-
公开(公告)号：CN102446967A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010504004.5
申请日：2010-09-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种含有复合漂移区的SOI LDMOS器件，所述器件从上至下依次包括栅氧层、顶层硅、埋氧层以及底层硅，其中所述顶层硅中含有复合漂移区，所述复合漂移区包含第一漂移区和第二漂移区，其中第一漂移区邻接沟道区且被第二漂移区包围。本发明通过采用复合漂移区，降低了漂移区靠近沟道一端的最大电场值，提高了击穿电压值，同时由于第一漂移区的厚度小于顶层硅的厚度，减少了第一漂移区带来的开态电阻的增加值，提高了开态导通特性。
Search Results
1
records
(took 0.013 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
