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公开(公告)号：CN118688115A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410828461.1
申请日：2024-06-25
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 深圳市重投天科半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体衬底缺陷的检测装置及方法，装置包括：待检测衬底、测试台、上下双镜头成像装置和处理器。待检测衬底放置在可旋转的测试台上方，处理器控制测试台按照预设角度进行旋转，利用上下双镜头成像装置对待检测衬底的边缘进行逐个视野的单独成像，得到检测图像，通过处理器对各个检测图像进行运算和判断等操作，得到每个检测图像中待检测衬底的缺陷详细信息，即缺陷的数量信息和尺寸信息；以及得到待检测衬底的缺陷分布示意图。本发明综合运用反射、透射光学原理和旋转取样法，检测得到待检测衬底上表面和下表面的缺陷详细信息，整合得到缺陷分布示意图。达到了对半导体衬底双面的边缘瑕疵进行精准量化、精确定位并输出的效果。
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公开(公告)号：CN117238805A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311216451.4
申请日：2023-09-20
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种导电型碳化硅晶片硅面和碳面的辨别方法，所述辨别方法通过对待辨别导电型碳化硅晶体进行处理形成主定位面，在形成待辨别导电型碳化硅晶片后，每个晶片都具有定位边和微观单元，所述微观单元为导电型碳化硅晶体生长所特有的结构；本发明相比于现有技术，仅通过所述主定位边的朝向，以及所述主定位边与所述微观单元的相对位置关系即可辨别所述导电型碳化硅晶片的硅面和碳面，无需再加工出另一个参考面，缩短了生产周期；并且只加工出主定位面，相比于加工出主参考面和副参考面两个参考面，能够增加衬底的可用面积，降低了生产成本，另外所述辨别方法的工艺流程简单，还能在一定程度上提高生产效率。
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公开(公告)号：CN118342349A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410624060.4
申请日：2024-05-20
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 深圳市重投天科半导体有限公司
摘要： 本申请提供了一种碳化硅晶体的加工方法。在执行方法时，通过晶体外圆加工、晶体粘接、晶体平面加工、晶体定向和定位边加工等步骤，加工工序简单，加工成功率高，可以实现大尺寸碳化硅晶体的生产，并且在晶体外圆加工时利用第一磨削装置通过双向自动进刀的方式对单晶碳化硅晶体的外表面进行外圆磨削加工，得到圆柱形结构的碳化硅单晶锭，可以提高了砂轮与晶体接触次数，保障加工的效率。如此，可以实现在加工大尺寸碳化硅晶体时同时确保高质量与高效率。
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公开(公告)号：CN118737813A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410816810.8
申请日：2024-06-24
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 深圳市重投天科半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 一种去除碳化硅晶片表面金属杂质的清洗方法，包括以下步骤：将待清洗的碳化硅晶片依次进行H2SO4‑H2O2清洗液清洗、第一NH4OH‑H2O2‑H2O清洗液清洗、HCl‑H2O2‑H2O清洗液清洗、HF‑H2O2‑H2O清洗液清洗、第二NH4OH‑H2O2‑H2O清洗液清洗，干燥后得到清洗后的碳化硅晶片；所述第一NH4OH‑H2O2‑H2O清洗液中NH4OH的浓度为0.5～2wt％，H2O2的浓度为0.5～2wt％；所述第二NH4OH‑H2O2‑H2O清洗液中NH4OH的浓度为0.5～2wt％，H2O2的浓度为5～7.5wt％。本发明采用多种特定清洗液进行多步清洗，实现整体较好的相互作用，在保证清洗颗粒效果较好的状态下，Na、Mg、Al、K、Ca、Fe、Zn等金属含量可稳定控制在5E10atoms/cm2以内，并大大增加清洗液使用时间，减少消耗，降低成本。
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公开(公告)号：CN118712047A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411070738.5
申请日：2024-08-06
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶片制作方法及晶片，涉及半导体制备工艺技术领域。通过在晶锭上进行简单的主参考面和副参考面的制作，在对晶锭切割后即可使得晶片上具有主定位面和副定位面，由此根据副定位面相对主定位面的方位，达到区分晶片的第一表面和第二表面的目的。本发明提供的晶片制作方法简单，并且保证了晶片具有较大的可用面积。
