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公开(公告)号：CN110433878B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201910774171.2
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于VCSEL耦合阵列的光学相位差的液体检测芯片系统，属于半导体激光器技术、生化检测技术的交叉技术领域。本发明通过采用质子注入或腔诱导反波导或光子晶体等技术，实现VCSEL耦合阵列的制备。通过PECVD、光刻、溅射、反应离子刻蚀、湿法腐蚀和键合等工艺在VCSEL耦合阵列表面集成微流控结构。在VCSEL耦合阵列上表面利用微流控技术，将待测液体通入VCSEL耦合阵列单元上方，引起VCSEL单元间光束耦合相位差改变，使得激光光束发生偏转，通过对激光光束偏转角度测量，可以计算出液体的折射率，实现液体折射率检测。
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公开(公告)号：CN110433878A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910774171.2
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于VCSEL耦合阵列的光学相位差的液体检测芯片系统，属于半导体激光器技术、生化检测技术的交叉技术领域。本发明通过采用质子注入或腔诱导反波导或光子晶体等技术，实现VCSEL耦合阵列的制备。通过PECVD、光刻、溅射、反应离子刻蚀、湿法腐蚀和键合等工艺在VCSEL耦合阵列表面集成微流控结构。在VCSEL耦合阵列上表面利用微流控技术，将待测液体通入VCSEL耦合阵列单元上方，引起VCSEL单元间光束耦合相位差改变，使得激光光束发生偏转，通过对激光光束偏转角度测量，可以计算出液体的折射率，实现液体折射率检测。
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公开(公告)号：CN108873497A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810518119.6
申请日：2018-05-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02F1/1341 , G02F1/1339 , G02F1/1333
Abstract: 本发明公开了一种基于光刻工艺的液晶盒及制备方法，属于液晶光学技术领域。该液晶盒包括下玻璃基板(1)、透明导电膜(2)、光刻胶(3)、液晶(4)、上玻璃基板(5)和边框胶(6)。本发明利用光刻胶代替传统的金属微粒或绝缘微粒作为液晶盒间隔物，不仅工艺简单、成本低，而且可以通过选择不同胶型来获得不同的液晶盒厚度，并且可以实现均匀的盒厚，在液晶显示、液晶相控在等应用领域有潜在应用。
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公开(公告)号：CN107768979A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710962891.2
申请日：2017-10-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了外延集成高对比度光栅外腔面发射激光器，普通的氧化型垂直腔面发射激光器，普通的氧化型垂直腔面发射激光器，由于其自身氧化限制层材料的各向异性及有源区材料增益的各向异性等特点，导致其出现偏振不确定或不稳定现象，对于传统的外腔压窄线宽方法通常过于复杂，集成度低，不利于芯片级的设计。本发明中我们采用生长相位匹配层、腔长匹配层的方法延长垂直腔面发射激光器的腔长，通过一次外延的方式形成低折射率介质层作为光栅支撑层和光栅介质层；再通过刻蚀光栅介质层形成光栅微结构，达到控制光偏振的同时压窄线宽。
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公开(公告)号：CN105529613A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610029639.1
申请日：2016-01-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/14
CPC classification number: H01S5/141
Abstract: 一种852nm超窄线宽外腔半导体激光器，由852nm激光器增益芯片和依次置于增益芯片出光方向上的准直透镜、可旋转的楔形棱镜对、立方分束器、可旋转的全介质薄膜法布里-珀罗滤光片、全反镜以及压电促动器组成；所述准直透镜将激光光束准直后射入外腔腔体内；所述楔形棱镜对绕光轴旋转使得正入射到棱镜镜片垂直表面的入射光束偏转；所述立方分束器将一部分光输出，另一部分光留在腔内振荡；所述法布里-珀罗滤光片可旋转以达到外腔选模的目的；所述全反镜以及PZT的结合可使全反镜沿自身法线方向移动。上述外腔激光器可以极大程度地减少机械振动对频率的影响，避免激光器出现跳摸现象，同时可以实现超窄线宽且波长线性连续可调。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108873497B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201810518119.6
