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公开(公告)号：CN106425099B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201611065870.2
申请日：2016-11-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种消除激光叠阵单元光束不均的焊接方法，该方法首先通过焊接仪器设定焊接温度曲线，焊接压力以及焊接对准位置等参数，然后对焊接子层和焊接母层的对准位置进行焊接，焊接形成新的焊接母层，循环操作，层层重叠。焊料材料为铟等软焊料和金锡等硬焊料，焊料状态为镀层、膏状或片状等。本发明通过分层次焊接半导体激光叠阵单元，以此消除半导体激光叠阵在手工排放中的单元相对位置不精确，单元受力控制不均匀等问题，最终实现激光叠阵的自动化高精度层层对接，达到激光叠阵单元均匀、光斑整齐、出光平直、成品率高的要求。层与层之间完成精准焊接，实现激光叠阵自动化高精度焊接，解决激光叠阵单元位置不齐、出光不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN104465901B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410759265.X
申请日：2014-12-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L33/00 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01S3/0941
Abstract: 本发明提供一种蓝光激光器腔面或LED腔面的制备方法，其包括：在蓝宝石衬底上方低温生长GaN缓冲层；在GaN缓冲层上通过金属有机化合物化学气相沉积法外延生长蓝光LED/LD外延层；并在蓝宝石衬底下方选区，选区部分利用光化学辅助湿法刻蚀法刻蚀出周期性的刻蚀槽；在蓝光LED/LD外延层上通过蒸镀工艺进行生长电极，且电极在外延层结构的表面上呈周期性排列，相邻电极间形成的绝缘沟道与刻蚀槽的位置相对应；在绝缘沟道与刻蚀槽相对应的位置进行解理，腔面制备。本发明提高了以蓝宝石为衬底的芯片刻蚀效率，有利于蓝宝石衬底上生长的GaN解理端面的形成。
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公开(公告)号：CN105372827A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510690418.4
申请日：2015-10-22
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: G02B27/48 , H01S5/4025
Abstract: 本发明涉及激光显示技术领域，公开了一种消除激光显示散斑的方法及激光光源。该方法包括：多个激光发射源以阵列的形式排布，且出光方向相同形成激光发射阵列；等时间间隔地重复选取所述激光发射阵列中的若干个激光发射源发光，直至所述激光发射阵列生成的激光显示散斑消除；其中，选取的激光发射源个数为预设值；每一次选取的若干个激光发射源不完全相同。本发明提供的方法通过激光发射阵列中的多个激光二极管轮流发光，从而消除各个光源时间上的相干性，使动态的散斑不断叠加，逐渐降低散斑的对比度最终消除散斑。此外，本发明未在光路上增设其他光学器件，提高了光能的利用率，提升了激光显示的质量。
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公开(公告)号：CN105278164A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510785639.X
申请日：2015-11-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02F1/13357 , G02B6/00
CPC classification number: G02F1/133615 , G02B6/0031
Abstract: 蓝光LD多齿反射传导背光照明模组结构，将多齿反射系统的外侧面制成齿状并在非出光面镀有全反射膜层，用于反光。当蓝光LD发出去的光经过该多齿反光系统的时候，光线会反射到齿面上，从而光线会从该多齿反光系统的齿面相对面射出。在该相对面上均匀涂有混有红绿荧光粉的透明胶状物，因此光线从该面射出是会激发其上的荧光粉，混合输出白光。输出的白光进入背板，在背板中的导光板特殊作用下，水平入射的光线垂直从背板上均匀输出。进而达到背板照明的目的。本结构简单、体积小，重量轻，结构紧凑的LD背光照明模组结构，具有设备投资少，生产工艺简单，产品成品率高的优点。
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公开(公告)号：CN104466668A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410759316.9
申请日：2014-12-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/042
Abstract: 本发明提供一种表面型半导体激光器件防短路结构，涉及半导体激光器制备封装技术。其包括：蓝宝石衬底、外延生长层、P型电极和N型电极以及一绝缘挡板；所述绝缘挡板通过光刻腐蚀所述外延生长层并镀绝缘层形成，且所述绝缘挡板位于所述P型电极和N型电极之间的绝缘沟道处。本发明隔绝了P型电极与N型电极的焊料，从而有效得防止了在焊接中可能发生的短路情况，减小了封装的难度，优化了封装效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104377548A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410759468.9
申请日：2014-12-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种白光半导体激光器，其包括：蓝宝石衬底、缓冲层、三个外延生长层、波长合束器；所述蓝宝石衬底为基板，依次覆上所述缓冲层和所述三个外延生长层；所述三个外延生长层作为有源区，激射出的三种波长的光；所述波长合束器将所述三种波长的光合束形成白光。本发明可以同时发射出三种不同波长光的激光器，在此基础上可通过波长合束的技术将三种不同波长的光束进行合束，使以蓝宝石为基底的白光半导体激光器的应用范围更广泛。
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公开(公告)号：CN104319626A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410535772.5
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，该缓冲层生长在所述衬底上；下分布布拉格反射镜层生长在所述缓冲层上；该下相位匹配层生长在所述下分布布拉格反射镜层上；亚集电极层生长在所述下相位匹配层上；集电极层生长在所述亚集电极层上；基极及量子阱有源区层生长在所述集电极层上；发射极层生长在所述基极及量子阱有源区层上；上相位匹配层生长在所述发射极层上；氧化限制层生长在所述上相位匹配层上；上分布布拉格反射镜层生长在所述氧化限制层上。本发明提供的微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，将VCSEL的优异光学性能与异质结晶体管的高速电学性能相结合，可以应用在光学互联和OEIC等领域。
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公开(公告)号：CN101976691B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010260142.3
申请日：2010-08-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/04 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种五结化合物半导体太阳能光伏电池芯片，其关键是在现有Ge/GaInAs/InGaP三结太阳能电池材料体系之上增加具有高禁带宽度的AlPSb材料次顶电池和更高禁带宽度的ZnSSe材料顶电池。AlPSb材料次顶电池和ZnSSe材料顶电池附加到现有Ge/GaInAs/InGaP三结太阳能电池芯片之上能够扩展太阳能电池芯片的吸收谱范围，有效解决现有太阳能电池芯片对太阳辐射分布于可见光及紫外波段的大量能流无法充分吸收的问题，提高多结太阳能电池的光电转换效率。
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