公开(公告)号：CN118712047A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202411070738.5

申请日：2024-08-06

申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 ,  江苏天科合达半导体有限公司 ,  北京天科合达半导体股份有限公司

发明人： 朱超杰 ,  饶德旺 ,  蔡振立 ,  曾承 ,  商世兴 ,  赵宁 ,  王波 ,  彭同华 ,  曾江 ,  彭勇 ,  佘宗静 ,  杨建

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/04 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00

摘要： 本发明提供了一种晶片制作方法及晶片，涉及半导体制备工艺技术领域。通过在晶锭上进行简单的主参考面和副参考面的制作，在对晶锭切割后即可使得晶片上具有主定位面和副定位面，由此根据副定位面相对主定位面的方位，达到区分晶片的第一表面和第二表面的目的。本发明提供的晶片制作方法简单，并且保证了晶片具有较大的可用面积。

公开(公告)号：CN118688115A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410828461.1

申请日：2024-06-25

申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 ,  深圳市重投天科半导体有限公司

发明人： 董迎飞 ,  赵岩 ,  康乾 ,  赵博深 ,  张贺 ,  赵宁 ,  佘宗静 ,  王波 ,  彭同华 ,  杨建

IPC分类号： G01N21/01 ,  G01N21/95

摘要： 本发明提供一种半导体衬底缺陷的检测装置及方法，装置包括：待检测衬底、测试台、上下双镜头成像装置和处理器。待检测衬底放置在可旋转的测试台上方，处理器控制测试台按照预设角度进行旋转，利用上下双镜头成像装置对待检测衬底的边缘进行逐个视野的单独成像，得到检测图像，通过处理器对各个检测图像进行运算和判断等操作，得到每个检测图像中待检测衬底的缺陷详细信息，即缺陷的数量信息和尺寸信息；以及得到待检测衬底的缺陷分布示意图。本发明综合运用反射、透射光学原理和旋转取样法，检测得到待检测衬底上表面和下表面的缺陷详细信息，整合得到缺陷分布示意图。达到了对半导体衬底双面的边缘瑕疵进行精准量化、精确定位并输出的效果。