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公开(公告)号:CN113193038A
公开(公告)日:2021-07-30
申请号:CN202110354525.5
申请日:2021-04-01
申请人: 北京大学
IPC分类号: H01L29/06 , H01L29/205 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要: 本发明公开了一种p型沟道的III‑V族材料异质结构和HEMT器件及制备方法。本发明的p型沟道的III‑V族异质结构包括:衬底、缓冲层、势阱层、二维空穴气和势垒层,二维空穴气为极化诱导形成,无需掺杂;本发明的HEMT器件中的二维空穴气距离异质结构的表面近,能够实现器件的有效栅控;势垒层厚度薄,有利于形成平整的异质结界面,减小缺陷和粗糙度,提高二维空穴气的迁移率;异质结构中二维空穴气的浓度和距外延表面的距离皆可调,能够根据应用需求灵活设计。
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公开(公告)号:CN110429135B
公开(公告)日:2021-03-02
申请号:CN201910628709.9
申请日:2019-07-12
申请人: 北京大学
IPC分类号: H01L29/778 , H01L21/335
摘要: 本发明提供了一种向GaN基异质结构二维电子气中注入自旋的方法和结构,属于半导体自旋电子学技术领域。该方法通过制备AlN/GaN异质结构,控制AlN厚度在1‑3nm左右,使AlN同时作为势垒层和隧穿层注入自旋。本发明可以极大的提高向GaN基异质结构中二维电子气中注入自旋的效率,推进GaN基异质结构中二维电子气的自旋性质的研究,得到性质优良的自旋电子学器件。
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公开(公告)号:CN113193038B
公开(公告)日:2022-08-26
申请号:CN202110354525.5
申请日:2021-04-01
申请人: 北京大学
IPC分类号: H01L29/06 , H01L29/205 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要: 本发明公开了一种p型沟道的III‑V族材料异质结构和HEMT器件及制备方法。本发明的p型沟道的III‑V族异质结构包括:衬底、缓冲层、势阱层、二维空穴气和势垒层,二维空穴气为极化诱导形成,无需掺杂;本发明的HEMT器件中的二维空穴气距离异质结构的表面近,能够实现器件的有效栅控;势垒层厚度薄,有利于形成平整的异质结界面,减小缺陷和粗糙度,提高二维空穴气的迁移率;异质结构中二维空穴气的浓度和距外延表面的距离皆可调,能够根据应用需求灵活设计。
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公开(公告)号:CN110172732A
公开(公告)日:2019-08-27
申请号:CN201910468538.8
申请日:2019-05-31
申请人: 北京大学
摘要: 本发明公开了一种利用过渡金属氮化物牺牲层制备氮化物单晶衬底的方法。本发明通过在氮化物单晶厚膜与氮化物模板之间引入六方晶体结构对称性的β相过渡金属氮化物牺牲层,利用过渡金属氮化物牺牲层与氮化物单晶厚膜的晶向匹配、晶格失配小、能够选择性刻蚀的特点,采用选择性刻蚀方法实现氮化物单晶厚膜与氮化物模板的分离,得到大尺寸、高质量的自支撑氮化物单晶衬底;本发明易于在过渡金属氮化物牺牲层上直接成核生长高质量氮化物单晶厚膜,无需引入额外工序辅助氮化物单晶厚膜成核,简化工艺流程;无需采用复杂的激光剥离技术,氮化物模板可重复使用,降低剥离工艺难度及成本,提高成品率;设备简单,能耗低,易操作,适合产业化生产。
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公开(公告)号:CN107706245B
公开(公告)日:2020-01-07
申请号:CN201711120075.3
申请日:2017-11-14
申请人: 北京大学
IPC分类号: H01L29/88 , H01L21/336 , H01L29/20
摘要: 本发明公开了一种氮化物平面结构共振隧穿二极管及其制备方法。本发明的共振隧穿二极管包括:衬底、发射极掺杂层、发射极非掺隔离层、双势垒结构、集电极非掺隔离层、集电极掺杂层、发射极电极、集电极电极以及钝化层;本发明采用自对准工艺,并且在光刻胶掩膜制备过程中进行过度曝光与过度显影,显著降低了结面积,减少了器件内漏电通道数目,提高了器件稳定性;发射极电极和集电极电极形成平面结构,避免了刻蚀损伤对电极接触的不利影响;全过程仅需两次光刻,有效降低了工艺难度,加快了研发进程。
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公开(公告)号:CN107706245A
公开(公告)日:2018-02-16
申请号:CN201711120075.3
申请日:2017-11-14
申请人: 北京大学
IPC分类号: H01L29/88 , H01L21/336 , H01L29/20
摘要: 本发明公开了一种氮化物平面结构共振隧穿二极管及其制备方法。本发明的共振隧穿二极管包括:衬底、发射极掺杂层、发射极非掺隔离层、双势垒结构、集电极非掺隔离层、集电极掺杂层、发射极电极、集电极电极以及钝化层;本发明采用自对准工艺,并且在光刻胶掩膜制备过程中进行过度曝光与过度显影,显著降低了结面积,减少了器件内漏电通道数目,提高了器件稳定性;发射极电极和集电极电极形成平面结构,避免了刻蚀损伤对电极接触的不利影响;全过程仅需两次光刻,有效降低了工艺难度,加快了研发进程。
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公开(公告)号:CN115911094A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202211443885.3
申请日:2022-11-18
申请人: 北京大学
IPC分类号: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/778 , H10B51/30 , H01L21/335
摘要: 本发明公开了一种基于外延技术的三端铁电存储器及其制备方法。本发明利用外延技术实现高质量的铁电介质层和沟道;通过插入层、阻挡层和高阻缓冲层的引入,大大降低了铁电存储器的漏电问题,使得该器件具有更好的稳定性和耐受性,提升器件的寿命,降低器件的产热和功耗;利用ScAlN铁电介质层作为铁电功能层的同时,与GaN形成异质结,以异质结的界面作为沟道,相比于传统铁电存储器沟道和铁电介质层分离的结构,简化了工艺步骤;并且由于异质结沟道中载流子浓度和载流子迁移率远大于传统铁电存储器中的半导体沟道,使得本发明中的三端铁电存储器具有更高的功率密度和更好的高频特性,能够被用于射频和大功率电路等领域。
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公开(公告)号:CN110429135A
公开(公告)日:2019-11-08
申请号:CN201910628709.9
申请日:2019-07-12
申请人: 北京大学
IPC分类号: H01L29/778 , H01L21/335
摘要: 本发明提供了一种向GaN基异质结构二维电子气中注入自旋的方法和结构,属于半导体自旋电子学技术领域。该方法通过制备AlN/GaN异质结构,控制AlN厚度在1-3nm左右,使AlN同时作为势垒层和隧穿层注入自旋。本发明可以极大的提高向GaN基异质结构中二维电子气中注入自旋的效率,推进GaN基异质结构中二维电子气的自旋性质的研究,得到性质优良的自旋电子学器件。
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