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公开(公告)号：CN100429010C
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200710099089.1
申请日：2007-05-11
摘要： 多元复合稀土钨电极材料的拉丝方法属于稀土难熔功能材料领域。多元复合稀土钨电极材料加工性能差，因此目前未产业化生产，使替代钍钨进程停滞不前。本发明针对此现状提供一种多元复合稀土钨电极材料的拉丝方法，即：先将拉丝模预热到500-550℃，等炉温升至1175-1225℃时，固定加热功率，进行多元复合稀土钨电极材料的拉丝加工，依次采用Φ2.5、Φ2.0、Φ1.6、Φ1.2拉丝模加工，经过Φ1.2拉丝模加工后，调整加热炉的功率，使炉温保持在875-925℃。然后进行Φ1.0拉丝模加工，可加工制备Φ2.5-Φ1.0多种规格的多元复合稀土钨电极。该方法低能耗，加工成品率高。
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公开(公告)号：CN101049627A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710099090.4
申请日：2007-05-11
摘要： 多元复合稀土钨电子发射材料的旋锻加工方法，属于难熔金属加工技术领域。针对目前多元复合稀土钨电子发射材料因加工性能差未有工业生产的丝杆产品进入市场，阻碍了该产品替代具有放射性钍钨进程的现状，本发明适应多元复合稀土钨电子发射材料的力学性能变化规律，采用在旋锻温度为1625－1675℃进行B203旋锻，旋锻后将坯条经2150－2250℃快速退火后，再在1425－1475℃进行B202旋锻，最后在1325－1375℃进行B201旋锻，按上述方法可以加工制备Φ3.0－Φ12.0多种规格的稀土钨杆。该方法耗能小，产品成品率高。
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公开(公告)号：CN101088657A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200710118948.7
申请日：2007-06-15
摘要： 本发明涉及多元复合钨电极旋锻串打设备工艺，属于稀土难熔金属材料加工领域。本发明对经过B203旋锻后的坯条，在B202阶段采用三道工序即钨条在1450～1500℃依次经过Φ6.0－Φ5.6旋锻模加工；在1400～1450℃依次经过Φ5.2－Φ4.8旋锻模加工；在1400～1450℃依次经过Φ4.4－Φ4.1旋锻模加工。在B201阶段经过两道次加工，即钨条在1400～1450℃依次经过Φ3.9－Φ3.6旋锻模加工；在1350～1400℃依次经过Φ3.3－Φ3.0旋锻模加工，经上述加工可得到Φ6－Φ3的多元复合稀土钨电极材料。本发明简化了生产工艺，提高了生产效率，同时经济节能。
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公开(公告)号：CN100467158C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710099090.4
申请日：2007-05-11
摘要： 多元复合稀土钨电子发射材料的旋锻加工方法，属于难熔金属加工技术领域。针对目前多元复合稀土钨电子发射材料因加工性能差未有工业生产的丝杆产品进入市场，阻碍了该产品替代具有放射性钍钨进程的现状，本专利适应多元复合稀土钨电子发射材料的力学性能变化规律，采用在旋锻温度为1625-1675℃进行B203旋锻，旋锻后将坯条经2150-2250℃快速退火后，再在1425-1475℃进行B202旋锻，最后在1325-1375℃进行B201旋锻，按上述方法可以加工制备Φ3.0-Φ12.0多种规格的稀土钨杆。该方法耗能小，产品成品率高。
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公开(公告)号：CN101049613A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710099089.1
申请日：2007-05-11
摘要： 多元复合稀土钨电极材料的拉丝方法属于稀土难熔功能材料领域。多元复合稀土钨电极材料加工性能差，因此目前未产业化生产，使替代钍钨进程停滞不前。本发明针对此现状提供一种多元复合稀土钨电极材料的拉丝方法，即：先将拉丝模预热到500－550℃，等炉温升至1175－1225℃时，固定加热功率，进行多元复合稀土钨电极材料的拉丝加工，依次采用Φ2.5、Φ2.0、Φ1.6、Φ1.2拉丝模加工，经过Φ1.2拉丝模加工后，调整加热炉的功率，使炉温保持在875－925℃。然后进行Φ1.0拉丝模加工，可加工制备Φ2.5－Φ1.0多种规格的多元复合稀土钨电极。该方法低能耗，加工成品率高。
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公开(公告)号：CN105810531A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610162295.1
申请日：2016-03-21
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01J9/04
CPC分类号： H01J9/047