申请日：2018-05-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02F1/1341 , G02F1/1339 , G02F1/1333
Abstract: 本发明公开了一种基于光刻工艺的液晶盒及制备方法，属于液晶光学技术领域。该液晶盒包括下玻璃基板(1)、透明导电膜(2)、光刻胶(3)、液晶(4)、上玻璃基板(5)和边框胶(6)。本发明利用光刻胶代替传统的金属微粒或绝缘微粒作为液晶盒间隔物，不仅工艺简单、成本低，而且可以通过选择不同胶型来获得不同的液晶盒厚度，并且可以实现均匀的盒厚，在液晶显示、液晶相控在等应用领域有潜在应用。
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公开(公告)号：CN110596798A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910915788.1
申请日：2019-09-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02B3/00
Abstract: 本发明公开了一种基于苯并环丁烯和氧化硅球的微透镜制备方法，利用SiO2和BCB来作为微透镜的制备材料不仅可以制备出不同球冠大小微透镜还可以制备出不同弧度的微透镜。该微透镜包括衬底、BCB和SiO2微球，用匀胶机将混有SiO2微球的BCB旋涂在衬底上，经加热固化和等离子刻蚀(RIE)在衬底上制备出由BCB和SiO2微球构成的微透镜结构。利用SiO2和BCB来作为微透镜的制备材料不仅可以制备出不同球冠大小微透镜还可以制备出不同弧度的微透镜。
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公开(公告)号：CN108660430A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810455783.0
申请日：2018-05-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/02 , C23C16/44 , C23C16/56 , C01B32/186 , C01B32/194
Abstract: 本发明公开了在氧化物绝缘衬底上类直接生长大面积石墨烯的工艺方法，属于石墨烯材料制备领域。本发明采用CVD法在不具有石墨烯生长催化作用的氧化物绝缘衬底上类直接生长石墨烯，石墨烯免转移可以直接制备器件。通过在绝缘衬底镀一层金属作为催化剂，利用CVD首先在金属表面生长石墨烯，在生长同时使金属表面形成孔洞形貌。之后旋凃PMMA，以PMMA作为石墨烯支撑层利用湿法腐蚀金属。腐蚀液会穿过PMMA和石墨烯腐蚀下层的金属。金属腐蚀干净后石墨烯和PMMA会落在衬底上，再用有机溶剂去除石墨烯表面的PMMA，最终得到在绝缘衬底上类直接生长的石墨烯薄膜样品。本发明工艺简单，可重复性高，生长出的石墨烯质量高，大面积，几乎无破损。
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公开(公告)号：CN106654857A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710125696.4
申请日：2017-03-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高光束质量大规模VCSEL同相耦合阵列，属于半导体激光器技术领域，该阵列为一种带网格电极的高光束质量大规模VCSEL同相耦合阵列，采用质子注入法实现出光单元间的电隔离。器件工作时，使得出光孔区域的有效折射率低于间隔区域的有效折射率，形成特殊的反波导结构。而间隔区域的网格电极进一步加大了反波导的折射率台阶，使得同相耦合的难度降低。通过适当的调节质子注入的深度d和单元间距，使得阵列满足同相激射的条件，便能够实现同相耦合阵列。本发明通过合理设计阵列单元间距和质子注入深度d，可以得到同相激光输出，提高了阵列的光束质量，可以应用于自由空间光互联、激光雷达、激光打印、光纤通信、光泵浦等领域。
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公开(公告)号：CN105655867A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610232363.7
申请日：2016-04-14
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/423
Abstract: 本发明公开了一种用于高光束质量大功率VCSEL同相耦合阵列的双条网格电极，能够解决大规模VCSEL阵列电流扩展不均匀的问题，同时还能解决传统的单条网格电极存在的同相模式吸收的问题，使阵列获得高功率同相输出。用于高光束质量大功率VCSEL同相耦合阵列的双条网格电极包括外部边框大电极、内部双条网格电极；本发明采用多次质子注入方式制备VCSEL阵列，通过合理设计阵列单元间距和新型双条网格电极，可以解决单条网格电极存在的模式吸收问题，在保证同相激光输出的同时，可以获得高功率输出，大大提高了阵列的光束质量，可以应用于自由空间光互联、激光雷达、激光打印、光纤通信、光泵浦等领域。
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