态时漏极侧能带的平缓变化，减少了载流子对漏极的冲击，减少了漏极的热迁移，使晶体管的结构更加可靠、使用寿命增长。
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公开(公告)号：CN113644112B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202010393413.6
申请日：2020-05-11
申请人： 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 本发明公开了晶体管及制作方法。晶体管包括：基底和设置在基底上的窄带隙材料层，窄带隙材料层具有沟道区；源极和漏极，源极和漏极位于窄带隙材料层远离基底的一侧，源极和漏极均与窄带隙材料层相接触；侧墙，侧墙覆盖漏极的侧壁和源极的侧壁，并向沟道区中延伸形成台阶，侧墙至少在靠近漏极的一侧具有台阶；栅介质层，栅介质层覆盖台阶和位于源极和漏极之间的窄带隙材料层；栅极，栅极覆盖栅介质层。晶体管在关断状态时漏极侧的能带变化平缓，缓解了漏极侧能带过度弯曲导致的势垒减薄，抑制了漏极载流子的反向隧穿，减小了关态漏电流；在导通状态时漏极侧能带的平缓变化，减少了载流子对漏极的冲击，使晶体管的结构更加可靠、使用寿命增长。
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公开(公告)号：CN113644113A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010393423.X
申请日：2020-05-11
申请人： 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 本发明公开了晶体管及制作方法。晶体管包括：依次层叠设置在基底上的窄带隙材料层、栅介质层和栅极，窄带隙材料层具有沟道区，位于窄带隙材料层远离基底一侧的膜层在沟道区具有台阶；源极和漏极，源极和漏极位于窄带隙材料层远离基底的一侧，且均与窄带隙材料层相接触，在源极和漏极中，至少漏极覆盖台阶，源极和漏极由金属材料形成。晶体管在关断状态时，漏极侧的能带变化平缓，缓解了漏极侧能带过度弯曲导致的势垒减薄，抑制了漏极载流子的反向隧穿，减小了关态漏电流，降低了晶体管的功耗，提高了晶体管的开关比；在导通状态时漏极侧能带的平缓变化，减少了载流子对漏极的冲击，减少了漏极的热迁移，使晶体管的结构更加可靠、使用寿命增长。
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公开(公告)号：CN106477548A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610828139.4
申请日：2016-09-18
申请人： 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC分类号： C01B32/05
摘要： 本发明提供一种碳纳米管薄膜制备方法，其包括如下步骤：1)将碳纳米管分散在溶剂中；2)衬底清洁后浸入分散有碳纳米管的溶剂中；3)提拉所述衬底直至衬底完全脱离所述有机溶剂，其中提拉速度大于2mm/min；本发明还提供依照此方法制得的碳纳米管薄膜，本发明的方法可用快速高效制备大面积均匀且密度可控的随机取向碳纳米管薄膜。
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公开(公告)号：CN113644112A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010393413.6
申请日：2020-05-11
申请人： 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 本发明公开了晶体管及制作方法。晶体管包括：基底和设置在基底上的窄带隙材料层，窄带隙材料层具有沟道区；源极和漏极，源极和漏极位于窄带隙材料层远离基底的一侧，源极和漏极均与窄带隙材料层相接触；侧墙，侧墙覆盖漏极的侧壁和源极的侧壁，并向沟道区中延伸形成台阶，侧墙至少在靠近漏极的一侧具有台阶；栅介质层，栅介质层覆盖台阶和位于源极和漏极之间的窄带隙材料层；栅极，栅极覆盖栅介质层。晶体管在关断状态时漏极侧的能带变化平缓，缓解了漏极侧能带过度弯曲导致的势垒减薄，抑制了漏极载流子的反向隧穿，减小了关态漏电流；在导通状态时漏极侧能带的平缓变化，减少了载流子对漏极的冲击，使晶体管的结构更加可靠、使用寿命增长。
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公开(公告)号：CN105932049B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201610343696.7
申请日：2016-05-23
申请人： 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/861 , H01L21/329
摘要： 本申请公开了一种纳米二极管器件及其制备方法。纳米二极管器件包括纳米半导体结构、分别位于纳米半导体结构的两端并与纳米半导体结构形成肖特基接触的两个电极、以及浮栅式电极，该浮栅式电极位于两个电极之间且与两个电极以及纳米半导体结构均是电学绝缘，其中浮栅式电极被设置为靠近两个电极中的一个电极。通过本申请的实施方式，能够在无需掺杂的情况下制备纳米二极管器件，由此实现纳米量级的二极管器件。
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