-
公开(公告)号：CN103078036B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310017932.2
申请日：2013-01-17
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L33/42
摘要： 基于石墨烯薄膜的透明电极的制备方法，在石墨烯薄层与器件表面之间插入ITO纳米薄层；包括以下步骤：将GaN基LED外延片（208）进行清洗；在p-GaN层（203）上制作第一纳米ITO薄层（202），厚度为7-10nm；退火；将第二石墨烯薄膜层（201）转移到（202）上；在（202）上光刻定义出台阶区域，并且利用台阶上的光刻胶作为掩模，去除（201）和（202），然后进行ICP刻蚀，直至刻蚀到n-GaN为止；光刻定义出透明导电层的图形（201）和（202）；光刻电极图形，制作金属电极；进行超声剥离；GaN基LED所需的后段工艺。本发明降低了石墨烯与半导体材料的接触电阻，并且使整个透明导电层结构保持一个很高的透光率，使整体的透光率和石墨烯薄膜几乎保持一致。
-
公开(公告)号：CN102916029A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210397580.3
申请日：2012-10-18
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种高压发光二极管，属于半导体光电子器件领域。其高压发光二极管的主要结构依次包括：电极、第一接触层、有源区、第二接触层、隔离槽、绝缘保护层、缓冲层、衬底组成的LED结构。其采用外延生长法得到绝缘保护层；采用ICP干法刻蚀第一接触层，直至绝缘保护层，形成隔离槽，将LED独立绝缘开来；最后溅射金属进行串联，形成发光二极管阵列。本发明取代原有的刻蚀至衬底的方法，大大降低了隔离槽的深度，解决了绝缘保护层良好包覆在隔离槽侧壁的问题，使器件的制备不必采用深刻蚀工艺。
-
公开(公告)号：CN100409463C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200510132116.1
申请日：2005-12-16
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明属于光电子器件领域。传统结构光提取效率低，热可靠性差，绝缘层一次生长完成，易造成PN结漏电。结构包括：P电极加厚电极(1)，高反镜保护层(2)，金属高反镜(3)，N电极(4)，N型半导体(5)，多量子阱有源区MQW(6)，P型半导体(7)，P电极欧姆接触层(8)，N电极加厚电极(9)，衬底(10)；由P型半导体，多量子阱有源区MQW，N型半导体构成LED台；其特征在于：LED台侧壁上有透明绝缘层(11)；台上表面小于下表面面积；LED台侧壁与竖直面成锐角；金属高反镜覆盖在P电极欧姆接触层上，并延展覆盖在透明绝缘层上，但不与N电极接触；金属高反镜、透明绝缘层和LED台三者折射率大小排列为高低高。本发明解决了LED侧面出光，不能有效提取器件所发出的光问题，防止PN结氧化。
-
公开(公告)号：CN117080069A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311046769.2
申请日：2023-08-19
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L21/335 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/778
摘要： 本发明公开了共源极的双环形栅P型氮化镓增强型器件及其制备方法。制备方法包括如下步骤：GaN外延生长；进行器件隔离；生长SiO2保护有源区台面；所述器件结构刻蚀源漏区域；溅射源漏电极，退火形成欧姆接触；溅射环形栅电极，形成肖特基接触；刻蚀形成电隔离；生长SiO2钝化层；进行开孔。本发明提高了器件的阈值电压、击穿电压；降低了电流崩塌效应、边缘效应、导通电阻；改善了栅极控制能力、电流驱动能力、亚阈值斜率和开关电流比；有效抑制了反向漏电流、降低动态Ron/静态Ron比，实现更好的动态特性。
-
公开(公告)号：CN104900745A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510276391.4
申请日：2015-05-26
申请人： 北京工业大学
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/10 , H01L31/1804
摘要： 本发明涉及一种基于高电子迁移率晶体管的光谱探测器及其制备方法，本发明在高电子迁移率晶体管的栅极金属薄膜上设置了一层光电阴极薄膜。光谱检测时，光辐射射到光电阴极薄膜上，使光电阴极薄膜发生外光电效应，其表面电荷分布发生变化，使栅极电压发生改变，导致高电子迁移率晶体管内部的二维电子气产生或浓度发生变化，从而使高电子迁移率晶体管的沟道电流发生变化，使光波信号转变为电信号，实现对光辐射的高灵敏度探测。
-
公开(公告)号：CN102927469B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201210427860.4
