公开(公告)号：CN112420858B

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202011120442.1

申请日：2020-10-20

申请人： 北京工业大学

发明人： 谢红云 ,  向洋 ,  沙印 ,  朱富 ,  纪瑞朗 ,  张万荣

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/11

摘要： 本发明公开了一种硅基脊波导光电晶体管探测器。该晶体管包括Si衬底、在Si衬底上制备的SiO2 BOX层、在BOX层上依次制备的Si次集电区、Si集电区、Si0.8Ge0.2基区和多晶Si发射区，其中由n型Si次集电区、n型Si集电区、p型Si0.8Ge0.2基区和n型多晶硅发射区构成渐变耦合脊波导结构。一种硅基脊波导光电晶体管探测器的入射光，代替传统HPT光从顶端垂直入射的方式，由Si次集电区、Si集电区、Si0.8Ge0.2基区和多晶Si发射区构成的波导的端面侧向入射，光传输方向与载流子运动方向垂直，实现被探测光由侧边探测吸收，缓解光响应度和光电响应速度之间的矛盾，为提高光吸收效率和提高载流子传输速度提供了机会。

公开(公告)号：CN109450404B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN201811219238.8

申请日：2018-10-19

申请人： 北京工业大学

发明人： 张万荣 ,  徐曙 ,  谢红云 ,  金冬月 ,  张崟 ,  杨鑫

IPC分类号： H03H11/48

摘要： 一种可工作在Ku波段的有源电感，包括第一Q‑增强型跨导器单元(1)，第二Q‑增强型跨导器单元(2)，第一可调输入单元(3)，第二可调输入单元(4)。其中，第一Q‑增强型跨导器单元(1)与第一可调输入单元(3)串联构成第一级阻抗变换电路，第二Q‑增强型跨导器单元(2)与第二可调输入单元(4)串联构成第二级阻抗变换电路，且第一级阻抗变换电路与第二级阻抗变换电路级联，使得有源电感的总等效电容减小，阻抗变换次数增加，最终获得了高Q值，大电感值，可工作在Ku波段的有源电感。

公开(公告)号：CN114448388A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202210045299.7

申请日：2022-01-15

申请人： 北京工业大学

发明人： 张万荣 ,  王晓雪 ,  李祎康 ,  金冬月 ,  那伟聪 ,  谢红云 ,  李白

IPC分类号： H03H11/48

摘要： 一种宽频带压控有源电感，包括低噪声跨导单元(1)，双支路跨导单元(2)，第一可调偏置单元(3)，第二可调偏置单元(4)，可调补偿单元(5)共5个单元。低噪声跨导单元(1)与双支路跨导单元(2)连接构成感性反馈回路，并取得低的噪声；第一可调偏置单元(3)和第二可调偏置单元(4)共同为反馈回路提供偏置电流，同时与可调补偿单元(5)的两个可调电压源一起，实现对有源电感性能的调控。通过所述5个单元及其4个调控端(Vtune1、Vtune2、Vtune3、Vtune4)的分工合作，使有源电感在高频区的同一频率下高Q峰值和电感峰值、宽频带且频带可相对于电感峰值独立调节、低噪声等多种性能集于一体。

公开(公告)号：CN112347704A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202011414317.1

申请日：2020-12-03

申请人： 北京工业大学

发明人： 那伟聪 ,  刘可 ,  张万荣 ,  谢红云 ,  金冬月

IPC分类号： G06F30/27 ,  G06F30/17 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08 ,  G06F111/10

摘要： 本发明涉及一种高效的基于贝叶斯理论的人工神经网络微波器件建模方法，用于解决目前的微波器件神经网络建模方法繁琐耗时，难以满足日益提高的缩短微波器件和电路设计周期要求的问题。本方法首先找到对应的神经网络模型所需的最优的有效参数个数，然后通过这个最优的有效参数个数，计算得出所对应的神经网络模型的最优的隐藏层神经元个数，从而得到每个微波器件的神经网络模型的最优结构。此外，该方法可以直接嵌入到神经网络自动模型生成算法中，无论初始设置的隐藏层神经元个数是否接近最优值，均可以非常快速地找到对于当前微波器件建模问题来说最优的神经网络模型结构。该方法与现有技术相比，大大缩短了建模时间，提高了建模效率。

公开(公告)号：CN111478680A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN202010309140.2

申请日：2020-04-19

申请人： 北京工业大学

发明人： 张万荣 ,  张昭 ,  谢红云 ,  金冬月 ,  张思佳 ,  万禾湛 ,  王飞虎

IPC分类号： H03H11/02

摘要： 一种射频压控有源电感涉及集成电路领域，包括：第一跨导单元(1)，第二跨导单元(2)，第三跨导单元(3)，第四跨导单元(4)，有源反馈电阻单元(5)，第一偏置单元(6)，第二偏置单元(7)。第一跨导单元(1)与第二跨导单元(2)构成主回路。第三跨导单元(3)、第四跨导单元(4)与有源反馈电阻单元(5)构成补偿回路。调节补偿回路的不同电压调制端，可补偿因调节主回路不同电压调制端引起的电感值和Q值的变化，进而实现高频下的Q值相对于电感值可独立调节和在调节电感值时Q值保持恒定的性能。补偿回路，一方面，增大了有源电感在高频下的Q值，另一方面与主回路配合，使得有源电感具有宽的工作频带，且在高频下具有高的电感值。

