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公开(公告)号:CN109859792B
公开(公告)日:2021-05-04
申请号:CN201811593345.7
申请日:2018-12-25
Applicant: 北京大学
IPC: G11C16/34
Abstract: 本发明公开一种阈值电压分布预测方法及装置,该方法包括:对固态硬盘进行递增阶跃脉冲编程,统计擦除单元数、每个编程态对应的初始单元数及初始阈值电压分布信息;为每个编程态分配感知电压;保持一定时长,根据擦除单元数、每个编程态对应的初始单元数及感知电压,分别获取每个编程态对应的感知单元数;根据保持噪声模型、每个编程态对应的感知单元数及初始阈值电压分布信息,分别确定每个编程态对应的保持阈值电压分布信息。本发明基于保持噪声模型,对于每个编程态,只需要一次电压感知操作即可还原每个编程态的阈值电压分布信息,实现阈值电压分布的精准快速预测,为读电压优化及ECC的设计提供指导。
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公开(公告)号:CN109859792A
公开(公告)日:2019-06-07
申请号:CN201811593345.7
申请日:2018-12-25
Applicant: 北京大学
IPC: G11C16/34
Abstract: 本发明公开一种阈值电压分布预测方法及装置,该方法包括:对固态硬盘进行递增阶跃脉冲编程,统计擦除单元数、每个编程态对应的初始单元数及初始阈值电压分布信息;为每个编程态分配感知电压;保持一定时长,根据擦除单元数、每个编程态对应的初始单元数及感知电压,分别获取每个编程态对应的感知单元数;根据保持噪声模型、每个编程态对应的感知单元数及初始阈值电压分布信息,分别确定每个编程态对应的保持阈值电压分布信息。本发明基于保持噪声模型,对于每个编程态,只需要一次电压感知操作即可还原每个编程态的阈值电压分布信息,实现阈值电压分布的精准快速预测,为读电压优化及ECC的设计提供指导。
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公开(公告)号:CN109857607A
公开(公告)日:2019-06-07
申请号:CN201811583676.2
申请日:2018-12-24
Applicant: 北京大学
IPC: G06F11/26
Abstract: 本发明公开一种NAND Flash固态硬盘的可靠性检测方法及装置,该方法包括:获取待检测固态硬盘对应的位图;根据所述位图和预先训练的神经网络模型,对所述待检测固态硬盘进行可靠性检测。本发明将位图分析与神经网络结合起来,通过预先训练的神经网络模型自动检测待检测固态硬盘对应的位图的可靠性,位图与待检测固态硬盘包括的存储块一一对应,实现对固态硬盘包括的每个存储块进行快速的可靠性分析,大大提高了可靠性分析的速度及效率,缩短了固态硬盘的测试周期,缩短了产品周期,节约了成本。
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