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公开(公告)号：CN111063702B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201911108333.5
申请日：2019-11-13
申请人： 北京大学
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本申请公开了一种UTBB光电探测器像素单元、阵列和方法，包括：硅膜层、埋氧层、电荷收集层和衬底，所述硅膜层、埋氧层、电荷收集层和和衬底依次从上至下设置；所述硅膜层包括：NMOS管或PMOS管；所述电荷收集层包括电荷收集控制区和电荷聚集区；所述衬底包括：N型衬底或P型衬底。在电荷聚集区周围形成向心电场，光生电荷在向心电场的作用下聚集在相应的像素单元内。向心电场的存在提高了光电转化效率，抑制了像素间串扰，节省了浅槽隔离的面积，减小了尺寸，使其更适合于亚微米像素。
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公开(公告)号：CN113329194A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110425927.X
申请日：2021-04-20
申请人： 北京大学
IPC分类号： H04N5/378
摘要： 本申请涉及传感器技术领域，具体而言，本申请涉及一种提取即时运动的图像传感器及其方法。所述传感器包括帧间差分像素，所述帧间差分像素包括感光差分单元、复位单元及输出单元，其中，感光差分单元包括光电二极管、电容和第一晶体管，光电二极管一端连接电源、另一端连接第一晶体管的栅端，该端定义为光生电荷存储节点，第一晶体管的源极连接电源、漏极连接所述电容的上极板，光电二极管用于接收像素上的入射光信号并将其转化为光生电荷存储在光生电荷存储节点。本申请的图像传感器，没在像素中增加复杂的功能模块，在像素阵列信号读出电路中对数据进行选择性输出，能有效减少图像数据传输量、图像处理延迟与资源消耗，进而提高图像处理效率。
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公开(公告)号：CN111044873A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911349883.6
申请日：2019-12-24
申请人： 北京大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本申请公开了一种基于共享串联电阻的自热效应测试方法和电路结构，包括：将测试设备与电路结构相连，设置测试设备的温度；使用测试设备的输出控制电路结构中器件的工作状态；记录电路结构中待测器件在当前测试条件下的不同功率工作状态下输出的测试数据，确定当前温度下待测器件功率与串联电阻值数据集合；判断是否完成所有温度范围的测试，是则根据得到的不同温度下所有的待测器件功率与串联电阻值数据集合确定待测器件的热阻。通过控制电路结构中器件的工作状态，记录不同温度下所有的待测器件功率与串联电阻值数据集合，从而确定待测器件热阻，对设备要求低且测试方法简单，不依赖于待测器件与传感器件之间的空间位置距离、精度高。
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公开(公告)号：CN109857607A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811583676.2
申请日：2018-12-24
申请人： 北京大学
IPC分类号： G06F11/26
摘要： 本发明公开一种NAND Flash固态硬盘的可靠性检测方法及装置，该方法包括：获取待检测固态硬盘对应的位图；根据所述位图和预先训练的神经网络模型，对所述待检测固态硬盘进行可靠性检测。本发明将位图分析与神经网络结合起来，通过预先训练的神经网络模型自动检测待检测固态硬盘对应的位图的可靠性,位图与待检测固态硬盘包括的存储块一一对应，实现对固态硬盘包括的每个存储块进行快速的可靠性分析，大大提高了可靠性分析的速度及效率，缩短了固态硬盘的测试周期，缩短了产品周期，节约了成本。
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公开(公告)号：CN108493202A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810102547.0
申请日：2018-02-01
申请人： 北京大学
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/148
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14806
