一种在钛合金遮光罩内部生长碳纳米管的均匀性控制方法

    公开(公告)号:CN105543804B

    公开(公告)日:2017-11-28

    申请号:CN201510981274.8

    申请日:2015-12-23

    Abstract: 一种在钛合金遮光罩内部生长碳纳米管的均匀性控制方法,步骤为:(1)将钛合金遮光罩在高温及工艺气存在条件下热处理,在钛合金遮光罩表面形成规则的含碳‑钛化合物的突起,然后氧化;(2)将钛合金遮光罩浸入正硅酸乙酯或者钛酸乙酯纯液体中反应,然后向内腔通入水或水蒸汽并加热,在钛合金遮光罩内腔表面形成氧化硅或氧化钛层;(3)将钛合金遮光罩放入具有进料管的空腔反应器中,然后将空腔反应器加热;(4)通过进料管将碳源与金属前驱体同时通入空腔反应器,在钛合金遮光罩内腔的不同部位分解并沉积碳纳米管阵列;(5)在反应器外侧同时施加等离子体场,反应后停止通碳源,关闭升温系统,通入惰性气体,待降至室温后取出最终产品。

    一种在钛合金遮光罩内部生长碳纳米管的均匀性控制方法

    公开(公告)号:CN105543804A

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201510981274.8

    申请日:2015-12-23

    CPC classification number: C23C16/26 C23C16/0218 C23C16/0272 C23C16/50

    Abstract: 一种在钛合金遮光罩内部生长碳纳米管的均匀性控制方法,步骤为:(1)将钛合金遮光罩在高温及工艺气存在条件下热处理,在钛合金遮光罩表面形成规则的含碳-钛化合物的突起,然后氧化;(2)将钛合金遮光罩浸入正硅酸乙酯或者钛酸乙酯纯液体中反应,然后向内腔通入水或水蒸汽并加热,在钛合金遮光罩内腔表面形成氧化硅或氧化钛层;(3)将钛合金遮光罩放入具有进料管的空腔反应器中,然后将空腔反应器加热;(4)通过进料管将碳源与金属前驱体同时通入空腔反应器,在钛合金遮光罩内腔的不同部位分解并沉积碳纳米管阵列;(5)在反应器外侧同时施加等离子体场,反应后停止通碳源,关闭升温系统,通入惰性气体,待降至室温后取出最终产品。

    一种在钛合金基底上控制碳纳米管生长定向性的方法

    公开(公告)号:CN105568248B

    公开(公告)日:2018-08-07

    申请号:CN201510980712.9

    申请日:2015-12-23

    Abstract: 种在钛合金基底上控制碳纳米管生长定向性的方法,包括在钛合金基底表面镀上适当厚度的氧化物层,然后再镀上过渡金属层。通过氧化物层的厚度来控制钛合金表面的平整性,通过过渡金属层厚度来控制生成碳纳米管的金属颗粒的密度以及生成碳纳米管的密度,从而达到钛合金基底上控制良好碳纳米管定向性的目的。本方法可适用于平面、曲面或者平面与曲面组合的各种复杂形状的钛合金器件,生长长度0.01~0.5cm,曲折因子1.1~1.001的定向碳纳米管束,具有操作成本低,器件质量高,吸光率高的优点。

Patent Agency Ranking