-
公开(公告)号：CN107479834A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710749269.3
申请日：2017-08-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
CPC classification number: G06F3/0622 , G06F3/0643 , G06F3/0679 , G06F11/1004
Abstract: 本发明涉及一种基于COS的文件存储方法及装置，方法包括：接收文件的存储请求，其中，所述存储请求中包括待存储的数据以及待存储文件的文件名；根据所述待存储文件的文件名在索引表中查找对应的数据存储扇区，其中，索引表中存储有文件名与数据存储扇区间的对应关系，一个文件名对应至少两个数据存储扇区；将所述待存储的数据存储至第一数据存储扇区，其中，所述第一数据存储扇区为上一次执行文件的存储请求时，未进行数据存储的一个数据存储扇区。本发明提供的基于COS的文件存储方法及装置，以扇区划分存储空间，可以避免现有技术中的存储方法造成系统的浪费，提高安全芯片的存储性能；并且在不增加写入次数的情况下实现了芯片掉电保护的需求。
-
公开(公告)号：CN106788662A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710200490.3
申请日：2017-03-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
CPC classification number: H04B7/155 , G04R20/02 , H04B7/22 , H04B2203/5441
Abstract: 本发明涉及一种基于低频时码技术的中继授时装置，包括：中继发送模块；所述中继发送模块用于接收低频时码的无线信号，对接收的所述低频时码的无线信号进行功率放大处理，将处理后的信号作为载波信号，并通过电力线进行发送。本发明提供的基于低频时码技术的中继授时装置，避免了现有的授时技术在室内，由于无线信号衰减很难进行授时的问题，可以提高授时成功率。
-
公开(公告)号：CN106912056B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201710232393.2
申请日：2017-04-11
Applicant: 国网新疆电力公司昌吉供电公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
Abstract: 本发明公开了一种230MHz微基站及其组网方法，其中，该微基站包括：RF芯片、中频处理电路和基带芯片；RF芯片用于将230MHz信号搬移到中频段，生成中频信号并将中频信号发送至中频处理电路；中频处理电路用于对中频信号进行采样，将采样后的中频信号转换为基带信号，并将基带信号发送至基带芯片；基带芯片用于对基带信号进行调制解调处理。该230MHz微基站通过加入中频处理电路，实现在230MHz频段下传统RF芯片与基带芯片的衔接工作，实现了230MHz微基站的设计，使得该230MHz微基站适用于电力业务。
-
公开(公告)号：CN107608440A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201711014994.2
申请日：2017-10-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种带隙基准参考源电路，包括：第一P型晶体管、第二P型晶体管、第三P型晶体管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻和差分放大器；差分放大器的第一端与第四电阻和第二电阻之间的连接节点相连，差分放大器的第二端与第五电阻和第一电阻之间的连接节点相连；差分放大器的第一端的电压与第二端的电压相同。该带隙基准参考源电路，通过选取适当的阻值，可以得到小于1V的带隙基准电压，并可以使得当VDD小于1V时也保证带隙基准参考源电路正常工作。同时，可以消除温度引起漏源电压变化，从而降低沟道调制效应的影响。
-
公开(公告)号：CN107239816A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710436238.2
申请日：2017-06-12
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司 , 浙江维思无线网络技术有限公司
IPC: G06K19/07 , G06K19/077 , G06K17/00
CPC classification number: G06K19/07775 , G06K17/0029 , G06K19/0717
Abstract: 本发明涉及一种测温标签、读写器及测温系统，测温标签包括：第一天线以及测温芯片；第一天线与测温芯片相连接，用于接收读写器发送的能量信号，能量信号用于为测温标签提供电能；测温芯片对开关柜的铜排进行温度测量，形成反馈信号，将反馈信号传输至第一天线，其中，反馈信号包括测量后的开关柜的铜排的温度数据以及开关柜的铜排的标识；第一天线将反馈信号发送给读写器。本发明提供的测温标签、读写器及测温系统可以实现无源RFID测温，无需电池供电，测温芯片体积小，重量轻，抗干扰能力更强，增加测温芯片的使用寿命，满足现场应用需求。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106934153A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710145290.2