摘要： 一种适应亚微米像素的UTBB光电探测元件及装置，其中，所述UTBB光电探测元件包括：UTBB结构与设置在所述UTBB结构上表面的场效应晶体管，其特点是具有不对称的源端、漏端区域，通过光生载流子对所述场效应晶体管的阈值电压产生的影响，从而根据漏端电流间接评估光照强度。本发明的优点为，在微观结构上，单个像素单元内仅包括一个晶体管，减小了单个像素单元的体积，像素单元采用“槽”隔离方式，降低了串扰，衬底结构可采用均匀掺杂，简化了工艺和注入工艺所引起的元件损伤。在宏观结构上，探测元件阵列的组成方式与现有SOI MOSFET工艺相兼容，便于阵列化时序设计，使其更适合于亚微米像素。
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公开(公告)号：CN102694030B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201210180199.1
申请日：2012-06-01
申请人： 北京大学
摘要： 本发明涉及隧穿场效应晶体管技术领域，公开了一种具有石墨烯纳米带异质结构的隧穿场效应晶体管，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成于所述沟道区的两侧，所述沟道区的材料为石墨烯纳米带，所述源区的材料为p型掺杂的石墨烯纳米带，所述漏区的材料为n型掺杂的石墨烯纳米带，且所述源区的石墨烯纳米带的宽度大于所述沟道区、漏区的石墨烯纳米带的宽度。本发明利用石墨烯纳米带形成的异质结构在保持隧穿场效应晶体管较小漏电流的同时增大开态电流，并进一步减小亚阈值斜率。
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公开(公告)号：CN102831921B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210306027.4
申请日：2012-08-24
申请人： 北京大学
IPC分类号： G11C7/06
摘要： 本发明公开了一种Flash灵敏放大器，涉及集成电路技术领域。该放大器包括：参考电压发生电路，生成参考电压信号，并将所述参考电压信号发送至电流放大电路；电流放大电路，与参考电压发生电路相连，根据参考电压，放大流经Flash的存储单元阵列中的存储单元以及参考单元阵列中的参考单元的电流；比较器，分别与存储单元阵列位线以及参考单元阵列位线相连，放大所述存储单元阵列位线以及参考单元阵列位线上的电压信号；参考单元阵列位线，连接参考单元阵列以及所述电流放大电路；预充电电路，与存储单元阵列位线相连，对存储单元阵列位线上的电容负载进行预充电。本发明的Flash灵敏放大器的速度更快。
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公开(公告)号：CN102843130B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201210348185.6
申请日：2012-09-18
申请人： 北京大学
IPC分类号： H03L7/085
摘要： 本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种基于CML逻辑的相位检测器，包括相互连接的采样模块和比较模块，所述采样模块包括由CML锁存器组成的多条采样支路，用于对输入的数据信号进行采样，所述比较模块用于比较所述多条采样支路的采样数据，得到相位比较结果。首先，本发明所采用的锁存器均为CML逻辑，处理差分信号，提高其高频下的抗干扰能力，其次，本发明通过拆分锁存器尾电流源，有效节约了电路在锁存状态时的功耗，从而有效降低了整个相位检测电路的功耗，基于以上两点，本发明实现了在保证相位误差满足系统抖动要求的前提下，降低了的功耗。
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公开(公告)号：CN102722600A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210135029.1
申请日：2012-04-28
申请人： 北京大学
CPC分类号： Y02D10/45
摘要： 本发明公开了一种芯片功耗的计算方法，包括以下步骤：A：选定芯片的工艺及工作电压，对该工艺下的逻辑门标准单元在不同输入状态下进行SPICE仿真；B：根据仿真结果，为每个逻辑门标准单元建立输入状态与泄漏功耗对应的查找表；C：读取芯片的电路网表中的逻辑门，判断该逻辑门输入为芯片的总输入还是其他逻辑门的输出；D：根据判断结果计算该逻辑门的每一个输入等于 或 的概率；E：根据查找表中该逻辑门的输入状态与泄漏功耗的对应关系以及逻辑门输入状态的概率，计算该逻辑门的泄漏功耗；F：遍历芯片中逻辑门获取每一逻辑门的泄漏功耗，对所获逻辑门的泄漏功耗进行累加获得芯片的泄漏功耗。本发明能提高基于统计意义上的芯片功耗的计算精度。
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