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公开(公告)号：CN109390195B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201811441984.1
申请日：2018-11-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种亚微米结构顶层含钪阴极及其制备方法，属于稀土难熔金属热阴极材料技术领域。采用溶胶凝胶加氢气还原的方法制备亚微米级氧化钪掺杂难熔金属粉末，经过压制微波烧结得到亚微米结构顶层含钪难熔金属基体；对难熔金属粉末进行压制烧结制得难熔金属阴极基体，将阴极基体浸渍阴极发射活性盐并进行退火处理得到基底难熔金属阴极，最后通过焊接的方式如激光焊、钎焊等制备亚微米结构顶层含钪阴极。本发明制得的亚微米结构顶层含钪阴极具有发射电流密度大，发射均匀性好的特点，经充分激活后，在950℃工作温度下，最高发射电流密度可达100A/cm2，发射斜率达1.41以上。
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公开(公告)号：CN111036914A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN202010006398.5
申请日：2020-01-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种钨基扩散阴极的增材制造制备方法，属于热阴极电子发射材料的制备技术领域，采用可三维立体成型的激光选区熔化(SLM)技术制备了阴极多孔钨基，并对激光能量与多孔钨基致密度的关系进行了研究。研究结果表明采用激光功率P＝160W，扫描速度V＝1600mm/s，扫描间距D＝0.10mm的制备工艺能够获得相对密度为65.7％的阴极基体，且能够满足阴极后续制备加工的需求，其活性盐浸渍量达13％。对该阴极发射性能进行测试，结果显示该阴极发射性能能够达到传统钡钨阴极材料的发射性能。
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公开(公告)号：CN110923667A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911306771.2
申请日：2019-12-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/56
Abstract: 一种次级电子发射薄膜材料的高效简易制备方法，属于薄膜材料的制备技术领域。以表面光滑平整的硅片、银片、FTO玻璃为基底材料，以乙酸镁和乙酸锌作为主要前驱体物，氮气作为载气，在对基底加热的条件下，通过气凝胶化学气相沉积结合高温退火，制备获得MgO/MgO-ZnO薄膜。采用本发明方法制备次级发射薄膜材料具有制备工艺简单、成本低、掺杂元素和膜厚可控、成分均匀、次级发射系数高、耐电子轰击且发射性能稳定等优点。有望应用于多种光电倍增管、图像增加器、等离子显示器等器件中。
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公开(公告)号：CN110904410A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911307889.7
申请日：2019-12-17
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种制备具有高次级发射性能的氧化镁基薄膜的设备和方法，该设备包括热蒸镀真空室以及安装在真空室内的热蒸镀源物质、钨舟和基底材料，还包括真空管式炉以及配套的气体流量控制器、微调针型阀和氧气。经过热蒸镀在基底材料表面沉积金属或合金薄膜，之后在真空管式炉中通以微量氧气，维持管内真空在5～100Pa，温度400～650℃，进行热活化处理，从而获得次级发射系数高且发射稳定的氧化镁基薄膜，薄膜厚度约为100nm～1μm。此方法工艺简单，薄膜结构、成分可调，次级发射性能稳定，不需要使用昂贵的离子源或电子枪，有望开发应用于光电倍管、图像增强器、等离子平板显示器等领域。
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公开(公告)号：CN109390195A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811441984.1
申请日：2018-11-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种亚微米结构顶层含钪阴极及其制备方法，属于稀土难熔金属热阴极材料技术领域。采用溶胶凝胶加氢气还原的方法制备亚微米级氧化钪掺杂难熔金属粉末，经过压制微波烧结得到亚微米结构顶层含钪难熔金属基体；对难熔金属粉末进行压制烧结制得难熔金属阴极基体，将阴极基体浸渍阴极发射活性盐并进行退火处理得到基底难熔金属阴极，最后通过焊接的方式如激光焊、钎焊等制备亚微米结构顶层含钪阴极。本发明制得的亚微米结构顶层含钪阴极具有发射电流密度大，发射均匀性好的特点，经充分激活后，在950℃工作温度下，最高发射电流密度可达100A/cm2，发射斜率达1.41以上。
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