公开(公告)号：CN111223761A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN202010035880.1

申请日：2020-01-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄建晟 ,  唐胜 ,  王振宇

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/64 ,  C30B28/14 ,  C30B29/06 ,  C23C16/24 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种沉积多晶硅表面颗粒质量改善方法，具体包括如下步骤：(1)选用炉管加热装置；(2)通入净化气体N2；(3)多晶硅沉积。本发明属于半导体制造技术领域，具体是提供了一种通过变更输入气体管道及载气N2流量，改善多晶硅沉积薄膜品质，并通过此方法解决沉积多晶硅产生表面颗粒及薄膜厚度不均匀的问题的沉积多晶硅表面颗粒质量改善方法；改善后并且优化的菜单在沉积多晶硅时能够实现产生较少的表面颗粒及高均匀度的膜厚，进而使产品质量的得到提升，以解决沉积多晶硅后所产生的表面颗粒及薄膜厚度不均匀的问题。

公开(公告)号：CN111223761B

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202010035880.1

申请日：2020-01-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄建晟 ,  唐胜 ,  王振宇

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/64 ,  C30B28/14 ,  C30B29/06 ,  C23C16/24 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种沉积多晶硅表面颗粒质量改善方法，具体包括如下步骤：(1)选用炉管加热装置；(2)通入净化气体N2；(3)多晶硅沉积。本发明属于半导体制造技术领域，具体是提供了一种通过变更输入气体管道及载气N2流量，改善多晶硅沉积薄膜品质，并通过此方法解决沉积多晶硅产生表面颗粒及薄膜厚度不均匀的问题的沉积多晶硅表面颗粒质量改善方法；改善后并且优化的菜单在沉积多晶硅时能够实现产生较少的表面颗粒及高均匀度的膜厚，进而使产品质量的得到提升，以解决沉积多晶硅后所产生的表面颗粒及薄膜厚度不均匀的问题。