公开(公告)号：CN109216496B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201811231680.2

申请日：2018-10-22

申请人： 北京工业大学

发明人： 徐晨 ,  董毅博 ,  孙捷 ,  解意洋 ,  程传同 ,  毛旭瑞 ,  潘冠中 ,  王秋华 ,  钱峰松

IPC分类号： H01L31/108 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了应用派瑞林N薄膜直接生长石墨烯的硅肖特基结探测器，属于半导体光电子器件技术领域。其基本结构从下往上依次为：下金属电极、轻掺杂n型硅、二氧化硅绝缘层、石墨烯薄膜、上金属电极。应用派瑞林N直接生长石墨烯，生长原理简单，生长速度快，石墨烯无需转移，大幅度提升器件制备效率。制得的石墨烯与衬底接触良好，石墨烯薄膜均匀，污染少，因此所得到的探测器一致性好。适合于未来石墨烯—硅肖特基结探测器的大规模产业化制备。

公开(公告)号：CN109216496A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201811231680.2

申请日：2018-10-22

申请人： 北京工业大学

发明人： 徐晨 ,  董毅博 ,  孙捷 ,  解意洋 ,  程传同 ,  毛旭瑞 ,  潘冠中 ,  王秋华 ,  钱峰松

IPC分类号： H01L31/108 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了应用派瑞林N薄膜直接生长石墨烯的硅肖特基结探测器，属于半导体光电子器件技术领域。其基本结构从下往上依次为：下金属电极、轻掺杂n型硅、二氧化硅绝缘层、石墨烯薄膜、上金属电极。应用派瑞林N直接生长石墨烯，生长原理简单，生长速度快，石墨烯无需转移，大幅度提升器件制备效率。制得的石墨烯与衬底接触良好，石墨烯薄膜均匀，污染少，因此所得到的探测器一致性好。适合于未来石墨烯—硅肖特基结探测器的大规模产业化制备。