公开(公告)号：CN108538935B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201810340023.5

申请日：2018-04-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 邓军 ,  李超慧 ,  徐晨 ,  李建军 ,  孙伟业 ,  韩军

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/109

Abstract: 本发明公开了隧道补偿超晶格红外探测器，属于半导体光电子领域。原有的隧道补偿多有源区红外探测器改善了传统多量子阱或超晶格结构红外探测器的光电流小，暗电流大的缺点，但制作难度较大，成品率低。在衬底上生长下接触层，然后生长一个或多个基本单元，上接触层，制作台面和电极，基本单元依次为阻挡势垒、超晶格红外吸收区、重掺杂N型区和重掺杂P型区；特征在于采用超晶格结构作为探测器的红外吸收区，降低了对外延结构参数的控制要求；重掺杂N型区和重掺杂P型区形成隧道结，为超晶格提供隧道补偿电流；阻挡势垒厚度为30～50nm，以减小器件的暗电流。本发明兼具隧道补偿多有源区红外探测器光电流大、暗电流低、响应速度快等优点。

公开(公告)号：CN108538935A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810340023.5

申请日：2018-04-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 邓军 ,  李超慧 ,  徐晨 ,  李建军 ,  孙伟业 ,  韩军

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/109

CPC classification number: H01L31/035236 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/109

Abstract: 本发明公开了隧道补偿超晶格红外探测器，属于半导体光电子领域。原有的隧道补偿多有源区红外探测器改善了传统多量子阱或超晶格结构红外探测器的光电流小，暗电流大的缺点，但制作难度较大，成品率低。在衬底上生长下接触层，然后生长一个或多个基本单元，上接触层，制作台面和电极，基本单元依次为阻挡势垒、超晶格红外吸收区、重掺杂N型区和重掺杂P型区；特征在于采用超晶格结构作为探测器的红外吸收区，降低了对外延结构参数的控制要求；重掺杂N型区和重掺杂P型区形成隧道结，为超晶格提供隧道补偿电流；阻挡势垒厚度为30～50nm，以减小器件的暗电流。本发明兼具隧道补偿多有源区红外探测器光电流大、暗电流低、响应速度快等优点。