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公开(公告)号：CN117688964A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311452455.2
申请日：2023-11-02
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
IPC分类号： G06K19/077
摘要： 本发明提供一种射频识别标签，属于射频识别技术领域。射频识别标签包括：底材层；面材层，面材层设于底材层上方；特高频标签天线，特高频标签天线设于底材层和面材层之间；频率选择表面阵列，频率选择表面阵列设于底材层和面材层之间，频率选择表面阵列与特高频标签天线设于同一平面，频率选择表面阵列的长度为5mm至10mm，宽度为5mm至10mm。本发明通过设置频率选择表面阵列小型化，在标签天线同一平面设置频率选择表面阵列，合理利用空间和减少成本，在减小特高频标签间表面波干扰、天线周围电磁场来波干扰基础上，通过电磁波反射降低特高频标签和周围其他通信天线的互耦干扰和电场感应电流干扰。
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公开(公告)号：CN115441176A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211151723.2
申请日：2022-09-21
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
IPC分类号： H01Q1/38 , H01Q1/22 , H01Q1/48 , H01Q21/08 , H01Q23/00 , G01S5/02 , G06K7/10 , G06K17/00 , G06K19/077
摘要： 本申请公开了一种超高频RFID近场天线、定位系统和定位控制方法。其中，该超高频RFID近场天线包括：介质基板和金属地，所述金属地设于所述介质基板的一侧；辐射阵子，所述辐射阵子设于所述介质基板且位于所述介质基板远离所述金属地的另一侧，所述辐射阵子适于与RFID读写器连接；微带射频衰减器，所述微带射频衰减器设于所述辐射阵子且与所述金属地连接，所述微带射频衰减器用于衰减信号。该超高频RFID近场天线通过加载微带射频衰减器的传输线，利用不同位置识别信号强度的阶梯值，将返回的响应信号强度与预设信号强度阈值进行比较，实现待测物体的识别和定位功能。
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公开(公告)号：CN220105710U
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202321675382.9
申请日：2023-06-28
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
IPC分类号： G06K19/077
摘要： 本实用新型实施例提供一种RFID标签，属于射频标签技术领域。所述RFID标签包括：由下自上依次覆盖连接的基材层、芯片层、天线层和耐温层；每相邻两层之间通过耐温胶粘接固定；所述基材层、所述天线层和所述耐温层均为柔性层。本实用新型方案在传统标签上增加耐温层，并通过耐温胶进行各层固定。使得整个标签实现抗高温，以便于线缆在生产过程中，即使是高温状态下，标签也能封装在线缆保护层内部，避免了标签裸露在外容易被损坏的问题。进一步的，将耐温层、天线层和基材层均设置为柔性层，使得其能够完美贴合线缆轮廓，避免标签损坏。
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公开(公告)号：CN221008296U
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202323075522.1
申请日：2023-11-14
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
IPC分类号： G06K19/077
摘要： 本公开涉及射频识别技术领域，具体涉及一种启封即失效的RFID电子标签。所述标签包括：第一粘胶层结构、芯片粘合结构、标签外壳层和标签天线；在第一粘胶层结构上设置有贯穿槽；芯片粘合结构包括RFID标签芯片和第二粘胶层结构，第二粘胶层结构的第一平面与第一粘胶层结构的第一平面共面，贯穿槽的内槽壁包围芯片粘合结构的外围且内槽壁与外围之间分离设置；第一粘胶层结构的第二平面与标签外壳层粘接，在标签外壳层上设置有与贯穿槽对应的容纳槽；标签天线的天线引脚裸露设置在容纳槽的内槽壁上，标签天线的剩余部分封装在标签外壳层的内部，天线引脚与RFID标签芯片的芯片引脚电连接。本公开实现了启封即失效的效果，防护等级较高，防拆效果好。
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