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公开(公告)号：CN118248533B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410671826.4
申请日：2024-05-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基氮化物半导体异质结构的制备方法。本发明通过将在单晶二维材料/单晶衬底上外延制备的单晶氮化物半导体结构剥离转移至多晶金刚石层/高散热能力支撑层，解决了金刚石复合衬底表面缺少单晶氮化物半导体结构外延所需长程有序界面的问题，能够按需制备出金属晶格极性或氮晶格极性的氮化物异质结构，得到高质量且低热阻的金刚石基氮化物半导体异质结构，同时精细的结构设计与工艺方案使得单晶氮化物半导体结构与多晶金刚石层/高散热能力支撑层间具有陡峭界面，能够降低界面热阻，并提升单晶氮化物半导体结构热管理能力，具有材料晶体质量高和尺寸扩展能力强等优点，应用于大功率且高频率电子器件制备。
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公开(公告)号：CN118248533A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410671826.4
申请日：2024-05-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基氮化物半导体异质结构的制备方法。本发明通过将在单晶二维材料/单晶衬底上外延制备的单晶氮化物半导体结构剥离转移至多晶金刚石层/高散热能力支撑层，解决了金刚石复合衬底表面缺少单晶氮化物半导体结构外延所需长程有序界面的问题，能够按需制备出金属晶格极性或氮晶格极性的氮化物异质结构，得到高质量且低热阻的金刚石基氮化物半导体异质结构，同时精细的结构设计与工艺方案使得单晶氮化物半导体结构与多晶金刚石层/高散热能力支撑层间具有陡峭界面，能够降低界面热阻，并提升单晶氮化物半导体结构热管理能力，具有材料晶体质量高和尺寸扩展能力强等优点，应用于大功率且高频率电子器件制备。
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公开(公告)号：CN118231545A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410660149.6
申请日：2024-05-27
Applicant: 北京大学 , 广东中图半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种图形化氮化铝复合衬底及其制备方法。本发明通过在耐高温衬底上制备出具有半悬空AlN结构的单晶氮化铝，通过光学介质材料覆盖单晶氮化铝的非悬空状态的AlN且暴露悬空状态的AlN，以周期性分布的具有低位错密度和低失配应力的悬空状态的AlN表面作为氮化物半导体的成核生长区域，将外延界面从AlN/耐高温衬底变为氮化物半导体与AlN的同质或近同质界面，得到能够大幅降低外延结构位错密度和失配应力且提高氮化物半导体LED器件性能的图形化氮化铝复合衬底，与现有材料和器件体系兼容，制备成本低，适用于大规模生产氮化物半导体LED器件的衬底，用于制备氮化物半导体可见光或紫外光LED。
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公开(公告)号：CN117535790A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202410033428.X
申请日：2024-01-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于声表面波原位注入的分子束外延生长台及其实现方法。本发明的分子束外延生长台包括声表面波发生器和供电支架；本发明的分子束外延生长台能够直接应用于真空分子外延生长设备中生长半导体晶体，供电支架为表面波发生基底以无线射频形式提供设定频率的交流电信号，在分子外延生长的过程中原位产生声表面波，从而实现声表面波辅助的半导体晶体的分子束外延生长；并且，压电半导体薄膜采用具有良好耐热性的材料，能够在高温正常工作；本发明设计的结构能够很好与当前商用分子外延生长设备兼容，在无需改装生长腔体的情况下原位产生声表面波，从而辅助分子外延生长。
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公开(公告)号：CN116031277B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310082708.5
申请日：2023-02-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物全彩微型发光二极管显示芯片及其制备方法。本发明的显示芯片单元包含红光、绿光和蓝光微型发光二极管显示像素，极大地简化三基色微型发光二极管向显示面板的转移工艺，提高了显示面板的成品率；三基色微型发光二极管显示像素集中分布在同一芯片单元上，便于缩小三基色像素之间的间距，增强混光效果；同时单片集成芯片提高了发光区域的面积占比，有利于提高微型发光二极管显示器的分辨率；三基色微型发光二极管由相同材料构成，并在同一衬底上外延制备获得，三基色微型发光二极管独立可控，有利于提高芯片间的发光一致性和显色性能；与现有的发光二极管的芯片工艺流程兼容，易于将本发明直接应用到大规模的工业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116759502A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202311069998.6
