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公开(公告)号：CN116230591A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310179972.0
申请日：2023-02-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/603 , H01L21/66
Abstract: 本发明涉及电子封装技术领域，提供一种功率芯片的封装装置及封装方法，装置包括：多压头装置、载物台和加热装置；多压头装置包括压头控制装置、拍摄装置、压头切换装置、多个不同尺寸的压头，多个不同尺寸的压头装载于压头切换装置；压头控制装置用于控制压头压力大小，压头控制装置还用于控制多压头装置移动；载物台用于放置基板，基板涂覆有焊料；拍摄装置用于拍摄目标芯片的芯片图像，目标芯片与基板贴合；压头切换装置用于对多个不同尺寸的压头进行切换，以切换至目标芯片对应的目标压头；加热装置用于对基板上的焊料进行加热。本发明提高了功率芯片模块的多芯片烧结速率。
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公开(公告)号：CN116313825A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310054856.6
申请日：2023-02-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种复合多层金属基板及其制备方法、一种功率半导体器件。包括以下步骤：在反应腔内固定好靶材和基板，并加热基板；开启第一激光器轰击第一贵金属靶材，在基板上沉积第一贵金属薄膜；第一激光器停止工作，开启第二激光器轰击第二贵金属靶材，在第一贵金属薄膜上沉积第二贵金属薄膜；使第一脉冲激光的轰击靶材转换为第一自蔓延金属靶材，第二脉冲激光的轰击靶材转换为第二自蔓延金属靶材；交替使第一激光器和第二激光器工作，形成自蔓延金属薄膜，即得。该方法制备所得金属基板，既具有抗氧化效果，也具有焊料的连接作用，可以实现与芯片的直接贴装，提高功率器件制备效率，同时避免化学污染和有机物残存。
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公开(公告)号：CN116043172A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310037199.4
申请日：2023-01-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属于梯度材料制备技术领域，具体涉及一种脉冲激光沉积装置及利用其制备梯度成分材料的方法。该装置包括反应腔和激光装置；所述反应腔的内部包括用于支撑第一靶材的第一靶托、用于支撑第二靶材的第二靶托、用于支撑衬底的样品托；所述激光装置包括激光器、第一半波片、第二半波片、第一偏振分束器、第二偏振分束器、反射镜、第一扫描振镜、第二扫描振镜。该装置设计了适配单激光器的激光光路，将单束脉冲激光分为两束脉冲激光同时轰击异种靶材，可通过控制两个半波片镜片的旋转，在沉积过程中实现激光功率连续变化，使轰击出异种靶材等离子体的成分浓度连续变化，经过混合后实现单层薄膜成分的连续变化，在厚度方向上形成梯度成分。
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公开(公告)号：CN116043172B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202310037199.4
申请日：2023-01-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属于梯度材料制备技术领域，具体涉及一种脉冲激光沉积装置及利用其制备梯度成分材料的方法。该装置包括反应腔和激光装置；所述反应腔的内部包括用于支撑第一靶材的第一靶托、用于支撑第二靶材的第二靶托、用于支撑衬底的样品托；所述激光装置包括激光器、第一半波片、第二半波片、第一偏振分束器、第二偏振分束器、反射镜、第一扫描振镜、第二扫描振镜。该装置设计了适配单激光器的激光光路，将单束脉冲激光分为两束脉冲激光同时轰击异种靶材，可通过控制两个半波片镜片的旋转，在沉积过程中实现激光功率连续变化，使轰击出异种靶材等离子体的成分浓度连续变化，经过混合后实现单层薄膜成分的连续变化，在厚度方向上形成梯度成分。
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