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公开(公告)号：CN114774114B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210343092.8
申请日：2022-04-02
Applicant: 北京大学
IPC: C09K11/58 , B82Y40/00 , B82Y20/00 , H01L31/032 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种AgBiS2量子点超晶格的制备方法及其光电探测器。本发明通过调节反应条件获得高质量的AgBiS2量子点，随后通过后处理的工艺方法，赋予AgBiS2量子点“靶向”功能，随后通过自组装策略，将单个AgBiS2量子点自组装成超晶格；能将纳米级的性能转移到更大的尺寸，同时具有优于单个量子点的集体性质；随后将量子点超晶格作为光电探测器的功能层，通过添加界面修饰层，钝化器件的界面缺陷，优化器件的能级结构，最终获得高灵敏度、高信噪比、绿色环保的AgBiS2量子点光电探测器；AgBiS2量子点超晶格光电探测器没有重金属元素，整个器件采用溶液加工的方法，制作成本低，同时具有的高的稳定性以及优异的器件性能，因此具有很好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN106887520A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510930985.2
申请日：2015-12-15
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/422 , H01L51/0077
Abstract: 本发明公布了一种添加剂辅助的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，从下到上依次包括底层基板、底电极层、底层电荷收集层、活性吸光层、顶层电荷收集层和顶电极层；底电极层和顶电极层中至少一侧为透明；活性吸光层为添加剂辅助生长的钙钛矿半导体材料APbX3，其中A为烷基胺、烷基脒和碱族元素中至少一种，X为碘、溴和氯中至少一种。本发明通过在无水乙酸铅的钙钛矿溶液中加入微量添加剂的方法，调控了钙钛矿活性层的薄膜形貌和结晶性，改善了载流子的传输和收集；改善了钙钛矿太阳能电池的正反扫差异，保证了稳态输出，提高了电池效率和重复性。
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公开(公告)号：CN105140401A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510441660.8
申请日：2015-07-24
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4253 , H01L51/0002
Abstract: 本发明提供一种基于多孔有机或有机无机杂化骨架支撑的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。这种方法是通过将钙钛矿前驱体液渗透、填充于多孔有机或有机无机杂化材料骨架中形成活性吸光层，然后将两个电极直接夹叠在该活性吸光层两侧而制备成钙钛矿太阳能电池。从而实现极大地简化制备工艺、减少制备时间并避免高温烧结的目的。与现有方法相比，本发明可选有机或有机无机杂化材料骨架种类多，器件结构和制备工艺简单，制备成本和时间减少，可采用常温或较低温度的条件，适合柔性太阳能电池的制备以及大规模生产。
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公开(公告)号：CN116940131A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311139399.7
申请日：2023-09-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法。本发明提供的钙钛矿太阳能电池，包括层叠的透明基底、自组装单分子层、吸光层、电子传输层、界面缓冲层和导电层；所述自组装单分子层为由含有咔唑基团的膦酸衍生物组成的薄膜；所述吸光层为钙钛矿薄膜，所述钙钛矿薄膜中包括含有咔唑基团的膦酸衍生物。本发明以作为自组装单分子层主要原料的含有咔唑基团的膦酸衍生物作为钙钛矿溶液的添加剂，含有咔唑基团的膦酸衍生物在调控钙钛矿结晶性能的同时还可以进入自组装单分子层，从而提高自组装单分子层的密度减少自组装单分子层的缺陷，抑制非光活性杂相的生成，提升电池光电转换效率。
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公开(公告)号：CN114774114A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210343092.8
申请日：2022-04-02
Applicant: 北京大学
IPC: C09K11/58 , B82Y40/00 , B82Y20/00 , H01L31/032 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种AgBiS2量子点超晶格的制备方法及其光电探测器。本发明通过调节反应条件获得高质量的AgBiS2量子点，随后通过后处理的工艺方法，赋予AgBiS2量子点“靶向”功能，随后通过自组装策略，将单个AgBiS2量子点自组装成超晶格；能将纳米级的性能转移到更大的尺寸，同时具有优于单个量子点的集体性质；随后将量子点超晶格作为光电探测器的功能层，通过添加界面修饰层，钝化器件的界面缺陷，优化器件的能级结构，最终获得高灵敏度、高信噪比、绿色环保的AgBiS2量子点光电探测器；AgBiS2量子点超晶格光电探测器没有重金属元素，整个器件采用溶液加工的方法，制作成本低，同时具有的高的稳定性以及优异的器件性能，因此具有很好的市场应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110993798B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201911324787.6
