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公开(公告)号：CN118073958A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410100537.9
申请日：2024-01-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/024
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器液体喷流控温系统，包括由进液口、出液口、喷流柱、液体腔室、下螺纹孔、下密封凹槽和腔壁组成的喷流控温腔，由绕流柱、上螺纹孔、上密封凹槽、台板和焊盘组成的控温台。喷流柱顶端包含多圈喷流孔，其中同一圈上的喷流孔均具有相同的半径且喷流孔间的间距均相等，同时同一圈上喷流孔顶部与台板之间的距离均相等。喷流孔半径和喷流孔顶部与台板之间的距离分别随着喷流孔圈数从中心向外侧增加呈指数性减小和线性减小。同时本发明所述的控温台底部中心区域包含多圈绕流柱。本发明可以实现对半导体激光器温度的快速、便捷、精准调控，进而同步提升半导体激光器的光学和热学性能。
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公开(公告)号：CN113838927B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202110985799.4
申请日：2021-08-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/735 , H01L29/06 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种电荷等离子体SiGe异质结双极晶体管，为npn型晶体管。采用SiGe材料制备基区，与未掺杂的Si发射区和Si集电区形成异质结，通过有效改变发射结处能带结构来提高器件的电流增益。同时考虑到金属镉的功函数为4.07eV，易于与未掺杂的Si形成良好的金‑半接触，有效诱导产生n型电荷等离子体，且具有优良的导电性，较好的抗熔焊性，以及优异的抗拉强度和高耐磨性等优点，因此本发明采用金属镉作为发射极和集电极的电极材料，用于调节发射极和集电极下方对应发射区和集电区内n型载流子浓度。通过上述结构的有效配合，实现了晶体管电流增益、击穿电压和特征频率的同步提高。
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公开(公告)号：CN109742138B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN201910000686.7
申请日：2019-01-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种具有低温度敏感性的SOI SiGe异质结双极晶体管。晶体管采用由SiO2绝缘层和Si3N4绝缘层组成的多层绝缘层结构，可以有效减小衬底寄生电容，提高器件频率特性；降低漏电流，使得器件具有更低的功耗；消除闩锁效应以及改善混频信号电路串扰问题。Si3N4绝缘层改善器件热阻，达到降低器件整体温度分布的目的。晶体管的SiGe基区中Ge组分采用从发射结侧向集电结侧呈递增的阶梯型分布结构，在保证较高特征频率和较大电流增益的同时，使器件电流增益随温度变化趋势变缓，器件的温度敏感性得到改善。所述晶体管的结温更低，电流增益和静态工作点抗扰动能力更强，可在较宽的工作偏置范围内实现器件的热稳定工作。
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公开(公告)号：CN113449423A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110740255.1
申请日：2021-06-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种应用于微波器件的新型高效电磁优化方法，属于微波器件设计优化领域，用于解决电磁优化中的局部优化方法容易因为优化起点不佳而陷入局部最优解和全局优化方法的收敛速率总是相对较低的问题。本发明具体提出了一种新型的包含并行局部采样和贝叶斯优化(BayesianOptimization，BO)方法的高效电磁优化方法。传统BO仅使用优化迭代中潜在最优解的信息，本发明提出一种新式并行局部采样策略，提高潜在最优解附近的采样能力，局部采样范围由当前潜在最优解的导数信息确定，使用局部采样点与潜在最优解共同建立替代模型进而指导优化过程。采用本发明能够对多数微波器件高效的进行设计优化，优化的收敛速度快，能有效的指导微波器件的生产。
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公开(公告)号：CN111884622A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010639282.5
申请日：2020-07-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/02
Abstract: 一种宽频带工作的差分有源电感涉及射频集成电路领域，包括：第一N型MOS晶体管(M1)，第二N型MOS晶体管(M2)，第三N型MOS晶体管(M3)，第四N型MOS晶体管(M4)，第五P型MOS晶体管(M5)，第六P型MOS晶体管(M6)，第七N型MOS晶体管(M7)，第八N型MOS晶体管(M8)以及由无源电感L和MOS变容管并联构成的LC谐振电路。其中，晶体管M1、M3和M2、M4构成差分有源电感架构，M5、M6、M7和M8构成有源电感偏置电流源，LC谐振电路加在晶体管M3与M4漏极之间、晶体管M1与M2栅极之间，实现了有源电感宽的工作频带、在宽频带及高频下具有高的Q值和大的电感值，并实现电感值和Q值可调谐。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111460734A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010256969.0