摘要： 含钪扩散表面车制阴极材料制备方法，属稀土难熔金属阴极材料领域。本对阴极基体浸渍阴极发射活性盐并进行车制以及表面清洗，阴极基体为Sc2O3和W，其中Sc2O3占阴极总重量的1?10％wt，其余为钨；浸渍的阴极发射活性盐为铝酸钡钙；首先将浸渍阴极发射活性盐的阴极车制成规定尺寸阴极，并在车制后将阴极置于浓度为0.5?10％wt酸溶液中，保持10?60秒；随后分别用去离子水、无水乙醇清洗，最后将阴极在氢气气氛中加热到830?860℃，保温20?30分钟后冷却。经过二次处理的阴极脉冲电压测试电流密度在950℃可以达到116A/cm2。
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公开(公告)号：CN103700557B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310723707.0
申请日：2013-12-24
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种碳化稀土氧化镥掺杂钼阴极材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。阴极基体中的稀土氧化镥含量为1‐4wt%，其余为钼。制备方法为：将七钼酸铵溶液与硝酸镥和柠檬酸溶液混合，机械搅拌并水浴加热，得到凝胶。凝胶经过烘干、分解、还原得到稀土氧化镥掺杂钼粉。粉体经过压制、烧结、碳化处理获得阴极材料。该阴极热发射性能良好，满足微波炉用磁控管中阴极的使用要求。
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公开(公告)号：CN101764006A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN201010033827.4
申请日：2010-01-08
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01J9/02
摘要： 一种浸渍型钪钨扩散式阴极材料的制备方法属于难熔金属阴极材料技术领域。本发明步骤：1)将偏钨酸铵、硝酸钪分别溶于水形成溶液；然后，将硝酸钪溶液加入偏钨酸铵溶液中混合，混合溶液的浓度为20-40g/L；采用喷雾干燥制备阴极材料前驱粉末，进料速度400ml/h、鼓风速率0.4m3/min-0.6m3/min；进口温度150℃，出口温度稳定在95℃；2)将喷雾干燥法制备的前驱粉末，在500-550℃，大气气氛下分解2小时获得复合氧化物粉末。3)氢气气氛下进行还原；还原分两步进行，首先在500-600℃保温1-2小时，再将温度升至800-950℃保温1-2小时，获得前驱掺杂钨粉。这种方法简化了前驱粉末制备工艺和避免制备过程中引入杂质元素，可重复性强，工艺简单，便于规模生产，制备出的阴极材料在850℃具有优异的发射性能。
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公开(公告)号：CN101625950A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910090708.X
申请日：2009-08-03
申请人： 北京工业大学
摘要： 含钇的压制型钡钨阴极及其制备方法，属稀土难熔金属阴极材料领域。现有的阴极材料无法满足大功率磁控管的使用要求。阴极中含有稀土氧化物Y 2 O 3 ，Y 2 O 3 占阴极总重量的10-20％wt，BaO、CaO和Al 2 O 3 三者的含量占阴极材料总重量的5-15％wt，其中Ba∶Ca∶Al摩尔比为4∶1∶1，其余为钨。具体制备方法：以偏钨酸铵、硝酸钇、三元硝酸盐为原料，柠檬酸为络合剂，采用溶胶-凝胶法制备复合凝胶，通过氢气气氛下两步还原：第一步还原温度为500-550℃，保温2-4h；第二步为750-950℃，保温1-2h。还原后的粉末在压制压力1-4t/cm 2 下压制，烧结温度为1400-1650℃，保温1-5min的条件下进行烧结加工成阴极。测试其次级发射系数明显高于钡钨阴极的次级发射系数，且热发射电流密度可以达到14.54A/cm 2 。
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公开(公告)号：CN101624286A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910088527.3
申请日：2009-07-03
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： C04B35/50 , C04B35/622
摘要： 一种La掺杂CeO 2 过渡层薄膜及其制备方法属于高温超导材料制备技术领域。本发明所提供的La掺杂CeO 2 过渡层薄膜由Ce 1-x La x O 2 复合氧化物固溶体组成，其中，0.1≤x≤0.3；过渡层薄膜的厚度为30～250nm。本发明通过以有机铈盐为前驱盐，以乙酰丙酮镧为镧源，采用化学溶液方法制备前驱液后，经过旋涂或者浸涂的方法将前驱液涂敷到金属基带上，再经过热处理工艺制得La掺杂CeO 2 过渡层薄膜。本发明具有制备成本低廉、Ce 1-x La x O 2 过渡层薄膜晶格常数精确可调，且能够实现多种过渡层功能的一体化，减少现有的复杂过渡层结构等优点。
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