申请日：2019-12-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种基于多种铵盐协同后处理的钙钛矿型太阳能电池及其制备方法，其中作为吸光活性层的钙钛矿层在成膜之后被多种铵盐的混合溶液处理，通过添加的各种铵盐的协同扩散作用，以钝化的方式抑制薄膜中的非辐射复合；同时不同种类的铵盐在薄膜中渗透后的分布也呈现出不同的梯度分布，实现了薄膜能带结构的梯度优化，并实现了不同梯度的缺陷钝化，减少光生载流子的非辐射复合，最终提升器件的开路电压与填充因子。通过多种铵盐混合溶液后处理的钙钛矿太阳能电池具有较高的光电转换效率和良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN118317658A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410444145.4
申请日：2024-04-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属于光电器件技术领域，具体涉及一种改性AgBiS2量子点薄膜及制备方法和应用、光电器件及制备方法。本发明提供的改性AgBiS2量子点薄膜的制备方法，包括以下步骤：将短链配体溶解于含有卤素的极性溶剂中，得到短链配体溶液；将AgBiS2量子点薄膜和所述短链配体溶液混合进行固相配体交换，得到改性AgBiS2量子点薄膜；形成所述AgBiS2量子点薄膜使用的AgBiS2量子点的表面配体为长链配体。以含有卤素的极性溶剂制备短链配体溶液在进行固相配体交换过程中能够很好的诱导短链配体与量子点中长链配体发生交换，所制备的改性量子点薄膜表面含有少量有机配体和缺陷，从而提高其在光电器件应用中的性能。
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公开(公告)号：CN117417743A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311270109.2
申请日：2023-09-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于液相配体交换的AgBiS2量子点及其太阳能电池的制备方法。本发明通过调节反应条件，实现了尺寸极其均匀的高度单分散AgBiS2量子点，这些高度单分散AgBiS2量子点导致了更高程度的液相配体交换，极大地促进了AgBiS2量子点之间载流子的分离与传输，从而能够构筑高性能的AgBiS2量子点太阳能电池；相比较于传统的层层旋涂固态制膜工艺制备AgBiS2量子点太阳能电池，本发明大大简化了AgBiS2量子点太阳能电池的制膜工艺，降低太阳能电池的构筑成本，并显著提升了AgBiS2量子点薄膜的导电性，极大降低了层层旋涂工艺对薄膜的破坏，能够更好的适应于高性能AgBiS2量子点太阳能电池工业化的生产。
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公开(公告)号：CN117320462A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311531869.4
申请日：2023-11-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法。本发明提供了一种钙钛矿太阳能电池，包括依次层叠设置的透明导电基底、空穴阻挡层、电子传输层、钙钛矿层、界面修饰层、空穴传输层和金属电极层；所述界面修饰层中包括修饰材料，所述修饰材料具有咔唑基团和膦酸基团。在本发明中，所述修饰材料可以通过分子间作用力在钙钛矿层表面形成一层薄膜，其特定的芳胺基团和锚定基团可以和钙钛矿层中的缺陷相互作用，钝化表面缺陷，同时其中的共轭长链可以提高器件的稳定性，进一步实现缺陷的钝化，从而改善钙钛矿层薄膜及其与电子传输层之间的界面质量，提高光电转化效率。
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公开(公告)号：CN117042479A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311036753.3
申请日：2023-08-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种高导电性透明导电电极及其制备方法和应用，属于光电功能器件技术领域。本发明提供的高导电性透明导电电极包括透明衬底，所述透明衬底表面具有图案化凹槽；嵌于所述图案化凹槽中的金属栅线，所述金属栅线的高度大于所述图案化凹槽的深度；覆盖所述金属栅线和透明衬底表面的金属联结层；位于所述金属联结层表面的金属氧化物层，所述金属氧化物为所述金属联结层的氧化物。本发明利用金属栅线与金属联结层、金属氧化物层结合的方式极大地提高透明电极的导电性。同时，金属栅线微凸起的结构可以增大入射光在钙钛矿太阳能电池内部的散射以及吸光层的表面积，减小因为栅线遮光导致的光电流损失。
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