申请日：2020-04-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提出一种结合先进自适应采样和人工神经网络的微波器件自动建模方法，用于解决微波建模过程中训练数据/验证数据的采样问题。本发明提出的增强型自动建模方法(AMG)方法分阶段执行数据采样，该采样过程为一种新型的自适应采样。在数据采样的每一阶段中，AMG不必沿着建模空间的所有维度进行均匀采样，而是识别当前阶段对模型输出行为非线性影响最大的输入维度，然后在输入空间的这个维度上进行采样，生成额外的训练数据。该AMG方法能够自动执行训练/验证数据的自适应采样和神经网络的自动训练，以用最少的数据样本获得用户所需精度的能够代表微波器件行为特征的神经网络模型。
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公开(公告)号：CN105680822B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201610007381.5
申请日：2016-01-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高Q值、电感值与工作频率范围可调谐的有源电感，该有源电感包括可变电容、有源反馈电阻、正跨导放大器、负跨导放大器、第一可调电流源、第二可调电流源、隔直电容。其中负跨导放大器为在共源极‑共栅极结构上加入多重电压调制电路；可调节的有源反馈电阻连接于正负跨导放大器之间，用于改善有源电感的实部损耗，进而进一步地提高Q值；可变电容连接于正跨导放大器的输入端和负跨导放大器的输出端，用于调节有源电感的负载电容，进而扩展电感值和Q值的调节范围。两个可调电流源分别为正跨导放大器和负跨导放大器提供直流偏置，并可以调节有源电感的工作频率范围。这些组成部分使得该有源电感的工作频率、电感值和Q值均可进行调节。
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公开(公告)号：CN107124157A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710270950.X
申请日：2017-04-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/48
Abstract: 一种高Q值、电感值可粗调细调的宽频带有源电感，包括：第一跨导单元(1)，调制单元(2)，第二跨导单元(3)，第三跨导单元(4)，第四跨导单元(5)，第一可调偏置电路(6)，第二可调偏置电路(7)，第三可调偏置电路(8)，第四可调偏置电路(9)。其中，调制单元(2)与第一跨导单元连接，用于增大有源电感的Q值和带宽；第一跨导单元、调制单元、第二跨导单元构成主回路，第三跨导单元、第四跨导单元构成从回路，主回路和从回路进行并联，增大了整个回路中用来合成电感的等效电容，从而提高了有源电感的电感值。本发明不但实现了有源电感在不同频率下高的Q峰值和Q峰值的可调谐，而且实现了对有源电感电感值的粗调和细调。
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公开(公告)号：CN104660185B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201510051759.7
申请日：2015-02-01
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03F1/42
Abstract: 一种低功耗超宽带低噪声放大器涉及一种射频集成电路技术领域。本发明通过采用由第一MOS管(M1)构成的共源输入放大级，可以使得第二MOS管(M2)的跨导增强，在实现输入匹配和噪声匹配的同时，实现高增益；第二MOS管(M2)的负载采用并联峰化电感L3和电阻R6，为电路系统提供一个零点，增加了电路系统的稳定性，并拓展其带宽；第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4)构成多级电流复用结构，实现了低功耗。本发明提供了一种在2～5GHz频率范围内工作的低功耗超宽带低噪声放大器。
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公开(公告)号：CN103546104B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310503791.5
申请日：2013-10-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03F1/26
Abstract: 本发明提供一种小面积、线性度可调谐的高线性Cascode低噪声放大器，涉及射频集成电路领域，以解决现有低噪声放大器线性度不具有可调谐性，芯片面积过大的问题。该发明包括由共射级晶体管的集电极连接共基极晶体管的发射极构成的Cascode结构和创新的失真抵消通路，其中，所述失真抵消通路与所述Cascode结构的共射极晶体管集电极和共基极晶体管的发射极相连接，所述失真抵消通路包括并联了电容的共基极晶体管和集电极-基极短路连接的晶体管，所述低噪声放大器的阻抗匹配通过电阻串联电容的并联负反馈实现。本发明采用失真抵消通路，实现了宽带的高线性和线性度的可调谐；芯片面积有了极大的减小。
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