一种半导体衬底缺陷的检测装置及方法

    公开(公告)号:CN118688115A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410828461.1

    申请日:2024-06-25

    IPC分类号: G01N21/01 G01N21/95

    摘要: 本发明提供一种半导体衬底缺陷的检测装置及方法,装置包括:待检测衬底、测试台、上下双镜头成像装置和处理器。待检测衬底放置在可旋转的测试台上方,处理器控制测试台按照预设角度进行旋转,利用上下双镜头成像装置对待检测衬底的边缘进行逐个视野的单独成像,得到检测图像,通过处理器对各个检测图像进行运算和判断等操作,得到每个检测图像中待检测衬底的缺陷详细信息,即缺陷的数量信息和尺寸信息;以及得到待检测衬底的缺陷分布示意图。本发明综合运用反射、透射光学原理和旋转取样法,检测得到待检测衬底上表面和下表面的缺陷详细信息,整合得到缺陷分布示意图。达到了对半导体衬底双面的边缘瑕疵进行精准量化、精确定位并输出的效果。

    一种碳包裹物的检测方法及装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117761083A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311783499.3

    申请日:2023-12-22

    摘要: 本申请公开了一种碳包裹物的检测方法及装置,该检测装置包括:显微镜头、环形红外发光器、测试平台以及聚焦传感器;环形红外发光器的上方设置有显微镜头;环形红外发光器用于对待检测样品照射红光;显微镜头用于捕拍待检测样品的图像;环形红外发光器的光路路径上设置有测试平台;测试平台用于承载待检测样品;测试平台的下方设置有聚焦传感器;聚焦传感器用于获取待检测样品的最佳聚焦距离参数。通过显微镜头根据多层图像的最佳聚焦位置对照射红光的待检测样品进行捕拍,不同深度和不同尺寸的碳包裹物都能够被捕拍到,再对捕拍到目标图像中的碳包裹物进行抓取,实现了精准识别碳包裹物的目的。