公开(公告)号：CN110904410A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201911307889.7

申请日：2019-12-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 周帆 ,  梁轩铭 ,  王金淑 ,  邓琦键 ,  王蕊 ,  杨韵斐 ,  杨灏天 ,  李菲祺

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/50 ,  C23C14/56 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58

Abstract: 一种制备具有高次级发射性能的氧化镁基薄膜的设备和方法，该设备包括热蒸镀真空室以及安装在真空室内的热蒸镀源物质、钨舟和基底材料，还包括真空管式炉以及配套的气体流量控制器、微调针型阀和氧气。经过热蒸镀在基底材料表面沉积金属或合金薄膜，之后在真空管式炉中通以微量氧气，维持管内真空在5～100Pa，温度400～650℃，进行热活化处理，从而获得次级发射系数高且发射稳定的氧化镁基薄膜，薄膜厚度约为100nm～1μm。此方法工艺简单，薄膜结构、成分可调，次级发射性能稳定，不需要使用昂贵的离子源或电子枪，有望开发应用于光电倍管、图像增强器、等离子平板显示器等领域。

公开(公告)号：CN116288274A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310267632.3

申请日：2023-03-15

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 尉海军 ,  杨灏天

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 一种表面掺杂梯度富锂正极材料的原子层沉积的制备方法，属于锂离子电池正极材料领域。该方法使用原子层沉积技术在梯度富锂正极材料构筑均匀的表面层，并通过调控沉积过程中的参数调节表面层厚度。将包覆后的梯度富锂材料进行热处理，实现表面掺杂。本发明通过表界面处理，可以进一步提升梯度富锂材料的首圈库伦效率和循环性能，且工艺较为简单，可选元素丰富，对电池正极的改性研究具有重要的意义。

公开(公告)号：CN116190614A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310252632.6

申请日：2023-03-15

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 尉海军 ,  杨灏天

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/0525

Abstract: 一种富锂正极材料的低成本表面钛掺杂方法，属于锂离子电池正极材料领域。具体包括以下步骤：将正极材料置入特定pH的溶液中，再向其中滴加硫酸氧钛水溶液并不断搅拌。反应一定时间后过滤得到固体粉末，烘干后在高温下进行烧结，最终得到钛表面掺杂正极材料。本发明所制得的表面钛掺杂的富锂正极材料提高了首圈库伦效率、放电比容量和循环性能，且工艺简单、成本较有机钛源更加低廉，适用于大批量处理富锂正极材料，可满足对动力电池的使用需求，具有很好的应用前景。