利用低压氧化法在铜表面制备超疏水薄膜的方法

    公开(公告)号:CN101476121A

    公开(公告)日:2009-07-08

    申请号:CN200910077832.2

    申请日:2009-01-23

    Abstract: 本发明公开了一种利用低压氧化法在铜表面制备超疏水薄膜的方法,可应用于需要防水附着的各种铜表面。属于材料的表面物理化学领域。现有技术主要是利用低表面能的有机化学试剂修饰,达到超疏水的目的。然而,这种用有机化学试剂进行表面处理的方法成本较高,工艺复杂,对环境也有影响。本发明提供了一种简单的低压氧化法,在铜表面生成具有双层微纳结构的氧化铜薄膜,从而达到超疏水状态。这就免去了低表面能有机化学试剂修饰的过程,节省了制作成本,简化了工艺,且减少了有机废物的排放。

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