公开(公告)号：CN107302037B

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201710436742.2

申请日：2017-06-12

申请人： 北京工业大学

发明人： 谢红云 ,  吴佳辉 ,  刘芮 ,  孙丹 ,  马佩 ,  高杰 ,  张万荣

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/0288

摘要： 基区Ge组分分段分布的SiGe/Si异质结光敏晶体管探测器是一种兼顾可见光和近红外光波段的探测器。该探测器包括Si衬底；在Si衬底上依次制备出的Si次集电区、Si集电区、Ge组份分段分布的SiGe基区/吸收层和多晶Si发射区；多晶Si发射区上的发射极；SiGe基区上的基极；Si亚集电区上的集电极。光窗口设计在基区台面，避免了光窗口在发射区台面时对入射光的损耗。因为不同Ge组份的SiGe材料对可见光波段和近红外光波段入射光的吸收系数和吸收长度不同，采用了Ge组份分段分布的基区/吸收层可以分别对应吸收波长短的可见光和波长长的近红外光，均衡可见光和近红外光波段内的吸收效率。

公开(公告)号：CN106208997B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201610589625.5

申请日：2016-07-25

申请人： 北京工业大学

发明人： 谢红云 ,  孙丹 ,  张良浩 ,  刘硕 ,  张万荣

IPC分类号： H03G3/30

摘要： 超宽带双重增益控制电路实现了超宽带增益可变双重控制技术，该电路包括一个超宽频带内大范围增益可变电路和一个超宽频带内动态信号增益可变电路。该电路可以用于超宽带接收系统中，共同作用实现超宽带可变增益放大器的大范围增益可变和超宽频带内良好的增益平坦度。其中超宽频带内大范围增益可变电路为后级恒定增益放大单元提供可变的直流偏置，实现大范围增益变化；超宽频带内动态信号增益可变电路作为恒定增益放大电路的反馈支路提供特定频带内的增益微调，实现平坦度的改善。

公开(公告)号：CN107240616B

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710436715.5

申请日：2017-06-12

申请人： 北京工业大学

发明人： 谢红云 ,  马佩 ,  刘硕 ,  高杰 ,  吴佳辉 ,  刘芮 ,  张万荣

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/11

摘要： 本发明提供了一种具有本征层结构的InGaAs/InP光敏晶体管红外探测器。该探测器衬底材料为InP，从衬底往上依次为：InP缓冲层、In0.53Ga0.47As集电区、In0.53Ga0.47As本征层、In0.53Ga0.47As基区、InP发射区、InP帽层、In0.53Ga0.47As欧姆接触层。集电极在In0.53Ga0.47As集电区台面上；基极和基区光窗口在In0.53Ga0.47As基区台面上；发射极在In0.53Ga0.47As欧姆接触层上。本发明的基区和集电区之间存在In0.53Ga0.47As本征层，在集电极偏置为2V时完全耗尽，大大增加了集电结耗尽层的厚度，使大部分进入探测器的入射光被集电结耗尽层吸收。在集电结耗尽层产生的光生电子‑空穴对被其中的强电场分离，从而产生光生电流。因此，本发明具有比无本征层探测器更高的量子效率和光生电流。

公开(公告)号：CN105207664B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201510580528.5

申请日：2015-09-12

申请人： 北京工业大学

发明人： 张万荣 ,  刘鹏 ,  谢红云 ,  金冬月 ,  赵彦晓

IPC分类号： H03K19/094

摘要： 本发明提供了三个负跨导放大器构成的大电感值、高Q值可调节有源电感。第一电流源与第三负跨导放大器连接，并为第三负跨导放大器提供偏置电流，第二电流源与第一负跨导放大器连接，并为第一负跨导放大器提供偏置电流，第三电流源与第二负跨导放大器连接，并为第二负跨导放大器提供偏置电流。有源反馈电阻跨接在第一负跨导放大器与第三负跨导放大器之间，源极负反馈与第一负跨导放大器相连接。本发明实现大电感值和高Q值，采用源极负反馈，来扩展有源电感的带宽，采用有源反馈电阻，来进一步提高等效电感值和品质因子Q值。通过对三个电流源的控制电压和有源反馈电阻的控制电压的协同调节，实现有源电感的电感值和Q值的可调节。

公开(公告)号：CN104898761B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201510357334.9

申请日：2015-06-25

申请人： 北京工业大学

发明人： 赵彦晓 ,  张万荣 ,  张良浩 ,  谢红云 ,  黄鑫 ,  邓蔷薇 ,  金冬月

IPC分类号： G05F3/28

摘要： 本发明提供了一种晶体管合成电感，包括：隔直流电容，第一跨导放大器，第二跨导放大器，反馈晶体管，第一电流镜，第二电流镜。两个跨导放大器分别为一个正跨导放大器与一个负跨导放大器，两个跨导放大器交叉连接构成回转器，回转器把第二跨导放大器的输入电容回转为等效电感。两个电流镜与反馈晶体管构成的电流镜反馈环路跨接在两个跨导放大器的输入端之间，用来减小因输入信号幅度的变化而引起的品质因子Q值的变化。本发明中的晶体管合成电感，当输入信号的幅度变化时，Q值基本保持恒定。具有恒定Q值的晶体管合成电感用于电压控制(电流控制)振荡器中，能够降低振荡器的相位噪声。