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公开(公告)号：CN116437231A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310296074.3
申请日：2023-03-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请公开了一种像素级空间差分获取电路、方法及图像传感器阵列。本申请实施例提供的像素级空间差分获取电路，包括比较器以及多个电流型乘法运算单元，每一所述电流型乘法运算单元的正电流输出端连接所述比较器的第一输入端，每一所述电流型乘法运算单元的负电流输出端连接所述比较器的第二输入端，能够通过像素级电流读出和列级的电流型空间差分计算电路实现对像素信号的空间差分计算，可以应用在边缘检测等空间信息压缩算法中，减小图像传感器不必要的数据搬移带来的带宽和功耗的消耗。
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公开(公告)号：CN116073798A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211627357.3
申请日：2022-12-16
Applicant: 北京大学 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心) , 国网冀北电力有限公司
Abstract: 本发明提供一种存内计算延时单元和存内计算装置，涉及存内计算技术领域，所述存内计算延时单元包括：输入反相器、输出反相器和多个电流镜模块；输入反相器和输出反相器串联；电流镜模块的第一控制端接电源或接地，多个电流镜模块的第二控制端接同一偏置电压信号，多个电流镜模块的第三端均与输入反相器中的驱动管的源极相连；其中，在偏置电压信号的控制下，多个电流镜模块分别对应的延迟时长之间的比例与多个电流镜模块的晶体管尺寸之间的比例相同；电流镜模块对应的延迟时长为：电流镜模块的第一控制端接电源时，输入反相器的输入脉冲信号和输出反相器的输出脉冲信号之间的延迟时长。本发明可以实现高线性度延时调控的目的。
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公开(公告)号：CN108493202B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201810102547.0
申请日：2018-02-01
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 一种适应亚微米像素的UTBB光电探测元件及装置，其中，所述UTBB光电探测元件包括：UTBB结构与设置在所述UTBB结构上表面的场效应晶体管，其特点是具有不对称的源端、漏端区域，通过光生载流子对所述场效应晶体管的阈值电压产生的影响，从而根据漏端电流间接评估光照强度。本发明的优点为，在微观结构上，单个像素单元内仅包括一个晶体管，减小了单个像素单元的体积，像素单元采用“槽”隔离方式，降低了串扰，衬底结构可采用均匀掺杂，简化了工艺和注入工艺所引起的元件损伤。在宏观结构上，探测元件阵列的组成方式与现有SOI MOSFET工艺相兼容，便于阵列化时序设计，使其更适合于亚微米像素。
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公开(公告)号：CN103185842B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201110452057.1
申请日：2011-12-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于测量大规模阵列器件统计涨落的电路，涉及微电子半导体技术领域，所述电路包括：待测器件阵列、用于选择所述待测器件阵列中每个待测单元的选中逻辑模块、以及电学参数测量模块，所述电学参数测量模块，用于测量所述待测器件阵列中所有待测单元分别在不同漏极电压和栅极电压下的直流电学特性。本发明通过设置电学参数测量模块，实现了在不大幅增加电路的复杂度的前提下，一次选中一个器件进行测量，以提高统计涨落的精确度。
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公开(公告)号：CN102680884A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210156922.2
申请日：2012-05-18
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种用于测量大规模阵列器件特性的电路，涉及微电子半导体技术领域，所述电路包括：待测器件阵列、用于选择所述待测器件阵列中每个待测单元的选中逻辑模块、电平转换模块以及电学参数测量模块，所述电平转换模块用于将外部电压源加在待测器件阵列中所有待测单元上，从而控制所述待测单元的栅极电压；所述电学参数测量模块，用于测量所述待测器件阵列中所有待测单元分别在不同漏极电压和栅极电压下的直流电学特性。本发明通过设置电学参数测量模块，实现了在不大幅增加电路的复杂度的前提下，一次选中一个器件进行直流电学特性的测量，另外，在不改变电路结构的前提下，同时适用于NMOS和PMOS阵列的测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102290983A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110162462.X
申请日：2011-06-16
Applicant: 北京大学
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明公开了一种电荷泵，涉及集成电路技术领域。该电荷泵包括：第一电荷泵电路，以电源电压以及两相时钟信号为输入，用于将电源电压提升至第一设定电压值并输出；时钟信号电压转换电路，以所述第一电荷泵电路的输出电压以及所述两相时钟信号为输入，用于将所述两相时钟信号的摆幅提升至所述输出电压，并输出提升后的两相时钟信号；第二电荷泵电路，以所述第一电荷泵电路的输出电压、所述两相时钟信号以及所述提升后的两相时钟信号为输入，用于将所述输出电压提升至第二设定电压值并输出。本发明的电荷泵采用两级结构，提高后一级电荷泵电路的时钟幅度，从而提高了电荷泵整体输出电压上升速度，并能提供更高的输出电压。
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公开(公告)号：CN102082561A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201110050897.5
申请日：2011-03-03
Applicant: 北京大学
IPC: H03K3/012
Abstract: 本发明公开了一种SOI时钟双边沿静态D触发器，包括：上通道和下通道两条数据通道，所述上通道包括N型MOS管TN1、TN2，反相器INV1、INV2、INV3以及CMOS传输门TG1；所述下通道包括N型MOS管TN3、TN4，反相器INV2、INV3、INV4以及CMOS传输门TG2。本发明提出了一种基于SOI的时钟双边沿静态D触发器。实验数据显示，和体硅工艺实现的CMOS器件相比，SOI工艺实现的电路可以减小功耗达81.25％。与现有的三种触发器相比，能节省功耗达71.58％。而且相较于单边沿触发器，在同样的时钟频率下能够使得输入处理速率加快一倍。
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公开(公告)号：CN101236572B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200710002980.9
申请日：2007-01-30
Applicant: 北京大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种不依赖于具体的半导体器件模型的自适应参数提取方法，这种方法的输入文件中不仅包含器件测试数据和提取流程控制代码，而且将待提取的模型公式整理为C语言子函数代码，结合待提取的模型参数列表形成一个输入文件，然后按照输入文件中制定的提取流程，采用控制搜索类算法进行参数提取，同时进行进度监控，在整个提取流程结束后，输出模型参数，生成对应的器件模型文件。本发明实现了半导体器件模型自适应性参数提取，不需要对参数提取系统进行重新的组织就可以快速的应用到新的半导体器件解析模型和半解析模型中。
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公开(公告)号：CN100390901C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200610011766.5
申请日：2006-04-21
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G11C11/409 , G11C11/22
Abstract: 本发明提供一种铁电动态随机存储器单管单元阵列的编程方法，属于半导体集成电路设计和制造技术领域。该方法在对选中单元进行编程操作的过程中，对非选中单元的字线、位线和源线都施加禁止编程电压，使实现单管单元阵列结构可加的编程电压的范围进一步增大，从而获得更大的存储窗口，对铁电材料本身来说也更容易实现。
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公开(公告)号：CN111063702B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201911108333.5
申请日：2019-11-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请公开了一种UTBB光电探测器像素单元、阵列和方法，包括：硅膜层、埋氧层、电荷收集层和衬底，所述硅膜层、埋氧层、电荷收集层和和衬底依次从上至下设置；所述硅膜层包括：NMOS管或PMOS管；所述电荷收集层包括电荷收集控制区和电荷聚集区；所述衬底包括：N型衬底或P型衬底。在电荷聚集区周围形成向心电场，光生电荷在向心电场的作用下聚集在相应的像素单元内。向心电场的存在提高了光电转化效率，抑制了像素间串扰，节省了浅槽隔离的面积，减小了尺寸，使其更适合于亚微米像素。
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