公开(公告)号：CN117080069A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311046769.2

申请日：2023-08-19

申请人： 北京工业大学

发明人： 朱彦旭 ,  费宝亮 ,  王雨涵

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/778

摘要： 本发明公开了共源极的双环形栅P型氮化镓增强型器件及其制备方法。制备方法包括如下步骤：GaN外延生长；进行器件隔离；生长SiO2保护有源区台面；所述器件结构刻蚀源漏区域；溅射源漏电极，退火形成欧姆接触；溅射环形栅电极，形成肖特基接触；刻蚀形成电隔离；生长SiO2钝化层；进行开孔。本发明提高了器件的阈值电压、击穿电压；降低了电流崩塌效应、边缘效应、导通电阻；改善了栅极控制能力、电流驱动能力、亚阈值斜率和开关电流比；有效抑制了反向漏电流、降低动态Ron/静态Ron比，实现更好的动态特性。

公开(公告)号：CN117438456A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311427754.0

申请日：2023-10-31

申请人： 北京工业大学

发明人： 朱彦旭 ,  王雨涵 ,  费宝亮

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种增强型垂直环栅GaN HEMT器件及制备方法，器件包括：自底向上布置的漏区Si3N4钝化层、漏电极、n+GaN衬底、n‑GaN缓冲层、p+GaN渐变阶梯埋层、SiO2电流阻挡层、AlN层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和p‑GaN层，以及顶部由内向外设置的环形栅内钝化层、栅电极、环形栅外钝化层、源电极、源区外侧钝化层和SiO2保护层；n‑GaN缓冲层外延淀积于n+GaN衬底上，n‑GaN缓冲层部分区域纵向刻蚀后、注入Mg离子并通过退火工艺形成p+GaN渐变阶梯埋层；SiO2电流阻挡层上刻蚀得到AlN槽窗口，AlN层淀积于AlN槽窗口中。通过本发明的技术方案，提高了器件的击穿特性，提高了电流开关比，改善了功率型开关器件的性能。