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公开(公告)号：CN109485150B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201811373151.6
申请日：2018-11-19
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： C02F3/30 , C02F101/16
摘要： 一种管式膜结合后置缺氧内源反硝化深度脱氮除磷的装置，属于污水生物处理技术领域。生活污水首先由原水箱进入AOA反应器的厌氧段，厌氧段中的聚糖菌和聚磷菌充分吸收原水中的外碳源，转化合成为内碳源(PHA)储存于胞内，同时聚磷菌进行厌氧释磷；随后混合液推流进入好氧段，进行硝化反应，同时活性污泥中的聚磷菌进行好氧吸磷，完成磷的吸收；然后混合液推流进入缺氧段，硝氮被聚磷菌、聚糖菌利用实现内源反硝化；最后混合液推流进入管式膜系统进行泥水分离，滤出水作为最终出水排放，滤后污泥回流到AOA反应器厌氧区和缺氧区。本发明将缺氧段后置，充分利用内碳源进行反硝化脱氮，管式膜系统解决了回流污泥量大、泥水分离困难等问题。
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公开(公告)号：CN107010736B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201710224882.3
申请日：2017-04-07
申请人： 北京工业大学
摘要： 短程反硝化‑厌氧氨氧化脱氮耦合生物除磷的装置与方法属于污水处理领域。该装置由厌氧区、缺氧区Ⅰ、好氧区Ⅰ、缺氧区Ⅱ、缺氧区Ⅲ、好氧区Ⅱ、沉淀池组成。进水流量由PLC系统控制，60％的原水进入厌氧区完成厌氧释磷；随后混合液在缺氧区Ⅰ完成反硝化，在好氧区Ⅰ完成吸磷和硝化反应；混合液和40％原水同时进入缺氧区Ⅱ，完成短程反硝化反应；随后混合液进入IFAS方式运行的缺氧区Ⅲ，完成厌氧氨氧化反应，缺氧区Ⅲ的混合液在好氧区进一步完成吸磷、硝化反应。最后混合液进入沉淀池进行泥水分离，上清液直接排出系统外，浓缩污泥经回流泵回流至缺氧区Ⅰ，再经混合液回流泵从缺氧区Ⅰ回流至厌氧区。系统的剩余污泥定期排出系统外，实现同步脱氮除磷。
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公开(公告)号：CN102545052A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210060694.9
申请日：2012-03-09
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01S5/22
摘要： 一种具有光栅结构的边发射半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的半导体激光器外延结构；同时包括了二氧化硅绝缘层、上层P型电极、下层N型电极，其中光栅结构生长在脊形台上，制作过程采用光刻工艺；划片后，将芯片烧结在铜热沉上，封装固定在散热基座上。此结构中脊形台上光栅结构的引入抑制了注入到有源层载流子的侧向扩散，提高有源区载流子分布的均匀性，从而降低半导体激光器的阈值电流。本发明制作工艺简单、成本低、重复性好。
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公开(公告)号：CN109485150A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811373151.6
申请日：2018-11-19
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： C02F3/30 , C02F101/16
摘要： 一种管式膜结合后置缺氧内源反硝化深度脱氮除磷的装置，属于污水生物处理技术领域。生活污水首先由原水箱进入AOA反应器的厌氧段，厌氧段中的聚糖菌和聚磷菌充分吸收原水中的外碳源，转化合成为内碳源(PHA)储存于胞内，同时聚磷菌进行厌氧释磷；随后混合液推流进入好氧段，进行硝化反应，同时活性污泥中的聚磷菌进行好氧吸磷，完成磷的吸收；然后混合液推流进入缺氧段，硝氮被聚磷菌、聚糖菌利用实现内源反硝化；最后混合液推流进入管式膜系统进行泥水分离，滤出水作为最终出水排放，滤后污泥回流到AOA反应器厌氧区和缺氧区。本发明将缺氧段后置，充分利用内碳源进行反硝化脱氮，管式膜系统解决了回流污泥量大、泥水分离困难等问题。
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公开(公告)号：CN103401140A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310303707.5
申请日：2013-07-18
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明提出了一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、上限制层、欧姆接触层，腐蚀除去欧姆接触层和上限制层的四边，在欧姆接触层的中心位置形成第一脊型台，欧姆接触层上下贯通，上限制层上下不贯通；腐蚀去除上限制层未贯通部分的四角，腐蚀后上限制层的四角不贯通；电绝缘介质层覆盖于上限制层的上表面及第一脊型台的侧面，正面电极覆盖在电绝缘介质层和第一脊型台的上表面，背面电极生长在衬底上。本发明形成腔面非注入区，有效地提高了半导体激光器的COD阈值，通过在非注入窗口区刻蚀脊型结构，形成侧向弱折射率波导结构，有效地抑制了光束在水平方向上的发散。
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公开(公告)号：CN102593719A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210061698.9
申请日：2012-03-09
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01S5/22
摘要： 一种改善有源区光场分布的边发射半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的半导体激光器外延结构；同时包括了二氧化硅绝缘层、上层P型电极、下层N型电极，其中光栅结构生长在脊形台上，制作过程采用光刻工艺；划片后，将芯片烧结在铜热沉上，封装固定在散热基座上。此结构中脊形台两侧光栅结构的引入改善了有源区光场分布，抑制了注入电流的横向扩展，从而降低半导体激光器的阈值电流。本发明制作工艺简单、成本低、重复性好。
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公开(公告)号：CN102545052B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210060694.9
申请日：2012-03-09
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01S5/22
摘要： 一种具有光栅结构的边发射半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的半导体激光器外延结构；同时包括了二氧化硅绝缘层、上层P型电极、下层N型电极，其中光栅结构生长在脊形台上，制作过程采用光刻工艺；划片后，将芯片烧结在铜热沉上，封装固定在散热基座上。此结构中脊形台上光栅结构的引入抑制了注入到有源层载流子的侧向扩散，提高有源区载流子分布的均匀性，从而降低半导体激光器的阈值电流。本发明制作工艺简单、成本低、重复性好。
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公开(公告)号：CN103545714A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310493175.6
申请日：2013-10-20
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明涉及一种具有新型近腔面电流非注入区结构的半导体激光器及制造方法，该激光器包括衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、第二上限制层、刻蚀停止层、第一上限制层、欧姆接触层、电绝缘介质层、正面电极和背面电极。本发明提高了激光器COD阈值，从而使其在大功率输出时具有高可靠性；同时抑制半导体激光器光束的水平发散角，改善光束质量；使电流注入更集中，转化效率更高；此外，这种半导体激光器制作简单，便于生产。
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公开(公告)号：CN110002678B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201910316299.4
申请日：2019-04-19
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： C02F9/14 , C02F101/30
摘要： PNA系统后置短程反硝化实现城市污水深度脱氮的装置与方法，属于污水生物处理领域。在序批式反应器中以好氧‑缺氧运行。将低C/N比污水进入PNA‑PNAD系统。曝气阶段，AOB和Anammox共同作用利用原水NH4+‑N进行自养脱氮。通过在线探头监测氨氮和硝酸盐浓度，两值接近时，停止曝气，进入缺氧搅拌，添加有机碳源，使COD/NO3‑‑N＝3‑5。缺氧搅拌阶段，反硝化细菌和Anammox协同作用进行脱氮，将剩余NH4+‑N和NO3‑‑N进一步降解，最终实现PNA‑PNDA城市污水深度脱氮。本发明解决PNA应用于城市污水，出水氨氮过低导致亚硝酸盐氧化细菌(NOB)竞争性生长导致系统破坏；解决PNA处理城市污水出水硝酸盐高和氨氮不能过低问题。
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