公开(公告)号：CN117790498A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311434043.6

申请日：2023-10-31

申请人： 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

发明人： 孙洪江 ,  李建成 ,  张健 ,  郭斌 ,  刘文东 ,  林彦君 ,  张志伟 ,  王祖航

IPC分类号： H01L27/02 ,  H02H9/04

摘要： 本发明提供了一种耐负压ESD防护电路，包括栅串联电阻和深N阱结构的NMOS管。在芯片正常工作时，由于NMOS管的栅极没有电位处于关断状态；当正向ESD事件发生时，电路通过寄生的NPN结构泄放ESD电流；当负向ESD事件发生时，电路同样通过寄生的NPN结构泄放ESD电流。当芯片端口接入负压时，由于NMOS管的P衬没有直接与地电位连接，因此芯片内部不会向端口倒灌电流。本发明电路可以有效泄放ESD电流实现对内部电路的保护，还可以防止管脚出现负压时从芯片地流向管脚的倒灌电流，满足端口耐负压的要求。