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公开(公告)号：CN118688115A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410828461.1
申请日：2024-06-25
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 深圳市重投天科半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体衬底缺陷的检测装置及方法，装置包括：待检测衬底、测试台、上下双镜头成像装置和处理器。待检测衬底放置在可旋转的测试台上方，处理器控制测试台按照预设角度进行旋转，利用上下双镜头成像装置对待检测衬底的边缘进行逐个视野的单独成像，得到检测图像，通过处理器对各个检测图像进行运算和判断等操作，得到每个检测图像中待检测衬底的缺陷详细信息，即缺陷的数量信息和尺寸信息；以及得到待检测衬底的缺陷分布示意图。本发明综合运用反射、透射光学原理和旋转取样法，检测得到待检测衬底上表面和下表面的缺陷详细信息，整合得到缺陷分布示意图。达到了对半导体衬底双面的边缘瑕疵进行精准量化、精确定位并输出的效果。
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公开(公告)号：CN117238805A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311216451.4
申请日：2023-09-20
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种导电型碳化硅晶片硅面和碳面的辨别方法，所述辨别方法通过对待辨别导电型碳化硅晶体进行处理形成主定位面，在形成待辨别导电型碳化硅晶片后，每个晶片都具有定位边和微观单元，所述微观单元为导电型碳化硅晶体生长所特有的结构；本发明相比于现有技术，仅通过所述主定位边的朝向，以及所述主定位边与所述微观单元的相对位置关系即可辨别所述导电型碳化硅晶片的硅面和碳面，无需再加工出另一个参考面，缩短了生产周期；并且只加工出主定位面，相比于加工出主参考面和副参考面两个参考面，能够增加衬底的可用面积，降低了生产成本，另外所述辨别方法的工艺流程简单，还能在一定程度上提高生产效率。
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公开(公告)号：CN115365921A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210820513.1
申请日：2022-07-13
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本申请技术方案公开了一种用于晶片打磨设备的加工垫组件以及打磨方法，所述加工垫组件包括第一加工垫、第二加工垫以及离型粘结层，第一加工垫和第二加工垫通过离型粘结层粘结固定，其中，对晶片进行打磨时，第一加工垫用于与上打磨盘粘结固定，第二加工垫用于与下打磨盘粘结固定，去除离型粘结层后，将晶片置于第一加工垫和第二加工垫之间进行打磨，在第一加工垫和上打磨盘粘结固定时以及第二加工垫和下打磨盘粘结固定时均采用正面下压式的粘贴方法，通过使用这种加工垫可以极大的降低加工垫在粘贴过程中的气泡和褶皱的发生率，从而可有效降低晶片表面损伤，降低晶片双面加工破损率，提高双面加工良率。
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公开(公告)号：CN113186601B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110484326.6
申请日：2021-04-30
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种高质量碳化硅籽晶、碳化硅晶体、碳化硅衬底及其制备方法。本发明制备高质量的碳化硅籽晶，并控制碳化硅粉料、石墨坩埚及保温材料的杂质浓度，结合一定的晶体生长工艺以及晶片加工方式，得到了高质量的碳化硅衬底。所得碳化硅衬底具有高的结晶质量，极低的微管数量、螺位错密度和复合位错密度；同时具有极低的p型杂质浓度，表现出优良的电学性能；还具有高的表面质量。
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公开(公告)号：CN112725893B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202011536526.3
申请日：2020-12-23
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 北京天科合达新材料有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种导电型碳化硅单晶，掺杂元素包括氮和原子半径大于硅的原子半径的元素；所述导电型碳化硅单晶的电阻率为0.01Ω·cm～0.05Ω·cm；所述原子半径大于硅的原子半径的元素的掺杂浓度为氮元素浓度的0.1％到10％。本发明中的碳化硅晶体，在氮元素掺入的基础上，通过原子半径大于硅的原子半径的元素的引入，并控制氮和原子半径大于硅的原子半径的元素的浓度，在保证电阻率处于导电类型碳化硅单晶衬底要求的基础上，能够补偿氮原子和碳原子尺寸差异引起的晶格畸变，降低晶体的内应力，降低晶体内部的位错密度。本发明还提供了一种导电型碳化硅单晶的制备方法。
