一种原子层沉积装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112501589A

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:CN202011229445.9

    申请日:2020-11-06

    IPC分类号: C23C16/455

    摘要: 本发明涉及一种原子层沉积装置,为了解决现有的热原子层沉积过程中,当沉积温度高于前驱体温度窗口上限时,沉积方式变为化学气相沉积问题,该装置包括可变温的基片台与沉积腔,实现了低温吸附、高温分解或进行反应,从而避免了原子层沉积受限于沉积窗口,拓展了原子层沉积技术前驱体的选择范围。

    一种采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法

    公开(公告)号:CN106521440B

    公开(公告)日:2019-02-15

    申请号:CN201610996213.3

    申请日:2016-11-12

    摘要: 一种采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法,属于柔性包装薄膜材料制备技术领域。本发明是以磁控溅射法在聚合物薄膜表面沉积金属缓冲层,然后经真空蒸镀工艺沉积铝膜,获得高附着力镀铝膜。该制备工艺主要包括以下步骤:在磁控溅射腔室放置聚合物薄膜并将溅射腔室抽真空至6×10‑3Pa以下;开启磁控溅射电源,沉积金属缓冲层;以沉积有金属缓冲层的聚合物薄膜为基底在蒸发镀膜机中蒸镀铝膜,获得高附着力的镀铝膜。本发明可通过磁控溅射的工艺极大地增强镀铝膜的附着性能,可获得附着力在10N/15mm以上的高附着性能镀铝膜,溅射过程清洁环保,产品附加值高,工艺简单,容易产业化。

    一种空间聚焦的圆锥形高场非对称波形离子迁移管

    公开(公告)号:CN106601583A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201611195894.X

    申请日:2016-12-22

    IPC分类号: H01J49/06 H01J49/26

    摘要: 本发明公开了一种空间聚焦的圆锥形高场非对称波形离子迁移管,包括有依次排列且同轴设置的气体入口、离子源、圆锥形分离电极対、屏蔽电极、法拉第盘检测电极对和气体出口;圆锥形分离电极对包括内、外电极,内电极为圆锥形且与外电极平行,内电极靠近离子源的一端为锥底、靠近法拉第盘检测电极对的一端为锥尖;气体入口设置在离子源的前端,气体出口设置在法拉第盘检测电极对的后端,屏蔽电极设置在圆锥形分离电极对与法拉第盘检测电极对之间。本发明可以实现大气压下离子的空间聚焦,将环状离子团汇聚为点状离子团,提高独立检测时的灵敏度;同时,用质谱替代屏蔽电极和法拉第盘检测电极,可以极大提高离子的利用效率,提高质谱的检测灵敏度。

    在薄膜表面以大分子为模板合成纳米银的方法

    公开(公告)号:CN101623763B

    公开(公告)日:2011-04-06

    申请号:CN200910089073.1

    申请日:2009-08-03

    发明人: 杨丽珍 陈强 李娟

    IPC分类号: B22F9/24

    摘要: 本发明属于纳米银合成领域,提供了在薄膜表面以大分子为模板合成纳米银的方法。本发明用介质阻挡放电装置,在真空条件下,以氨气或丙烯胺为放电单体,以氩气为辅助气体,在PET、BOPP、PE薄膜表面接枝胺基;将表面接枝胺基后的薄膜冰浴条件下滴加甲醇,再滴入丙烯酸甲酯反应;滴加乙二胺与甲醇的混合溶液反应;重复上述反应生成1.0G-5.0G的末端为胺基的聚酰胺胺树枝状大分子样品;反应完毕样品用甲醇清洗干净,放入硝酸银溶液中搅拌,取出后放入硼氢化钠溶液中搅拌,清洗后即合成了纳米银。本发明使得薄膜应用更加广泛,应用于杀菌包装,而且使得薄膜具有了贵金属纳米粒子的一些特性,广泛应用于超导、化工、光学、电子、电器等行业。

    一种原子层沉积超薄氧化铝薄膜的装置及方法

    公开(公告)号:CN101921994A

    公开(公告)日:2010-12-22

    申请号:CN201010241708.8

    申请日:2010-07-30

    IPC分类号: C23C16/40 C23C16/505

    摘要: 本发明涉及一种原子层沉积超薄氧化铝薄膜的装置及方法。本发明用双频即微波ECR加射频负偏压设备产生等离子体沉积氧化铝薄膜。用微波ECR加射频负偏压系统使工作气体产生等离子体,以三甲基铝(TMA)为单体,用TMA-Ar-O2-Ar的交替脉冲的方式用等离子体方法实现原子层沉积氧化铝薄膜,沉积温度为室温。由于采用等离子体作为活性基的产生方式,沉积可以在较低的环境温度下进行,且生长速率较热原子层沉积高,约为0.12nm/周期,制备的薄膜质量也较热原子层沉积高。所得的Al2O3薄膜可广泛地应用于微电子器件、电致发光器件、光波导器件以及抗腐蚀涂层等众多领域。

