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公开(公告)号：CN113932949A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111183544.2
申请日：2021-10-11
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01K15/00
摘要： 本发明提供一种电能表端子温度传感器功能检测探针及装置，该探针用于插入电能表端子的接线孔与电能表端子进行热交换，同时采集电能表端子的温度，包括：内部设置有冷热流体通道的探针座、探针温度传感器和连接件；探针座具有与电能表端子接触进行热交换的接触端，探针温度传感器通过弹性件与探针座的接触端固定。该检测探针采用冷热流体对电能表端子进行加热，能实现对被测电能表端子的快速升温和降温，在检测结束后能快速降温，以便进行被测电能表更换，可以模拟快速降温或者低温等异常情况。
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公开(公告)号：CN216207137U
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202122447070.X
申请日：2021-10-11
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01K15/00
摘要： 本实用新型实施例提供一种电能表端子温度传感器功能检测探针及装置，该探针用于插入电能表端子的接线孔与电能表端子进行热交换，同时采集电能表端子的温度，包括：内部设置有冷热流体通道的探针座、探针温度传感器和连接件；探针座具有与电能表端子接触进行热交换的接触端，探针温度传感器通过弹性件与探针座的接触端固定。该检测探针采用冷热流体对电能表端子进行温度调节，能实现对被测电能表端子的快速升温和降温，在检测结束后能快速降温，以便进行被测电能表更换，可以模拟快速降温或者低温等异常情况。
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公开(公告)号：CN115064420A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210891115.9
申请日：2022-07-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种断路器。该断路器包括：壳体、接线端子和温度传感器，壳体设有端子座，接线端子设于端子座，温度传感器设于接线端子以用于测量接线端子的温度，温度传感器具有引线端，且引线端与接线端子的爬电距离大于等于4mm。根据本发明实施例的断路器，温度传感器设于接线端子，接线端子与引线端的爬电距离大于等于4mm，温度传感器可及时、准确地测量接线端子的温度，并保证温度传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN116930842A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310857019.7
申请日：2023-07-12
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种霍尔芯片校准结构、方法、系统、装置及霍尔芯片，属于芯片技术领域。所述霍尔芯片校准结构包括：至少一个校验霍尔盘，所述校验霍尔盘的外形与待校准霍尔芯片中用于功能实现的霍尔盘的外形相同；所述校验霍尔盘设置有输入端和输出端，所述校验霍尔盘的输入端与外部激励的输出端连接，所述校验霍尔盘的输出端用于输出霍尔电压。相对于现有技术中采用电路或是模组进行校准，大大减少了校准误差，提高了校准结果的准确度。
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公开(公告)号：CN117794348A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311380067.8
申请日：2023-10-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种霍尔元件、一种霍尔芯片和一种电子设备，属于电子技术领域。霍尔元件包括：基底；一对激励电极，在所述基底上相对设置；所述一对激励电极之间相连形成的方向为第一方向；一对接地电极，在所述基底上相对设置；所述一对接地电极之间相连形成的方向为第二方向；所述第一方向与所述第二方向之间呈角度设置；多个输出电极，相邻的激励电极和接地电极之间设有一个输出电极。本发明的霍尔元件在基底的呈角度设置的两个方向上分别放置一对激励电极和一对接地电极，实现在单个基底的霍尔区域上形成有四个极化方向的电流，得到和四相旋转电流等效的零偏消除效果，从而实现提高带宽。
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公开(公告)号：CN115490213B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202211049050.X
申请日：2022-08-30
申请人： 华东师范大学 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
IPC分类号： C01B19/04 , B82Y40/00 , H01M4/58 , H01M10/0525 , H01M10/054
摘要： 本发明涉及电池负极材料技术领域，公开了一种金属有机骨架衍生的VSe2材料及其制备方法和应用。所述方法包括：将含V元素的金属有机骨架和硒粉在惰性气氛下进行热处理，得到所述VSe2材料；其中，所述金属有机骨架材料和硒粉的质量比为1：2‑15，所述热处理温度为400‑550℃。本发明中提供的金属有机骨架衍生的VSe2材料的制备方法，工艺简单，条件温和，制备得到金属有机骨架衍生的VSe2材料具有优异的电化学性能，适合放大生产。
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公开(公告)号：CN115490213A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211049050.X
申请日：2022-08-30
申请人： 华东师范大学 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
IPC分类号： C01B19/04 , B82Y40/00 , H01M4/58 , H01M10/0525 , H01M10/054
摘要： 本发明涉及电池负极材料技术领域，公开了一种金属有机骨架衍生的VSe2材料及其制备方法和应用。所述方法包括：将含V元素的金属有机骨架和硒粉在惰性气氛下进行热处理，得到所述VSe2材料；其中，所述金属有机骨架材料和硒粉的质量比为1：2‑15，所述热处理温度为400‑550℃。本发明中提供的金属有机骨架衍生的VSe2材料的制备方法，工艺简单，条件温和，制备得到金属有机骨架衍生的VSe2材料具有优异的电化学性能，适合放大生产。
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公开(公告)号：CN220399625U
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202321836692.4
申请日：2023-07-12
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
摘要： 本实用新型实施例提供一种霍尔芯片校准结构、系统及霍尔芯片，属于芯片技术领域。所述霍尔芯片校准结构包括：至少一个校验霍尔盘，所述校验霍尔盘的外形与待校准霍尔芯片中用于功能实现的霍尔盘的外形相同；所述校验霍尔盘设置有输入端和输出端，所述校验霍尔盘的输入端与外部激励的输出端连接，所述校验霍尔盘的输出端用于输出霍尔电压。相对于现有技术中采用电路或是模组进行校准，大大减少了校准误差，提高了校准结果的准确度。
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公开(公告)号：CN217933656U
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202221958284.1
申请日：2022-07-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种断路器。该断路器包括：壳体、接线端子和温度传感器，壳体设有端子座，接线端子设于端子座，温度传感器设于接线端子以用于测量接线端子的温度，温度传感器具有引线端，且引线端与接线端子的爬电距离大于等于4mm。根据本实用新型实施例的断路器，温度传感器设于接线端子，接线端子与引线端的爬电距离大于等于4mm，温度传感器可及时、准确地测量接线端子的温度，并保证温度传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN221354898U
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202322845779.4
申请日：2023-10-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
摘要： 本实用新型提供一种霍尔元件、一种霍尔芯片和一种电子设备，属于电子技术领域。霍尔元件包括：基底；一对激励电极，在所述基底上相对设置；所述一对激励电极之间相连形成的方向为第一方向；一对接地电极，在所述基底上相对设置；所述一对接地电极之间相连形成的方向为第二方向；所述第一方向与所述第二方向之间呈角度设置；多个输出电极，相邻的激励电极和接地电极之间设有一个输出电极。本实用新型的霍尔元件在基底的呈角度设置的两个方向上分别放置一对激励电极和一对接地电极，实现在单个基底的霍尔区域上形成有四个极化方向的电流，得到和四相旋转电流等效的零偏消除效果，从而实现提高带宽。
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