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公开(公告)号：CN114211070B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202111681898.X
申请日：2021-12-31
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明涉及钎焊技术领域，具体涉及一种Sn基钎料焊点重熔晶体取向制备方法，具体提供一种Sn/Ag/Bi/In钎料，其成份及重量百分比为：Ag：3.5，Bi：0.5，In：8.0，Sn：余量；所述钎料为膏状钎料；本发明钎料中的合金元素增多，可使Sn基钎料焊点的熔点降低至193～209℃，能够在更低的温度参数下进行软钎焊，保证芯片焊接损耗率更低；本发明钎料在重熔后形成焊点，Sn焊点的硬度的各向异性影响降低，焊点的力学性能提高，强度变得均匀。
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公开(公告)号：CN116399746A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310386215.0
申请日：2023-04-12
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明公开一种用于纳米银焊膏热疲劳测试结构及其制作方法，属于功率电子器件封装技术领域，包括基板，基板上方设置有阵列烧结层，阵列烧结层上方设置有芯片，基板与芯片通过阵列烧结层形成互联结构；阵列烧结层由若干个连续设置的纳米银层构成，相邻两纳米银层之间设置有间隙，若干个纳米银层围成正方形结构，且若干个纳米银层沿芯片的边缘设置。本发明能够保证互联结构在热疲劳载荷下具有更集中的应力，解决了传统结构在测试热疲劳可靠性高的纳米银焊膏时效果不明显的问题，缩短了测试时间。
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公开(公告)号：CN114211068B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202111660949.0
申请日：2021-12-31
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明公开一种通过预制IMCs焊盘形成全IMCs结构焊点的方法，属于材料制备与连接领域，适用于制备全IMCs的微型钎焊对接接头，应用于微电子连接的力学、热学以及电学的可靠性研究，其通过以下步骤实现：焊料漏印；将焊料加热重熔形成焊球；依据尺寸要求挑选焊球；将焊球置于印制电路板表面的铜片上，加热重熔结合且形成凸点结构；腐蚀凸点结构；制成两个IMCs焊盘；加热重熔使IMCs焊盘结合；对IMCs焊盘的焊点进行研磨、精抛，最终获得全IMCs焊点。本发明能够避免Sn基焊料中Sn各向异性降低焊点可靠性的情况；工艺简单，成本低廉。本发明的关键步骤在于焊料涂覆在预制的IMCs焊盘进行重熔、冷却，通过EDS技术确定焊点成分为IMCs。
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公开(公告)号：CN118380392A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410399410.1
申请日：2024-04-03
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明涉及功率电子器件封装技术领域，尤其是涉及一种功率器件封装用仿生蜂巢基板及其制备方法和应用，基板表面具有仿生蜂巢图案化的双尺度微纳结构，包括：微米级结构构成的蜂巢图案结构：密排的正六边形，其边长为1.5‑1.7mm，正六边形的中心存在直径为1mm的圆形，圆形内部填充间距30‑40μm，高度为40‑50μm的微锥阵列，其余部分为环形填充的微沟槽，其间距为30‑40μm，深度为20‑50μm；纳米级结构：附着在整个基板表面的纳米颗粒，纳米颗粒的粒径为50‑300nm。本发明以自然界中具有稳定性的蜂巢结构为模板，首先通过超快激光在Cu基板表面制备微纳双尺度图案化结构，然后进行纳米银的烧结进行与芯片的互连，显著提升烧结银连接强度，实现了第三代半导体的高可靠封装。
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公开(公告)号：CN114211070A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111681898.X
申请日：2021-12-31
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明涉及钎焊技术领域，具体涉及一种Sn基钎料焊点重熔晶体取向制备方法，具体提供一种Sn/Ag/Bi/In钎料，其成份及重量百分比为：Ag：3.5，Bi：0.5，In：8.0，Sn：余量；所述钎料为膏状钎料；本发明钎料中的合金元素增多，可使Sn基钎料焊点的熔点降低至193～209℃，能够在更低的温度参数下进行软钎焊，保证芯片焊接损耗率更低；本发明钎料在重熔后形成焊点，Sn焊点的硬度的各向异性影响降低，焊点的力学性能提高，强度变得均匀。
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公开(公告)号：CN114211068A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111660949.0
申请日：2021-12-31
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明公开一种通过预制IMCs焊盘形成全IMCs结构焊点的方法，属于材料制备与连接领域，适用于制备全IMCs的微型钎焊对接接头，应用于微电子连接的力学、热学以及电学的可靠性研究，其通过以下步骤实现：焊料漏印；将焊料加热重熔形成焊球；依据尺寸要求挑选焊球；将焊球置于印制电路板表面的铜片上，加热重熔结合且形成凸点结构；腐蚀凸点结构；制成两个IMCs焊盘；加热重熔使IMCs焊盘结合；对IMCs焊盘的焊点进行研磨、精抛，最终获得全IMCs焊点。本发明能够避免Sn基焊料中Sn各向异性降低焊点可靠性的情况；工艺简单，成本低廉。本发明的关键步骤在于焊料涂覆在预制的IMCs焊盘进行重熔、冷却，通过EDS技术确定焊点成分为IMCs。
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公开(公告)号：CN116197569A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310068743.1
申请日：2023-02-06
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： B23K35/02 , H01L23/488 , H01L21/60 , B23K35/40 , B23K20/00
摘要： 本发明提供一种焊片、焊片制备系统和焊片烧结方法。焊片包括：焊片本体和多个金属凸起，多个金属凸起分别间隔设置于所述焊片本体的第一表面和第二表面，在所述焊片本体的第一表面和第二表面的所述多个金属凸起中任意两个相邻金属凸起之间的间距为1‑50μm。通过焊片本体的第一表面和第二表面形成多个金属凸起紧密间隔设置的微纳米结构，促进多个金属凸起与芯片扩散焊接，从而在较低温度烧结，实现不含有机物的情况下焊片与芯片能够大面积的均匀可靠连接。
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公开(公告)号：CN219715134U
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202320800760.5
申请日：2023-04-12
申请人： 北京工业大学
摘要： 本实用新型公开一种用于纳米银焊膏热疲劳测试结构，属于功率电子器件封装技术领域，包括基板，基板上方设置有阵列烧结层，阵列烧结层上方设置有芯片，基板与芯片通过阵列烧结层形成互联结构；阵列烧结层由若干个连续设置的纳米银层构成，相邻两纳米银层之间设置有间隙，若干个纳米银层围成正方形结构，且若干个纳米银层沿芯片的边缘设置。本实用新型能够保证互联结构在热疲劳载荷下具有更集中的应力，解决了传统结构在测试热疲劳可靠性高的纳米银焊膏时效果不明显的问题，缩短了测试时间。
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