公开(公告)号：CN117004865A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202311208845.5

申请日：2023-09-19

申请人： 北京工业大学

发明人： 籍晓亮 ,  于航 ,  王雪篪 ,  侯宁 ,  杨子辰 ,  王乙舒 ,  郭福

IPC分类号： C22C30/04 ,  C22C1/02 ,  B22F9/04 ,  B22F3/105

摘要： 本发明提供一种细晶化SnBiIn合金及其制备方法和应用，涉及电子封装芯片互联材料制造技术领域。本发明提供了一种细晶化SnBiIn合金，按原子百分比计，Sn的含量为30～50at％，Bi的含量为20～40at％，In的含量为30～50at％，细晶化SnBiIn合金采用球磨的方法制备得到。本发明还提供了一种SnBiIn合金钎料，包含SnBiIn合金焊片或SnBiIn合金焊膏。本发明通过调整各元素的比例，并采用真空感应熔炼与球磨的制备方法，使In完全与Bi反应，抑制了脆性Bi相析出，组织均匀细小，熔点低，提高焊点的电迁移性能、热疲劳性能和力学性能，减小芯片翘曲的程度以及焊点失效的概率。