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公开(公告)号：CN114734333A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210481041.1
申请日：2022-05-05
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种倒角方法，包括以下步骤：根据待加工晶片的材质选择与待加工晶片适配的砂轮类型；将待加工晶片和选择的砂轮均安装于倒角装置上；将待加工晶片和砂轮进行原点对刀操作；在倒角装置上设置砂轮的运动方向为第一方向和第二方向，同时设置待加工晶片的运动方向为第三方向；根据待加工晶片的不同材质，设置砂轮的转速为不同转速；根据待加工晶片的不同的轮廓形貌，在倒角装置上设置不同的加工参数，对待加工晶片的原点至待加工晶片上端面的位置进行倒角；以对待加工晶片的原点至待加工晶片下端面的位置进行倒角。上述倒角方法可加工出不同的待加工晶片的不同的轮廓形貌，减少砂轮的更换频率，提升加工效率，而避免端面毛刺的现象出现。
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公开(公告)号：CN114059155A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111399398.7
申请日：2021-11-19
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶体的制备方法，包括以下步骤：A)将碳化硅原料置于坩埚底部，将碳化硅籽晶置于坩埚顶部，所述碳化硅籽晶与坩埚非接触面设置有硅膜；B)将步骤A)得到容器置于碳化硅晶体生长单晶炉中，密封并抽真空，再充入生长气体，然后进行脱膜处理，晶体生长后得到碳化硅晶体。本申请通过在碳化硅籽晶表面制备硅膜，可以有效解决籽晶表面没有做任何二次处理带来的加工过程存留少量划伤缺陷，粘接操作过程在籽晶表面引入新的损伤，生长过程中温度设置不合理导致籽晶碳化等问题导致碳化硅籽晶初期接长的缺陷较多，大大提升碳化硅晶体生长成功率及生长质量。
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公开(公告)号：CN110592673A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201811534979.5
申请日：2018-12-14
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种高品质的大尺寸碳化硅晶体生长方法，旨在提高生长的SiC晶体质量，消除平面六方空洞缺陷。此方法包括以下步骤：将装有碳化硅原料和籽晶的坩埚放于单晶生长炉中，坩埚快速上推距离范围为5-50mm，远离高温区，待达到一定的温度和压力条件下，坩埚缓慢下降，下降距离与坩埚上推距离一致，之后在一定的温度和压力条件下使碳化硅原料发生升华并在籽晶上结晶，将晶体冷却，获得碳化硅单晶。本发明的优点是：在晶体生长初期，使籽晶远离高温区，消除因温度高导致的籽晶烧蚀，从而消除平面六方空洞缺陷；同时保证SiC原料的充分利用，从而获得高品质的大尺寸碳化硅晶体。
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公开(公告)号：CN105734671A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410754298.5
申请日：2014-12-10
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 中国科学院物理研究所 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种高质量碳化硅晶体生长的方法，其包括位于高温区的碳化硅原料，位于温度低于原料区的籽晶，以及覆盖于原料之上的一层耐高温化学性能稳定的碳化物粉末层。相比于常规的气相传输法生长碳化硅晶体，本发明不同之处在于碳化硅原料表面上增加了一层耐高温化学性能稳定的碳化物粉末层，其优点是：耐高温化学性能稳定碳化物粉末层能够显著减少晶体中的包裹物缺陷，获得高质量的碳化硅晶体，提高了碳化硅晶体生长的成品率。
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公开(公告)号：CN118342349A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410624060.4
申请日：2024-05-20
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 深圳市重投天科半导体有限公司
摘要： 本申请提供了一种碳化硅晶体的加工方法。在执行方法时，通过晶体外圆加工、晶体粘接、晶体平面加工、晶体定向和定位边加工等步骤，加工工序简单，加工成功率高，可以实现大尺寸碳化硅晶体的生产，并且在晶体外圆加工时利用第一磨削装置通过双向自动进刀的方式对单晶碳化硅晶体的外表面进行外圆磨削加工，得到圆柱形结构的碳化硅单晶锭，可以提高了砂轮与晶体接触次数，保障加工的效率。如此，可以实现在加工大尺寸碳化硅晶体时同时确保高质量与高效率。
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