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发明公开
一种宇航用SRAM型FPGA双阵列孔静电放电防护版图结构无效

公开(公告)号：CN105304625A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510725370.6

申请日：2015-10-30

申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所

发明人： 尚祖宾 , 禹放斌 , 史艳朝 , 周雷 , 倪劼 , 董龙龙 , 王苑丁 , 杨肖

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 一种宇航用SRAM型FPGA双阵列孔静电放电防护版图结构。本发明针对超深亚微米尤其是宇航用SRAM型FPGA的IO接口电路的静电放电防护，提出一种双阵列孔静电放电防护版图结构，由两个MOS型晶体管构成标准单元，该结构在晶体管的漏区使用双阵列孔，解决了当IO接口电路满足设计性能时，传统的标准静电放电防护结构因电流通行能力无法满足晶体管设计要求的问题，实现了静电放电防护与IO接口电路之间的合理匹配，增加了静电放电防护能力，同时减少了静电放电防护器件所占用的版图面积。