公开(公告)号：CN111932650B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202010794182.X

申请日：2020-08-10

申请人： 北京大学深圳研究生院

发明人： 张健 ,  谢静芬 ,  张振宇

IPC分类号： G06T11/00 ,  G06N3/045 ,  G06N3/084

摘要： 一种基于高通量深度展开网络的核磁共振图像重建方法，通过设计了一个高通量深度展开网络来进行训练和重建，该方法包括以下步骤：步骤1构造训练数据集、步骤2构造高通量深度展开网络、步骤3高通量深度展开网络训练过程、步骤4应用训练好的高通量深度展开网络进行压缩感知磁共振图像重建过程；本发明的基于高通量深度展开网络的压缩感知核磁共振成像方法可以从观测到的K空间亚采样数据中重建出高质量的核磁共振图像，具有更快的重建速度和更高的重建精度和更好的可解释性。

公开(公告)号：CN111932650A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010794182.X

申请日：2020-08-10

申请人： 北京大学深圳研究生院

发明人： 张健 ,  谢静芬 ,  张振宇

IPC分类号： G06T11/00 ,  G06K9/62 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08 ,  G06F17/14

摘要： 一种基于高通量深度展开网络的核磁共振图像重建方法，通过设计了一个高通量深度展开网络来进行训练和重建，该方法包括以下步骤：步骤1构造训练数据集、步骤2构造高通量深度展开网络、步骤3高通量深度展开网络训练过程、步骤4应用训练好的高通量深度展开网络进行压缩感知磁共振图像重建过程；本发明的基于高通量深度展开网络的压缩感知核磁共振成像方法可以从观测到的K空间亚采样数据中重建出高质量的核磁共振图像，具有更快的重建速度和更高的重建精度和更好的可解释性。

公开(公告)号：CN113193038B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202110354525.5

申请日：2021-04-01

申请人： 北京大学

发明人： 王新强 ,  杨流云 ,  郭镛彬 ,  王平 ,  刘放 ,  魏嘉琪 ,  王锦林 ,  叶昊天 ,  张振宇 ,  沈波

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/205 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种p型沟道的III‑V族材料异质结构和HEMT器件及制备方法。本发明的p型沟道的III‑V族异质结构包括：衬底、缓冲层、势阱层、二维空穴气和势垒层，二维空穴气为极化诱导形成，无需掺杂；本发明的HEMT器件中的二维空穴气距离异质结构的表面近，能够实现器件的有效栅控；势垒层厚度薄，有利于形成平整的异质结界面，减小缺陷和粗糙度，提高二维空穴气的迁移率；异质结构中二维空穴气的浓度和距外延表面的距离皆可调，能够根据应用需求灵活设计。

公开(公告)号：CN113193038A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202110354525.5

申请日：2021-04-01

申请人： 北京大学

发明人： 王新强 ,  杨流云 ,  郭镛彬 ,  王平 ,  刘放 ,  魏嘉琪 ,  王锦林 ,  叶昊天 ,  张振宇 ,  沈波

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/205 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种p型沟道的III‑V族材料异质结构和HEMT器件及制备方法。本发明的p型沟道的III‑V族异质结构包括：衬底、缓冲层、势阱层、二维空穴气和势垒层，二维空穴气为极化诱导形成，无需掺杂；本发明的HEMT器件中的二维空穴气距离异质结构的表面近，能够实现器件的有效栅控；势垒层厚度薄，有利于形成平整的异质结界面，减小缺陷和粗糙度，提高二维空穴气的迁移率；异质结构中二维空穴气的浓度和距外延表面的距离皆可调，能够根据应用需求灵活设计。