    一种具有阻隔兼防护功能的纳米薄膜及其制做方法

    公开(公告)号:CN101126148B

    公开(公告)日:2010-04-21

    申请号:CN200710119622.6

    申请日:2007-07-27

    IPC分类号: C23C14/12 C23C16/50 C23C16/52

    摘要: 一种具有阻隔兼防护功能的纳米薄膜及其制做方法属于防护薄膜及其制做技术领域,主要是提高防护薄膜性能;采用具有磁场增强装置的等离子体装置,以等离子体化学气相沉积法,以有机硅化学单体的气体为工作气体,沉积聚合在基材表面形成所述纳米薄膜,其厚度为1~1000nm,对氧气的透过率小于50ml/cm2/24h,对水蒸汽的透过率小于10g/m2/24h;磁场增强装置为永久性磁体组成的磁块组合体(12),由与左、右转辊电极(2)、(3)相应的外、内磁块组合体(13)、(14)组成,能提高等离子体区内等离子体的密度;所述纳米薄膜致密度高,阻隔性能好,不易脱落,耐腐蚀,广泛适用于食品、药品包装及功能器件等的保护层;制做方法尤其适合于基材连续卷绕式生产工艺。

    一种等离子体增强原子层沉积流化床粉体处理装置及应用

    公开(公告)号:CN114892146A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210500762.2

    申请日:2022-05-09

    摘要: 本发明提供一种等离子体增强原子层沉积流化床粉体处理装置,优于同类实验装置的配置包括:位于加热炉内部的、竖向直立设置的变径气固流化床体,在石英管中可以满足气流分布均匀使前驱体与粉体充分接触,沉积均匀;等离子体发生器,石英圆管上下两端缠绕的高压电极和地电极,在间隙中能够发生等离子体放电,将设置好参数的等离子体加入到反应过程中,既可以降低整个沉积过程的温度要求,又可以加大前躯体粒子的活性。该装置实现了低温吸附或进行反应,利用等离子体放电中产生的高能物质与前驱体发生化学反应,从而拓展了原子层沉积技术前驱体的选择范畴。可实现在较低温度下通过控制循环次数对薄膜厚度的精确控制,还可满足在复杂三维基底上保形性沉积。

    一种等离子体高阻隔纸及其制备方法

    公开(公告)号:CN113308940A

    公开(公告)日:2021-08-27

    申请号:CN202110533758.1

    申请日:2021-05-17

    摘要: 本发明属于功能纸技术领域,涉及一种等离子体高阻隔纸,包括:纸基层,等离子体阻隔层,所述纸基层为纸张包装领域用纸基,所述等离子体阻隔层,是由等离子体发生装置产生等离子体,单体进入沉积室经等离子体电离产生反应前驱体,与离解的氧化性气体混合发生化学反应,生长成纳米薄膜,沉积于纸张表面,形成的无机杂化阻隔层。本发明还涉及一种等离子体高阻隔纸制备方法。本发明通过在纸基表面直接沉积等离子体阻隔层,不需要进行纸张的预处理工艺,所制备的等离子体阻隔层薄膜致密、均匀、阻隔性能高、附着力强、不脱落,并且实现卷‑卷生产,生产成本低、沉积速度快,可广泛用于食品、药品、香烟、茶叶、干货等阻隔要求高的商品包装。

    一种快速氧化处理钙钛矿太阳电池空穴传输层的方法

    公开(公告)号:CN107195784B

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201710356715.4

    申请日:2017-05-19

    发明人: 陈强 王东栋

    IPC分类号: H01L51/42 H01L51/48

    摘要: 一种快速氧化处理钙钛矿太阳电池空穴传输层的方法,属于太阳电池技术领域。用等离子体发生装置产生稳定的氧等离子体,将钙钛矿太阳电池置于氧等离子体区域内,利用氧等离子体中活性基团与空穴传输层发生反应来迅速完成空穴传输层的功能化,并控制反应时间。该方法具有以下优点:反应过程快速、高效,并精确可控,可在几秒、十几秒内完成空穴传输层的功能化,获得较好的器件性能。与传统的在特定气体氛围内静置的方法相比,该方法工艺简单、控制性好、规模灵活,非常适宜应用在将来的工业化生产中。

    采用等离子体射流制备高阻隔薄膜的方法

    公开(公告)号:CN103882412B

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:CN201410140035.5

    申请日:2014-04-09

    IPC分类号: C23C16/505 C23C16/40

    摘要: 本发明涉及一种采用等离子体射流制备高阻隔薄膜的方法,属于阻隔薄膜制作技术领域。其特点是等离子体发生装置为常压射流式等离子体发生装置,通过输气管路引入放电气体,同时有机硅单体由载气携带进入射流枪内,与放电气体混合,在高压电极与接地射流头之间放电产生等离子体,形成纳米级薄膜气相成分,射流枪由高压电源驱动,等离子体经射流枪射流头喷出,在基材上沉积形成阻隔薄膜。本发明方法相比于其他阻隔薄膜制作工艺,生产成本低,制备速度快,操作简便,无需真空设备,在大气压条件下即可完成,对规则或不规则的基材表面均可实施薄膜沉积,同时材料便于回收利用,安全环保,可广泛用于食品行业、医药行业、真空绝热板等高阻隔层的制备。