晶体管器件缺陷分析方法及系统

    公开(公告)号:CN118011175A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202410420863.8

    申请日:2024-04-09

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明提供一种晶体管器件缺陷分析方法及系统,涉及半导体器件检测领域。分析方法包括:搭建缺陷检测平台,并检测缺陷检测样品的初始瞬态电容;其中,缺陷检测样品包括在衬底上形成的多个晶体管器件,晶体管器件具有金属/氧化物/半导体层叠结构,每一晶体管器件的栅极通过梳状导电结构连接至第一引脚,缺陷检测样品的衬底连接至第二引脚;搭建电磁干扰平台,并对缺陷检测样品进行电磁干扰;检测损伤瞬态电容;基于初始瞬态电容确定初始缺陷能级和初始缺陷浓度,基于损伤瞬态电容确定损伤缺陷能级和损伤缺陷浓度;确定缺陷检测样品的电磁损伤程度。通过本发明提供的分析方法,能够探测晶体管器件的微观缺陷,准确测量晶体管器件的缺陷能级。

    晶体管器件缺陷分析方法及系统

    公开(公告)号:CN118011175B

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202410420863.8

    申请日:2024-04-09

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明提供一种晶体管器件缺陷分析方法及系统,涉及半导体器件检测领域。分析方法包括:搭建缺陷检测平台,并检测缺陷检测样品的初始瞬态电容;其中,缺陷检测样品包括在衬底上形成的多个晶体管器件,晶体管器件具有金属/氧化物/半导体层叠结构,每一晶体管器件的栅极通过梳状导电结构连接至第一引脚,缺陷检测样品的衬底连接至第二引脚;搭建电磁干扰平台,并对缺陷检测样品进行电磁干扰;检测损伤瞬态电容;基于初始瞬态电容确定初始缺陷能级和初始缺陷浓度,基于损伤瞬态电容确定损伤缺陷能级和损伤缺陷浓度;确定缺陷检测样品的电磁损伤程度。通过本发明提供的分析方法,能够探测晶体管器件的微观缺陷,准确测量晶体管器件的缺陷能级。

    光刻胶均匀覆盖晶圆表面的仿真方法

    公开(公告)号:CN118502201A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410485289.4

    申请日:2024-04-22

    IPC分类号: G03F7/20 G03F7/16 G06F30/12

    摘要: 本发明涉及半导体工艺技术领域,提供一种光刻胶均匀覆盖晶圆表面的仿真方法,包括:在仿真工具中输入沉积光刻胶和硬掩膜的命令,在晶圆表面形成均匀厚度的第一光刻胶和第一掩膜版;利用仿真工具中的photo命令,在第一掩膜版表面形成具有预设图形窗口的第二光刻胶第二掩膜版;输入刻蚀命令,在第二掩膜版的保护下对第一掩膜版进行刻蚀,在第一掩膜版形成刻蚀窗口;输入刻蚀命令,在第一掩膜版的保护下沿第一掩膜版的刻蚀窗口对第一光刻胶进行刻蚀;输入刻蚀命令,刻蚀掉第一光刻胶表面剩余的第一掩膜版,得到均匀覆盖晶圆表面的光刻胶。本发明解决了仿真工具中photo命令下涂覆光刻胶的高度不能随晶圆表面的高度变化而变化的问题。

    电池安全阀状态实时监测系统、方法及电子设备

    公开(公告)号:CN118263480A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202410450285.2

    申请日:2024-04-15

    摘要: 本公开涉及电池检测技术领域,具体涉及一种电池安全阀状态实时监测系统、方法及电子设备,所述系统包括:电解液喷出检测装置,用于检测电池的电解液喷出;温度传感器,用于检测环境温度和电池的表面温度;电流电压传感器,用于检测电池的工作电流、开路电压和工作电压;控制单元,用于根据所述温度传感器和所述电流电压传感器的检测结果确定电池内部温度最优估计值,根据所述第一检测部与所述第二检测部之间的电阻和所述电池内部温度最优估计值确定电池安全阀状态。本公开能够实现电解液喷出与电池内部温度同时在线监测,并根据电解液检测情况和电池内部真实温度检测情况两个条件共同判断安全阀的状态,减少误检,提高安全阀状态检测准确度。