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公开(公告)号：CN107768979A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710962891.2
申请日：2017-10-17
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本发明公开了外延集成高对比度光栅外腔面发射激光器，普通的氧化型垂直腔面发射激光器，普通的氧化型垂直腔面发射激光器，由于其自身氧化限制层材料的各向异性及有源区材料增益的各向异性等特点，导致其出现偏振不确定或不稳定现象，对于传统的外腔压窄线宽方法通常过于复杂，集成度低，不利于芯片级的设计。本发明中我们采用生长相位匹配层、腔长匹配层的方法延长垂直腔面发射激光器的腔长，通过一次外延的方式形成低折射率介质层作为光栅支撑层和光栅介质层；再通过刻蚀光栅介质层形成光栅微结构，达到控制光偏振的同时压窄线宽。
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公开(公告)号：CN105977786A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610500037.X
申请日：2016-06-29
申请人： 北京工业大学
CPC分类号： H01S5/18361 , H01S5/0608
摘要： 本发明公开了低折射率介质支撑型高对比度光栅面发射激光器，利用外延生长技术和半导体平面微纳米加工工艺进行制作，在高对比度光栅层上加工制作出高对比度光栅以形成低折射率支撑型高对比度光栅面发射激光器结构。高对比度光栅相对于上DBR结构具有更高的反射率和更宽的反射带宽，能够为激光器激射提供足够的反射率，高的反射率有利于减小谐振腔损耗、降低器件阈值电流。宽的高反射率带宽更好的匹配谐振腔模式，降低器件加工制备难度、易于器件激射。低折射率介质支撑高对比度光栅结构由两层介质膜组成，且厚度只有几百纳米，相对于P型DBR的3μm‑5μm，有效的降低了器件外延难度。
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公开(公告)号：CN107768979B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201710962891.2
申请日：2017-10-17
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本发明公开了外延集成高对比度光栅外腔面发射激光器，普通的氧化型垂直腔面发射激光器，普通的氧化型垂直腔面发射激光器，由于其自身氧化限制层材料的各向异性及有源区材料增益的各向异性等特点，导致其出现偏振不确定或不稳定现象，对于传统的外腔压窄线宽方法通常过于复杂，集成度低，不利于芯片级的设计。本发明中我们采用生长相位匹配层、腔长匹配层的方法延长垂直腔面发射激光器的腔长，通过一次外延的方式形成低折射率介质层作为光栅支撑层和光栅介质层；再通过刻蚀光栅介质层形成光栅微结构，达到控制光偏振的同时压窄线宽。
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公开(公告)号：CN106058642B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610500581.4
申请日：2016-06-29
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本发明公开了高对比度光栅耦合腔窄光谱线宽面发射激光器，属于光电子技术领域。将具有高反射率和反射带宽的高对比度光栅作为反射镜，通过微纳米加工工艺集成到基横模垂直腔面发射激光器顶部，通过高对比度光栅的高反射率对器件出射光进行反馈，对器件进行光注入，形成新型的耦合腔集成面发射激光器，实现器件的有效谐振腔的延长，进而压缩基横模垂直腔面发射激光器的光谱线宽，得到窄光谱线宽面发射激光器。低折射率支撑高对比度光栅结构的采用，简化上集成外腔制备难度，降低了器件加工工艺，且制备工艺为纯平面工艺，可有效提高器件的成品率及可靠性，具有光谱线宽调节范围大，压窄效果明显等优势，且设计制备简单。
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公开(公告)号：CN106058642A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610500581.4
申请日：2016-06-29
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18386
摘要： 本发明公开了高对比度光栅耦合腔窄光谱线宽面发射激光器，属于光电子技术领域。将具有高反射率和反射带宽的高对比度光栅作为反射镜，通过微纳米加工工艺集成到基横模垂直腔面发射激光器顶部，通过高对比度光栅的高反射率对器件出射光进行反馈，对器件进行光注入，形成新型的耦合腔集成面发射激光器，实现器件的有效谐振腔的延长，进而压缩基横模垂直腔面发射激光器的光谱线宽，得到窄光谱线宽面发射激光器。低折射率支撑高对比度光栅结构的采用，简化上集成外腔制备难度，降低了器件加工工艺，且制备工艺为纯平面工艺，可有效提高器件的成品率及可靠性，具有光谱线宽调节范围大，压窄效果明显等优势，且设计制备简单。
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公开(公告)号：CN108111145A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201810137925.9
申请日：2018-02-10
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H03H11/24
摘要： 本发明涉及一种衰减器，属于信号传输技术领域，尤其涉及一种采用相位相消的方式实现信号衰减的可变衰减器。该衰减器包括差分输入端RFIN1、差分输入端RFIN2、输入缓冲器1、输入缓冲器2，pHEMT管M1，pHEMT管M2，负载电阻RL和射频输出端RFOUT。衰减器在信号传输系统中可以控制传输功率的大小，或作为去耦原件，还可以用于改善阻抗匹配等。本发明设计的衰减器，主要应用于射频微波电路中控制信号的功率。本发明采用相位相消的方式实现信号衰减，具有衰减范围大(43dB以上)，衰减幅度可连续调节，且芯片面积小的优点。
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公开(公告)号：CN207588820U
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201820238241.3
申请日：2018-02-10
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H03H11/24
摘要： 本实用新型涉及一种衰减器，属于信号传输技术领域，尤其涉及一种采用相位相消的方式实现信号衰减的可变衰减器。该衰减器包括差分输入端RFIN1、差分输入端RFIN2、输入缓冲器1、输入缓冲器2，pHEMT管M1，pHEMT管M2，负载电阻RL和射频输出端RFOUT。衰减器在信号传输系统中可以控制传输功率的大小，或作为去耦原件，还可以用于改善阻抗匹配等。本实用新型设计的衰减器，主要应用于射频微波电路中控制信号的功率。本实用新型采用相位相消的方式实现信号衰减，具有衰减范围大(43dB以上)，衰减幅度可连续调节，且芯片面积小的优点。
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