申请日：2012-10-31
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： F21S2/00 , F21V29/00 , F21Y101/02
摘要： 本发明提供了一种LED的散热灯具，涉及半导体光电子器件技术领域，具体包括LED芯片（11），金属基片（12），散热板（13），散热片（14），U形玻璃容器（15），导热液（16）以及绝缘胶（23），在出光侧的U形玻璃容器具内充有导热液，导热液与LED芯片之间具有绝缘胶隔离。本发明所要解决的技术问题是提供一种LED的散热灯具，有效解决LED灯具出光侧散热不足的问题。
-
公开(公告)号：CN117438456A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311427754.0
申请日：2023-10-31
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种增强型垂直环栅GaN HEMT器件及制备方法，器件包括：自底向上布置的漏区Si3N4钝化层、漏电极、n+GaN衬底、n‑GaN缓冲层、p+GaN渐变阶梯埋层、SiO2电流阻挡层、AlN层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和p‑GaN层，以及顶部由内向外设置的环形栅内钝化层、栅电极、环形栅外钝化层、源电极、源区外侧钝化层和SiO2保护层；n‑GaN缓冲层外延淀积于n+GaN衬底上，n‑GaN缓冲层部分区域纵向刻蚀后、注入Mg离子并通过退火工艺形成p+GaN渐变阶梯埋层；SiO2电流阻挡层上刻蚀得到AlN槽窗口，AlN层淀积于AlN槽窗口中。通过本发明的技术方案，提高了器件的击穿特性，提高了电流开关比，改善了功率型开关器件的性能。
-
公开(公告)号：CN104393093A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410641038.7
申请日：2014-11-13
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L31/108
CPC分类号： H01L31/108 , H01L31/18
摘要： 应用石墨烯的高探测率氮化镓基肖特基型紫外探测器，其基本结构从下往上依次为重掺杂n型氮化镓、轻掺杂n型氮化镓、二氧化硅绝缘层、金属电极、石墨烯薄膜。金属电极拥有透明、导电的性质，并且拥有半金属性。在和轻掺杂n型GaN直接接触的情况下，能形成大约0.5ev的势垒。形成之势垒表现为接近金属电极的GaN内部能带弯曲，形成空间电荷区可以进行分离电子空穴，从而产生光生电动势和光生电流。通过引入表面缺陷的方法可以大大提高探测器的响应度。这一结构工艺简单，效率高；从而增加电子空穴对的分离能力，增大探测器内量子效率，增大探测率和响应度。
-
公开(公告)号：CN102709423B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210150253.8
申请日：2012-05-15
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L33/14
摘要： 一种具有电荷输运限制的高压发光二极管及其制备工艺，属于半导体光电子器件领域。其高压发光二极管的主要结构依次包括：电极、接触层、有源区、隔离槽、未掺杂电流限制层、反型防护层组成的LED结构。该结构是：利用ICP刻蚀隔离槽的方法，将LED独立绝缘开来，通过第二接触层、未掺杂电流限制层、反型防护层形成载流子输运限制结构，限制其在工作时处于反向状态，最后溅射金属进行串联，形成发光二极管阵列。本发明取代原有的刻蚀至衬底的方法，大大降低了隔离槽的深度，解决了绝缘层良好包覆在隔离槽侧壁的问题，使器件的制备不必采用深刻蚀工艺。同时该结构对器件提供静电保护，提高了器件的可靠性。
-
公开(公告)号：CN103078036A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310017932.2
申请日：2013-01-17
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L33/42
摘要： 基于石墨烯薄膜的透明电极的制备方法，在石墨烯薄层与器件表面之间插入ITO纳米薄层；包括以下步骤：将GaN基LED外延片（208）进行清洗；在p-GaN层（203）上制作第一纳米ITO薄层（202），厚度为7-10nm；退火；将第二石墨烯薄膜层（201）转移到（202）上；在（202）上光刻定义出台阶区域，并且利用台阶上的光刻胶作为掩模，去除（201）和（202），然后进行ICP刻蚀，直至刻蚀到n-GaN为止；光刻定义出透明导电层的图形（201）和（202）；光刻电极图形，制作金属电极；进行超声剥离；GaN基LED所需的后段工艺。本发明降低了石墨烯与半导体材料的接触电阻，并且使整个透明导电层结构保持一个很高的透光率，使整体的透光率和石墨烯薄膜几乎保持一致。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
44 条记录 (耗时 0.025 秒)