申请日：2023-08-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/28 , H01L33/34 , H01L25/075
Abstract: 本发明提供了一种II型超晶格全彩微型发光二极管显示芯片，包括：至少一个芯片单元；所述芯片单元包括：依次排布的第一N型导电层、红光II型超晶格层、第一P型导电层、绿光II型超晶格层、第二N型导电层、蓝光II型超晶格层和第二P型导电层，所述第一N型导电层在最底层，所述二P型导电层在最上层；所述红光II型超晶格层、绿光II型超晶格层和蓝光II型超晶格层由第一半导体材料和第二半导体材料周期排列构成。本发明解决了II型异质结作为发光二极管有源区时电子空穴复合效率较低的问题，扩充了全彩微型发光二极管显示芯片的材料选择范围。
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公开(公告)号：CN116153244B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310180268.7
申请日：2023-02-15
Applicant: 北京大学
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明公开了一种用于LED驱动的PWM和PAM复合型显像方法。本发明合成的电流驱动信号用于图像灰度数据的显示，高位灰度数据的循环显示提升了显示刷新率；在低灰度图像显示时，设定最小脉宽阈值，当输入图像的灰度数据小于幅值调整阈值脉宽对应的灰度数据时，不再减小电流脉冲宽度，而是调整电流脉冲幅值；通过对低灰度图像数据的电流脉冲幅值和电流脉冲宽度的混合调制，提高了低灰度图像的显示刷新率，并避免了低灰度图像显示时的“麻点”效应，提高了显示效果；本发明通过电流脉冲宽度和电流脉冲幅度的混合调制方式，提高了在显示低灰度图像时的刷新率，使得显示效果稳定；避免了在显示低灰度图像时的“麻点”效应，使得显示效果良好。
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公开(公告)号：CN116497455A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310781440.4
申请日：2023-06-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种调控铁电畴尺寸的氮化物铁电半导体的制备方法。本发明利用氮化物铁电半导体在二维晶体与衬底上生长时成核密度的差异，通过在氮化物铁电半导体与衬底之间插入多层图形化的二维晶体复合结构，实现铁电畴尺寸可调制的高效氮化物铁电半导体，并避免了失效层的形成；同时利用二维晶体的层间范德瓦尔斯力作用结合力弱的特点，有效释放单个铁电畴中的应力，同时释放铁电畴与衬底之间异质界面的强耦合作用，进一步提升铁电性的稳定性和可靠性；更进一步，采用本发明的方法外延生长的氮化物铁电半导体，能够用于制备高性能电子器件、铁电存储器、光电器件、声学器件和非线性光子器件等。
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公开(公告)号：CN116189608A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310179219.1
申请日：2023-02-16
Applicant: 北京大学
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明公开了一种LED显示屏消除毛毛虫与拖影现象并提高刷新率的方法。本发明通过对高、低位灰度数据的混合分组，针对低位灰度数据分组，高位灰度数据穿插分组的处理方式，实现了显示刷新率均匀的提升，解决了显示屏低灰显示刷新率降低的问题，提高了画面稳定性与流畅度；在不改变整体显示效果的前提下，实现了较好的分组打散，优化低灰显示，节省了行消隐时间，大大的提高了刷新率，增强了视觉效果，有效降低图像闪烁，提升了画面稳定性；本发明采用仅通过增加一个接地的行消隐共享电容的方法，缩短行消隐时间、避免短路毛毛虫现象的发生；不需要专用的产生消隐电压的电路模块，减小了整体的功耗，节约了面积和成本；相比于单脉冲的显示方式。
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公开(公告)号：CN113193037A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110354520.2
申请日：2021-04-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种Ga2O3基共振隧穿二极管及其制备方法。本发明采用Ga2O3有源区双势垒结构，集电极势垒层的Al组分大于发射极势垒层的Al组分，使得具有超大的禁带宽度和击穿场强，在更高电压下会出现更多微分负阻现象，器件更适合高功率工作并提高了峰谷电流比值；利用Ga2O3材料具有无自发极化的特点，极大弱化发射极产生电荷积累区和集电极产生电荷耗尽区，提高器件的稳定性；采用(AlxGa1‑x)2O3/Ga2O3双势垒结构导带能量偏移大，有效减小越过势垒的热电子发射电流等非隧穿电流机制，提高器件的输出功率。
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