公开(公告)号：CN119710568A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411740457.6

申请日：2024-11-29

Applicant: 北京工业大学重庆研究院 ,  北京工业大学

Inventor： 贾强 ,  胡虎安 ,  郭福 ,  王乙舒 ,  马立民

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及电子封装技术领域，尤其是涉及一种全金属间化合物薄膜的制备方法及应用。包括以下步骤：(1)在惰性气氛下，采用双靶双束脉冲激光沉积技术在晶圆表面沉积金属颗粒薄膜，沉积选用的主靶和副靶的材料均为金属；在沉积初始阶段晶圆的加热温度为260‑300℃，气压为50‑500Pa；在沉积后期阶段晶圆的加热温度为220‑260℃，气压为500‑1500Pa；(2)对沉积完成的晶圆进行热处理，得到覆盖在晶圆表面的全IMC薄膜。本发明提供的制备方法能够提升全IMC薄膜制备的沉积速度、改善薄膜质量，并大幅降低能耗和设备复杂性，将制备得到的全IMC薄膜应用于电子封装，能够显著提高器件的可靠性和性能稳定性。

公开(公告)号：CN119614155A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411679877.8

申请日：2024-11-22

Applicant: 北京工业大学重庆研究院 ,  北京工业大学

Inventor： 贾强 ,  胡虎安 ,  郭福 ,  王乙舒 ,  马立民

IPC: C09K5/06 ,  H01L23/373 ,  H01L23/29 ,  C23C14/28 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  B22F3/10

Abstract: 本发明涉及芯片封装散热技术领域，尤其是涉及一种用于多芯片封装的热界面材料及其制备方法，制备方法包括以下步骤：步骤1：对DBC基板采用脉冲激光沉积的方式依次铺设纳米小颗粒区域、纳米中颗粒区域和微米大颗粒区域形成梯度过渡结构；步骤2：将步骤1沉积完成的DBC基板在热沉上烧结；步骤3：将烧结完成的DBC基板在惰性气环境下冷却至室温；步骤4：在烧结完成的梯度过渡结构内注入相变材料，并在四周打印一圈环氧树脂用于密封。本发明提出了一种用于多芯片封装的热界面材料，通过颗粒尺寸的渐变设计，实现形成连续的多层次孔隙结构，从而提高导热性能、冷凝液回流能力和界面稳定性。

公开(公告)号：CN116060626B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202211567737.2

申请日：2022-12-07

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 贾强 ,  胡虎安 ,  郭福 ,  王乙舒 ,  马立民

IPC: B22F9/12 ,  B22F1/054 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及纳米合金材料制备技术领域，提供一种纳米合金颗粒的制备装置及方法，该纳米合金颗粒的制备装置包括激光发生单元和制备单元。激光发生单元用于发出至少两束激光。制备单元包括制备器，制备器内形成有制备腔，制备腔内设有至少两个用于放置异种靶材的放置平台，制备器还设有用于穿过激光的入射窗以及用于收集纳米合金颗粒的收集口。其中，靶材设置为圆形，靶材的所在平面与激光的焦平面的相交处与靶材的直径相重合，放置平台可驱动靶材沿其圆心自转，激光发生单元可驱动激光沿靶材的直径方向移动。实现等离子体的充分交叉复合，提升纳米合金颗粒的均匀性。

公开(公告)号：CN116197569A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310068743.1

申请日：2023-02-06

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 贾强 ,  胡虎安 ,  郭福 ,  王乙舒 ,  马立民 ,  陈玉章 ,  汉晶

IPC: B23K35/02 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  B23K35/40 ,  B23K20/00

Abstract: 本发明提供一种焊片、焊片制备系统和焊片烧结方法。焊片包括：焊片本体和多个金属凸起，多个金属凸起分别间隔设置于所述焊片本体的第一表面和第二表面，在所述焊片本体的第一表面和第二表面的所述多个金属凸起中任意两个相邻金属凸起之间的间距为1‑50μm。通过焊片本体的第一表面和第二表面形成多个金属凸起紧密间隔设置的微纳米结构，促进多个金属凸起与芯片扩散焊接，从而在较低温度烧结，实现不含有机物的情况下焊片与芯片能够大面积的均匀可靠连接。

公开(公告)号：CN116230564A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310069463.2

申请日：2023-01-18

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 贾强 ,  胡虎安 ,  郭福 ,  崔泽 ,  王乙舒 ,  马立民

IPC: H01L21/60 ,  C23C14/18 ,  C23C14/28 ,  B82Y30/00 ,  H01L23/492

Abstract: 本发明提供一种纳米铜材料的低温烧结连接方法，所述方法包括在经催化的甲酸气体氛围中进行烧结，烧结过程中，先升温至80‑200℃，保温5‑10min，再在压强0‑30MPa、温度0‑280℃条件下继续烧结3‑30min；其中，利用负载在多孔加热陶瓷片表面的催化剂薄膜催化甲酸气体。本发明利用纳米薄膜形式的催化剂催化甲酸，在特定烧结工艺窗口下对纳米铜材料进行低温烧结连接，该方法可以解决纳米铜材料力学性能不强、电气性能不佳的难点问题，而且该烧结连接方法还原效果显著、经济环保、效率高。

公开(公告)号：CN116060626A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211567737.2

申请日：2022-12-07

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 贾强 ,  胡虎安 ,  郭福 ,  王乙舒 ,  马立民

IPC: B22F9/12 ,  B22F1/054 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及纳米合金材料制备技术领域，提供一种纳米合金颗粒的制备装置及方法，该纳米合金颗粒的制备装置包括激光发生单元和制备单元。激光发生单元用于发出至少两束激光。制备单元包括制备器，制备器内形成有制备腔，制备腔内设有至少两个用于放置异种靶材的放置平台，制备器还设有用于穿过激光的入射窗以及用于收集纳米合金颗粒的收集口。其中，靶材设置为圆形，靶材的所在平面与激光的焦平面的相交处与靶材的直径相重合，放置平台可驱动靶材沿其圆心自转，激光发生单元可驱动激光沿靶材的直径方向移动。实现等离子体的充分交叉复合，提升纳米合金颗粒的均匀性。