-
公开(公告)号：CN114180161B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202111599747.X
申请日：2021-12-24
Applicant: 北京星航机电装备有限公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及一种标准件自动配套系统及配套方法，包括标准件存储箱3、输送管道6、分计数器4、总计数器7、收集容器8、喷码枪11、包装袋12、CPU；通过在CPU中输入不同规格类型标准件组合需求，CPU控制各个不同规格类型标准件柜的触发，各个对应类型规格的标准件柜计数分发，通过吸取式支路管道汇至总干路，总干路末端计数传感器对各个支路标准件总个数进行统计，与需求总数量对照，总数量一致时，装入包装袋；同时在包装袋在撑开前，根据输入需求喷涂相应的标识和数据规格，将标准件装入后，涂胶封装，完成自动配套、封包、喷涂。本发明通过标准件配套、封包及喷码全流程自动化技术研究，实现标准件高效、精准化、大批量配套。
-
公开(公告)号：CN114180161A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111599747.X
申请日：2021-12-24
Applicant: 北京星航机电装备有限公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及一种标准件自动配套系统及配套方法，包括标准件存储箱3、输送管道6、分计数器4、总计数器7、收集容器8、喷码枪11、包装袋12、CPU；通过在CPU中输入不同规格类型标准件组合需求，CPU控制各个不同规格类型标准件柜的触发，各个对应类型规格的标准件柜计数分发，通过吸取式支路管道汇至总干路，总干路末端计数传感器对各个支路标准件总个数进行统计，与需求总数量对照，总数量一致时，装入包装袋；同时在包装袋在撑开前，根据输入需求喷涂相应的标识和数据规格，将标准件装入后，涂胶封装，完成自动配套、封包、喷涂。本发明通过标准件配套、封包及喷码全流程自动化技术研究，实现标准件高效、精准化、大批量配套。
-
公开(公告)号：CN105405684A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510968802.6
申请日：2015-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01G11/86
Abstract: 一种等离子处理改善Al集电极的方法，本发明涉及电极材料的制备方法。本发明要解决现有Al集电极材料中由于致密氧化层存在，导致的界面电阻较高，载流子扩散较慢的问题。本发明的方法：对铝箔进行清洗处理，将清洗后的铝箔置于等离子体化学气相沉积真空装置中，通入氢气和氩气并调节压强，在氢气和氩气气氛中升温，调节参数，刻蚀处理；最后通入氩气和甲烷，调节气体流量，压强和射频功率，沉积碳层，即可完成等离子处理。本发明用于等离子处理改善Al集电极的方法。
-
公开(公告)号：CN105405684B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201510968802.6
申请日：2015-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01G11/86
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种等离子处理改善Al集电极的方法，本发明涉及电极材料的制备方法。本发明要解决现有Al集电极材料中由于致密氧化层存在，导致的界面电阻较高，载流子扩散较慢的问题。本发明的方法：对铝箔进行清洗处理，将清洗后的铝箔置于等离子体化学气相沉积真空装置中，通入氢气和氩气并调节压强，在氢气和氩气气氛中升温，调节参数，刻蚀处理；最后通入氩气和甲烷，调节气体流量，压强和射频功率，沉积碳层，即可完成等离子处理。本发明用于等离子处理改善Al集电极的方法。
-
公开(公告)号：CN105449225A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510874624.0
申请日：2015-12-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M4/80
CPC classification number: H01M4/80
Abstract: 一种三维多孔结构铝集电极的制备方法，本发明涉及电极的制备方法。本发明要解决现有多孔铝集电极存在铝箔表面采用机械加工的方式冲孔，但是充放电过程中容易发生活性物质脱落现象的问题。本发明的方法：对铝箔进行阳极氧化，得到表面覆有氧化层的铝箔，再将铝箔上氧化层刻蚀掉，得到三维多孔结构铝集电极。本发明用于三维多孔结构铝集电极的制备方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105070524A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510566764.1
申请日：2015-09-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种絮状二氧化锰/石墨烯复合电极材料的制备方法，本发明涉及复合电极材料的制备方法。本发明要解决现有石墨烯材料作为超级电容器电极材料，其理论极限带来的比电容值的限制，从而限制超级电容器比电容值的大幅提高十分困难的问题。方法：一、制备沉积石墨烯的集电极材料；二、制备循环伏安后的集电极材料；三、清洗，即得到絮状二氧化锰/石墨烯复合电极材料。本发明用于絮状二氧化锰/石墨烯复合电极材料的制备方法。
-
公开(公告)号：CN104465131A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410817245.3
申请日：2014-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种石墨烯纳米带-铝基超级电容器集电极的制备方法，本发明涉及电极的制备方法。本发明要解决现有石墨烯纳米带制备方法存在合成过程复杂，结构缺陷多，表面含氧官能团很多，不能充分发挥出石墨烯纳米带优异性能，且比表面积低和电学性能差的问题。方法：制备表面覆有催化剂颗粒的Al基底材料，并置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氢气并调节压强，在氢气气氛中升温；达到一定温度后，通入氩气，调节氩气和氢气的流量、压强、射频功率，进行刻蚀处理一段时间后，关闭氩气；最后通入甲烷和氢气，调节气体的流量、压强及射频功率，进行沉积。本发明用于一种石墨烯纳米带-铝基超级电容器集电极的制备。
-
公开(公告)号：CN105405680B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201511009330.8
申请日：2015-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种碳颗粒/二氧化锰复合电极材料的制备方法，本发明涉及复合电极材料的制备方法。本发明要解决现有二氧化锰电极材料存在的内阻高、充放电循环稳定性差的问题。本发明的方法：将硫酸锰、高锰酸钾及蒸馏水混合均匀，将基片置于混合溶液中，水热反应，得到二氧化锰纳米片材料，将二氧化锰纳米片材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置进行沉积，得到碳颗粒/二氧化锰复合电极材料。本发明用于一种碳颗粒/二氧化锰复合电极材料的制备方法。
-
公开(公告)号：CN105483641A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201511009346.9
申请日：2015-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/513 , C23C16/56 , B22F1/02
CPC classification number: C23C16/26 , B22F1/02 , C23C16/513 , C23C16/56
Abstract: 一种原位生长石墨烯增强铜基电接触材料的制备方法，本发明涉及铜基电接触材料的制备方法。本发明要解决现有银基电接触复合材料价格高昂，性价比低的问题，用性能良好的铜基复合材料代替金属银时，存在石墨烯在铜中的分散不均匀、缺陷的问题。本发明的方法：将铜粉置于等离子体化学气相沉积真空装置中，通入氢气，并在高温下保温，再通入甲烷气体进行沉积，沉积结束后，停止通入甲烷气体，最后冷却至室温以下，得到石墨烯/铜复合粉末。本发明用于一种原位生长石墨烯增强铜基电接触材料的制备方法。
-
公开(公告)号：CN105374573A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510968462.7
申请日：2015-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法，本发明涉及电极材料的制备方法。本发明要解决现有石墨烯表面改性技术或存在改善效果有限的问题，或存在掺杂元素与碳原子电负性相差较大，可以很容易地形成共价结合的问题。本发明的方法：采用甲烷，氩气和氢气制备石墨烯材料；将二苄基二硫醚溶液涂覆在石墨烯表面，放入石英管中，在氩气气氛中退火处理。本发明用于硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.043 seconds)