申请日：2017-03-13
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司 , 国网河北省电力公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009 , G06F17/5068
Abstract: 本发明公开了一种提取器件模型参数的方法及装置，其中，该方法包括：根据待测器件模型的待测参数确定测试输入和与测试输入相对应的测试数据，测试输入包括测试输入和测试电路；根据测试电路确定仿真网表，仿真网表用于记录待测器件各个引脚的连接关系；确定待测参数的临时参数值，并将测试输入作为仿真网表的输入，确定仿真网表输出的仿真数据；在仿真数据与测试数据之间的差值小于预设阈值时，将临时参数值作为待测参数的有效参数值。该方法可以快速准确地确定待测器件模型的参数；该方法避免使用提参软件，不需要支付额外的费用，代价低，同时可以重复确定待测器件模型的参数。
-
公开(公告)号：CN106912056A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710232393.2
申请日：2017-04-11
Applicant: 国网新疆电力公司昌吉供电公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
Abstract: 本发明公开了一种230MHz微基站及其组网方法，其中，该微基站包括：RF芯片、中频处理电路和基带芯片；RF芯片用于将230MHz信号搬移到中频段，生成中频信号并将中频信号发送至中频处理电路；中频处理电路用于对中频信号进行采样，将采样后的中频信号转换为基带信号，并将基带信号发送至基带芯片；基带芯片用于对基带信号进行调制解调处理。该230MHz微基站通过加入中频处理电路，实现在230MHz频段下传统RF芯片与基带芯片的衔接工作，实现了230MHz微基站的设计，使得该230MHz微基站适用于电力业务。
-
公开(公告)号：CN108365847B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201711483390.2
申请日：2017-12-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H03M1/14
Abstract: 本发明公开了一种针对电荷型SAR‑ADC寄生电容的校准方法，所述电荷型SAR‑ADC包括LSB电容阵列，将LSB电容阵列的所有上极板与第一补偿电路的一端相连，第一补偿电路的另一端接任意恒定电位，第一补偿电路由第一固定电容Cdl和第一可调电容Cdl＇并联组成，通过调节第一补偿电路来调节SAR‑ADC的非线性误差。LSB电容阵列中单位电容值为Cu，共L位，从低位到高位分别以2倍的关系递增，最高位电容值为2L‑1Cu。当LSB电容阵列的总电容值为CLt时，则如下关系式成立：CLt＝(2L‑1)·Cu+Cdl+Cdl＇。所述针对电荷型SAR‑ADC寄生电容的校准方法能达到很高的线性和增益的调节精度，特别适合高精度ADC的设计。
-
公开(公告)号：CN108365847A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201711483390.2
申请日：2017-12-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H03M1/14
Abstract: 本发明公开了一种针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法，所述电荷型SAR-ADC包括LSB电容阵列，将LSB电容阵列的所有上极板与第一补偿电路的一端相连，第一补偿电路的另一端接任意恒定电位，第一补偿电路由第一固定电容Cdl和第一可调电容Cd＇l并联组成，通过调节第一补偿电路来调节SAR-ADC的非线性误差。LSB电容阵列中单位电容值为Cu，共L位，从低位到高位分别以2倍的关系递增，最高位电容值为2L-1Cu。当LSB电容阵列的总电容值为CLt时，则如下关系式成立：CLt＝(2L-1)·Cu+Cdl+Cd＇l。所述针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法能达到很高的线性和增益的调节精度，特别适合高精度ADC的设计。
-
公开(公告)号：CN118275508A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410193825.3
申请日：2024-02-21
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 厦门大学
IPC: G01N27/22
Abstract: 本申请公开一种湿度传感器和湿度传感器的制备方法。湿度传感器包括晶圆及湿敏膜。晶圆包括基底和设置在基底上的电极。湿敏膜位于电极的表面，湿敏膜包括第一湿敏膜和第二湿敏膜，第一湿敏膜由未完全亚胺化的聚酰亚胺制成，第二湿敏膜由氟化聚酰亚胺制成，第二湿敏膜位于电极与第一湿敏膜之间。一方面使得在低湿度的情况下，可利用第一湿敏膜实现对水分敏感，实现低湿度感知。另一方面利用第二湿敏膜中的含氟官能团来提高第二湿敏膜的高湿稳定性和降低第二湿敏膜的迟滞性。如此，基于第一湿敏膜和第二湿敏膜的湿度传感器可在全湿度范围内完成检测，即实现宽量程，且在全湿度范围内可实现低迟滞性和高湿稳定性，从而减少湿度传感器的使用限制。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.061 seconds)
