公开(公告)号：CN114990696B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202210573832.7

申请日：2022-05-25

申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司

发明人： 曹艳芳 ,  赵宁 ,  陈海芹 ,  王波 ,  彭同华 ,  刘春俊 ,  杨建

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/02

摘要： 本发明提供了一种生长低夹杂包裹物碳化硅单晶的装置，该装置中设置有位于碳化硅原料表面和内部的多个阻隔盘，该多个阻隔盘中部分阻隔盘的中心区域设置有通孔，部分阻隔盘的边缘区域设置有通孔，这些阻隔盘的设置一方面可阻挡和过滤生长气流中的硅碳颗粒和杂质颗粒，防止夹杂颗粒直接传输至生长界面；另外由于气流在碳化硅原料中曲线贯穿，可以促进原料蒸发分解，从而缓解了生长气流的富硅或富碳程度，减少了晶体中的夹杂硅碳颗粒包裹物，可以获得高质量的碳化硅单晶。

公开(公告)号：CN114990696A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210573832.7

申请日：2022-05-25

申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司

发明人： 曹艳芳 ,  赵宁 ,  陈海芹 ,  王波 ,  彭同华 ,  刘春俊 ,  杨建

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/02

摘要： 本发明提供了一种生长低夹杂包裹物碳化硅单晶的装置，该装置中设置有位于碳化硅原料表面和内部的多个阻隔盘，该多个阻隔盘中部分阻隔盘的中心区域设置有通孔，部分阻隔盘的边缘区域设置有通孔，这些阻隔盘的设置一方面可阻挡和过滤生长气流中的硅碳颗粒和杂质颗粒，防止夹杂颗粒直接传输至生长界面；另外由于气流在碳化硅原料中曲线贯穿，可以促进原料蒸发分解，从而缓解了生长气流的富硅或富碳程度，减少了晶体中的夹杂硅碳颗粒包裹物，可以获得高质量的碳化硅单晶。

公开(公告)号：CN218436025U

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202222813178.0

申请日：2022-10-25

申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司

发明人： 曹艳芳 ,  赵宁 ,  陈海芹 ,  王波 ,  彭同华 ,  刘春俊 ,  杨建

IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B29/36

摘要： 本实用新型公开了一种单晶炉及其生长装置，该生长装置应用于碳化硅单晶，包括：坩埚、第一坩埚盖和气体通道；坩埚用于放入碳化硅原料并装入单晶炉内以预热碳化硅原料，且坩埚开设有气孔；第一坩埚盖用于在坩埚放入碳化硅原料后，装入单晶炉前与坩埚扣合；所述气体通道与所述坩埚的气孔连接，且用于在所述单晶炉预热热碳化硅原料时通入惰性气体。通过本方案能够对碳化硅原料进行低温预烧处理并在碳化硅原料中通入惰性气体，以便于在预热的情况下通过气流驱动碳化硅原料中的杂质排出，进而有助于实现碳化硅原料的纯化，从而有利于使得生长初期由碳化硅原料向生长面传输的杂质减小。