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公开(公告)号：CN117802572A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311868680.4
申请日：2023-12-29
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种半导体晶体的生长方法，在进行半导体晶体生长之前，对籽晶进行缺陷检测，以获取第一表面的缺陷数据，基于缺陷数据确定第一表面中缺陷密集区域，通过扩径生长结构件覆盖缺陷密集区域之后，基于具有扩径生长结构件的第一表面，进行半导体晶体的生长，从而能够避免缺陷密集区域中缺陷对所制备半导体晶体质量的影响。
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公开(公告)号：CN117761083A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311783499.3
申请日：2023-12-22
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 深圳市重投天科半导体有限公司
IPC分类号： G01N21/956 , G02B21/36 , G01N21/01
摘要： 本申请公开了一种碳包裹物的检测方法及装置，该检测装置包括：显微镜头、环形红外发光器、测试平台以及聚焦传感器；环形红外发光器的上方设置有显微镜头；环形红外发光器用于对待检测样品照射红光；显微镜头用于捕拍待检测样品的图像；环形红外发光器的光路路径上设置有测试平台；测试平台用于承载待检测样品；测试平台的下方设置有聚焦传感器；聚焦传感器用于获取待检测样品的最佳聚焦距离参数。通过显微镜头根据多层图像的最佳聚焦位置对照射红光的待检测样品进行捕拍，不同深度和不同尺寸的碳包裹物都能够被捕拍到，再对捕拍到目标图像中的碳包裹物进行抓取，实现了精准识别碳包裹物的目的。
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公开(公告)号：CN117628875A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311702841.2
申请日：2023-12-12
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 深圳市重投天科半导体有限公司
IPC分类号： F26B25/18
摘要： 本发明公开了一种干燥装置及其顶刀，该顶刀包括顶刀本体；顶刀本体用于同晶圆配合的固定结构为轴对称结构，至少用于为晶圆提供对称的两处支撑；固定结构的最低处开设有排水结构，贯通顶刀本体的侧壁。本方案一方面将固定结构设置为轴对称结构，以便于为晶圆提供对称的两处支撑，使得晶圆在被支撑时处于垂直稳定的状态，避免晶圆与清洗花篮发生接触，另一方面在固定结构的最低处开设有排水结构，以使得去离子水向下流动至固定结构的最低处时可实现排出，避免发生堆积，进而以使得流动至晶圆底部边缘的去离子水能够与晶圆快速脱离，从而可避免晶圆的底部产生水印或者边缘白，确保晶圆清洗效果。
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公开(公告)号：CN221805494U
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202323412825.8
申请日：2023-12-14
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 深圳市重投天科半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本实用新型提供了一种晶片固定装置。将环形膜可拆卸设置于吸盘与晶片接触的吸附面，并将环形膜与晶片接触的表面为光滑面。通过上述公开的晶片固定装置，可在环形膜与晶片接触的表面的粗糙时，通过更换环形膜，使与晶片接触的环形膜的光滑度，进而避免环形膜对晶片蹭伤。
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公开(公告)号：CN115365921A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210820513.1
申请日：2022-07-13
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本申请技术方案公开了一种用于晶片打磨设备的加工垫组件以及打磨方法，所述加工垫组件包括第一加工垫、第二加工垫以及离型粘结层，第一加工垫和第二加工垫通过离型粘结层粘结固定，其中，对晶片进行打磨时，第一加工垫用于与上打磨盘粘结固定，第二加工垫用于与下打磨盘粘结固定，去除离型粘结层后，将晶片置于第一加工垫和第二加工垫之间进行打磨，在第一加工垫和上打磨盘粘结固定时以及第二加工垫和下打磨盘粘结固定时均采用正面下压式的粘贴方法，通过使用这种加工垫可以极大的降低加工垫在粘贴过程中的气泡和褶皱的发生率，从而可有效降低晶片表面损伤，降低晶片双面加工破损率，提高双面加工良率。
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