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公开(公告)号：CN116990593B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202310965219.4
申请日：2023-08-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种微孔阵列式平板电容传感器，包括：第一导电电极层，第二导电电极层和不导电介电层；所述不导电介电层设置在所述第一导电电极层和所述第二导电电极层之间；所述第一导电电极层和所述第二导电电极层靠近所述不导电介电层的表面分别设置有第一微孔阵列和第二微孔阵列，所述不导电介电层靠近所述第一导电电极层和所述第二导电电极层的表面分别设置有第三微孔阵列和第四微孔阵列。本发明的微结构设计精度高，可在添加碳纤维含量减少的同时，大大提升了柔性平板电容传感器的灵敏度，结构实现了可重复性，批量生产易于进行。
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公开(公告)号：CN116990593A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310965219.4
申请日：2023-08-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种微孔阵列式平板电容传感器，包括：第一导电电极层，第二导电电极层和不导电介电层；所述不导电介电层设置在所述第一导电电极层和所述第二导电电极层之间；所述第一导电电极层和所述第二导电电极层靠近所述不导电介电层的表面分别设置有第一微孔阵列和第二微孔阵列，所述不导电介电层靠近所述第一导电电极层和所述第二导电电极层的表面分别设置有第三微孔阵列和第四微孔阵列。本发明的微结构设计精度高，可在添加碳纤维含量减少的同时，大大提升了柔性平板电容传感器的灵敏度，结构实现了可重复性，批量生产易于进行。
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公开(公告)号：CN116904818A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310303292.5
申请日：2023-03-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: C22C23/04 , B21C23/08 , B21C31/00 , B21C1/24 , B21C1/22 , C22C23/00 , C22C1/02 , C22F1/06 , A61L31/02 , A61L31/14
Abstract: 一种高性能医用镁合金微细管道及其制备方法，属于金属材料及其加工技术领域。本发明通过一定的合金成分配比、熔炼工艺及一些关键性加工参数，如挤压‑拉拔复合加工参数(速率、温度及变形比等)，合金的成分为Mg‑Zn‑Ca‑X等，其中Zn元素的质量百分比含量为0‑4wt.％，Ca元素的质量百分比含量为0‑1wt.％，X元素为Mn/Sn/Sr/Si等，其质量百分比含量为0‑1wt.％，余量为Mg。在本发明条件下，通过成分设计配合相应的挤压‑拉拔复合加工工艺可得到直径2‑6mm，壁厚0.1‑0.2mm的镁合金微细管材料，其力学性能可达300‑450MPa，延伸率可达15‑30％，为血管支架的开发制备提供技术支撑。
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公开(公告)号：CN117004865A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311208845.5
申请日：2023-09-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种细晶化SnBiIn合金及其制备方法和应用，涉及电子封装芯片互联材料制造技术领域。本发明提供了一种细晶化SnBiIn合金，按原子百分比计，Sn的含量为30～50at％，Bi的含量为20～40at％，In的含量为30～50at％，细晶化SnBiIn合金采用球磨的方法制备得到。本发明还提供了一种SnBiIn合金钎料，包含SnBiIn合金焊片或SnBiIn合金焊膏。本发明通过调整各元素的比例，并采用真空感应熔炼与球磨的制备方法，使In完全与Bi反应，抑制了脆性Bi相析出，组织均匀细小，熔点低，提高焊点的电迁移性能、热疲劳性能和力学性能，减小芯片翘曲的程度以及焊点失效的概率。
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公开(公告)号：CN116356185A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310296363.3
申请日：2023-03-23
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种促进高难成形镁合金塑性加工成形方法，属于塑性材料加工领域。针对高稀土含量的Mg‑RE(包含Gd、Dy、Er、Ho等重稀土元素)合金轧制成形能力差的问题。主要是通过预“热‑力”耦合技术、少量Sn元素的协同作用，提升Mg‑RE合金的轧制成形能力，可实现Mg‑RE合金的大压下量的单道次变形，单道次压下量可达25‑60％，所获Mg‑RE合金板材的表面质量良好，无裂纹、无开裂，提升了Mg‑RE合金板材的生产效率和产品质量。
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