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公开(公告)号：CN115910792A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211434790.5
申请日：2022-11-16
申请人： 北京国联万众半导体科技有限公司 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/10
摘要： 本发明公开了一种SiC沟槽MOSFET器件及其制备方法，包括如下步骤：在清洗后的SiC外延片上完成对P阱区域、N+区域、P+区域的离子注入及高温激活；在外延片对应栅区的位置通过刻蚀形成栅区沟槽；在SiC外延层上表面淀积一层二氧化硅，淀积厚度大于等于沟槽开口宽度的一半，使沟槽闭合；光刻定义侧壁剩余厚度，使用干刻设备刻蚀沟槽侧壁多余厚度的二氧化硅层，使沟槽底部氧化层厚度大于沟槽侧壁氧化层厚度并淀积多晶硅；多晶硅刻蚀及源接触孔刻蚀，保留沟槽内的多晶硅；完成源、漏端的欧姆接触和栅电极的制备。所述方法可以更好的控制槽栅氧化层的形貌，使沟槽底部氧化层厚度大于沟槽侧壁氧化层厚度，解决沟槽拐角处易提前击穿问题，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN115714141A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211434734.1
申请日：2022-11-16
申请人： 北京国联万众半导体科技有限公司 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/16 , H01L29/10 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种JFET注入型N沟道SiC MOSFET器件及其制备方法，所述方法包括如下步骤：在外延层上淀积第一介质层作为离子注入缓冲层；将JFET区上方的第二介质层刻蚀，刻蚀后进行JFET区离子注入；淀积第三介质层，再大面积刻蚀第三介质层并终止于第二介质层，腐蚀第二介质层，自对准形成P阱注入图形，进行P阱注入；再淀积第四介质层，对第四介质层进行光刻形成N型重掺杂源区图形，自对准形成沟道；腐蚀掉第三介质层与第四介质层，光刻形成P型重掺杂接触区，进行离子注入；热氧化形成栅介质层，通过LPCVD淀积多晶硅作栅极完成正面结构。所述方法避免了光刻精度不足，且光刻步骤少，易于精确控制沟道长度，并能够降低JFET电阻，提升器件性能。
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公开(公告)号：CN115719705A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211472747.8
申请日：2022-11-16
申请人： 北京国联万众半导体科技有限公司 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/16 , H01L29/78
摘要： 本发明公开了一种高迁移率的SiC MOSFET器件及其制作方法，所述方法包括如下步骤：清洗SiC外延片，清除圆片表面沾污；在圆片表面制备掩膜，之后进行P阱离子注入。进行P+和N+的注入，注入完成后退火激活注入离子；在圆片表面淀积一层poly Si，淀积结束后在氧化，并退火，生成SiO2；刻蚀掉P+区域和N+区域多余的SiO2，露出源极区域；将电极区域进行涂胶‑曝光‑显影，之后采用溅射的方法沉积金属体系，之后去除光刻胶完成正面金属化的制作；淀积一层Si3N4保护层，隔离栅源区域，并刻蚀电极区域完成正面制作。在背面溅射金属并形成背面欧姆接触，完成背面金属电极制作。所述方法可以有效减少栅中存在的碳团簇和近界面陷阱密度，使得沟道载流子迁移率明显增高，进而使得电流能力明显提升。
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公开(公告)号：CN219017662U
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202223044477.9
申请日：2022-11-16
申请人： 北京国联万众半导体科技有限公司 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本实用新型公开了一种SiC沟槽MOSFET器件，包括衬底层，所述衬底层的上侧有外延形成的N‑漂移区，所述N‑漂移区的上表面形成有栅区沟槽，所述栅区沟槽的底部和侧壁形成有二氧化硅层，所述沟槽内二氧化硅层上的剩余间隙被栅极多晶硅填充，所述栅区沟槽的左右两侧均有一个P阱区域，每个所述P阱区域上分别形成N+区域和P+区域，所述多晶硅的上表面形成有栅极，所述栅极的两端延伸到所述N+区域边缘，所述P+区域的上表面各形成有一个源极，且所述源极延伸到所述N+区域的上表面，所述衬底层的下表面形成有漏极。所述器件中沟槽底部氧化层厚度大于沟槽侧壁氧化层厚度，解决了沟槽拐角处易提前击穿问题，提高了器件可靠性。
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