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公开(公告)号：CN105006485A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510337336.1
申请日：2015-06-17
申请人： 北京大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/24 , H01L29/66 , H01L29/778
CPC分类号： H01L29/78 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/778
摘要： 本发明公开了一种基于拓扑半金属的FET和HEMT及其制备方法。本发明的场效应晶体管包括：衬底；形成在衬底上的沟道层；分别形成在沟道层上两侧的源极和漏极；形成在沟道层上源极和漏极之间的栅极；沟道层采用n型掺杂或p型掺杂的砷化镉Cd3As2材料。本发明的沟道层采用拓扑半金属Cd3As2，是一种新型的拓扑材料，其体态具有两个狄拉克锥，狄拉克点受晶体对称性保护而不会产生能隙；Cd3As2具有超高的电子迁移率，对于高质量的Cd3As2样品，室温下的电子迁移率可达1.5×104cm2/V·s，5K时可达107cm2/V·s，远远超过现有晶体管；由于Cd3As2特殊的能带结构，有望在低温下实现无耗散的弹道输运。
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公开(公告)号：CN106887520B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201510930985.2
申请日：2015-12-15
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公布了一种添加剂辅助的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，从下到上依次包括底层基板、底电极层、底层电荷收集层、活性吸光层、顶层电荷收集层和顶电极层；底电极层和顶电极层中至少一侧为透明；活性吸光层为添加剂辅助生长的钙钛矿半导体材料APbX3，其中A为烷基胺、烷基脒和碱族元素中至少一种，X为碘、溴和氯中至少一种。本发明通过在无水乙酸铅的钙钛矿溶液中加入微量添加剂的方法，调控了钙钛矿活性层的薄膜形貌和结晶性，改善了载流子的传输和收集；改善了钙钛矿太阳能电池的正反扫差异，保证了稳态输出，提高了电池效率和重复性。
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公开(公告)号：CN105006485B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201510337336.1
申请日：2015-06-17
申请人： 北京大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/24 , H01L29/66 , H01L29/778
摘要： 本发明公开了一种基于拓扑半金属的FET和HEMT及其制备方法。本发明的场效应晶体管包括：衬底；形成在衬底上的沟道层；分别形成在沟道层上两侧的源极和漏极；形成在沟道层上源极和漏极之间的栅极；沟道层采用n型掺杂或p型掺杂的砷化镉Cd3As2材料。本发明的沟道层采用拓扑半金属Cd3As2，是一种新型的拓扑材料，其体态具有两个狄拉克锥，狄拉克点受晶体对称性保护而不会产生能隙；Cd3As2具有超高的电子迁移率，对于高质量的Cd3As2样品，室温下的电子迁移率可达1.5×104cm2/V·s，5K时可达107cm2/V·s，远远超过现有晶体管；由于Cd3As2特殊的能带结构，有望在低温下实现无耗散的弹道输运。
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公开(公告)号：CN106887520A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510930985.2
申请日：2015-12-15
申请人： 北京大学
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/422 , H01L51/0077
摘要： 本发明公布了一种添加剂辅助的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，从下到上依次包括底层基板、底电极层、底层电荷收集层、活性吸光层、顶层电荷收集层和顶电极层；底电极层和顶电极层中至少一侧为透明；活性吸光层为添加剂辅助生长的钙钛矿半导体材料APbX3，其中A为烷基胺、烷基脒和碱族元素中至少一种，X为碘、溴和氯中至少一种。本发明通过在无水乙酸铅的钙钛矿溶液中加入微量添加剂的方法，调控了钙钛矿活性层的薄膜形貌和结晶性，改善了载流子的传输和收集；改善了钙钛矿太阳能电池的正反扫差异，保证了稳态输出，提高了电池效率和重复性。
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公开(公告)号：CN103454602B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310412512.4
申请日：2013-09-11
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种基于拓扑绝缘体的磁场测量计及其测量方法。本发明的磁场测量计包括：探头和分析器；其中，探头为平板状的拓扑绝缘体；分析器为磁阻信号分析器；磁场的方向垂直于拓扑绝缘体的表面；在拓扑绝缘体的表面设置有一对电流电极和一对磁阻电极，电流电极和磁阻电极在同一个方向上；磁阻电极与磁阻信号分析器相连接。拓扑绝缘体对温度不敏感，可在很大范围内使用。本发明极大地拓宽了传统的探头的磁场探测区间，并且在低温区仍工作良好，非常适合极端条件下的实验室研究，如医学中的核磁共振成像，军事中电磁脉冲弹效果的测量，以及航天中极低宇宙温度与等离子体风暴的强场等；同时结合霍尔效应，在传统领域的应用也游刃有余。
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公开(公告)号：CN103454602A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310412512.4
申请日：2013-09-11
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种基于拓扑绝缘体的磁场测量计及其测量方法。本发明的磁场测量计包括：探头和分析器；其中，探头为平板状的拓扑绝缘体；分析器为磁阻信号分析器；磁场的方向垂直于拓扑绝缘体的表面；在拓扑绝缘体的表面设置有一对电流电极和一对磁阻电极，电流电极和磁阻电极在同一个方向上；磁阻电极与磁阻信号分析器相连接。拓扑绝缘体对温度不敏感，可在很大范围内使用。本发明极大地拓宽了传统的探头的磁场探测区间，并且在低温区仍工作良好，非常适合极端条件下的实验室研究，如医学中的核磁共振成像，军事中电磁脉冲弹效果的测量，以及航天中极低宇宙温度与等离子体风暴的强场等；同时结合霍尔效应，在传统领域的应用也游刃有余。
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